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SemiBooks 24권에 나오는 용어 4915개입니다. 용어 옆 약호는 그 용어를 다루는 책이고, 누르면 그 책에서 용어를 설명하는 곳으로 갑니다. 570개는 두 권 이상에 나옵니다. 장·절 번호까지 보려면 아래 책 이름을 눌러 책별 찾아보기로 가세요.
4915개
ㄱ
- 가가속도 jerk J INF
- 가격 탄력성 Price elasticity IND
- 가동 이온 Mobile ionic charge Qm DEVCMP
- 가동 이온 전하 mobile ionic charge Qm FIL
- 가동률 Utilization IND
- 가둠 링 confinement ring PLS
- 가드 링 Guard ring DEV
- 가드밴드 Guard band DEVTST
- 가변 성형 빔 Variable shaped beam VSB LIT
- 가변 주사율 Variable refresh rate VRR DSP
- 가변 초점 Varifocal display DSP
- 가비지 컬렉션 Garbage collection GC MEM
- 가상 게이트 virtual gate PWR
- 가상 계측 virtual metrology VM PLSCMP
- 가상 원색 Imaginary primary CIS
- 가상 접지 Virtual ground ANA
- 가상 채널 Virtual channel VC SOCCIS
- 가설 기반 분석 Hypothesis-driven analysis FAL
- 가속 계수 Acceleration factor AF DEVFALTSTCISPWR
- 가속 전압 Accelerating voltage FAL
- 가스 감지기 gas detector INF
- 가스 보조 증착 Gas-assisted deposition GIS FAL
- 가스 캐비닛 gas cabinet INF
- 가스 커튼 gas curtain FIL
- 가시도 Fringe visibility V OPT
- 가압-배기 퍼지 pressure-vent cycle purge INF
- 가용도 availability A INF
- 가우스 결상식 Gaussian lens equation OPT
- 가우스 빔 Gaussian beam OPT
- 가우시안 플룸 Gaussian plume model INF
- 가이디드 필터 Guided filter CIS
- 가장자리 고리 Edge ring YLD
- 가장자리 롤오프 edge roll-off FIL
- 가장자리 배치 오차 Edge placement error EPE LIT
- 가장자리 비 edge-to-centre density ratio h PLS
- 가장자리 비드 제거 Edge bead removal EBR YLD
- 가장자리 제외 edge exclusion EE FILCMP
- 가장자리 제외 영역 Edge exclusion EE YLD
- 가장자리 조각 Fragment (edge segment) LIT
- 가장자리 처짐 edge roll-off CMP
- 가장자리 커패시턴스 Fringe capacitance DIG
- 가장자리 트리밍 edge trimming CMP
- 가장자리 효과 edge effect CMP
- 가중 함수 weighting function, kernel CMP
- 가중 효율 weighted efficiency PWR
- 가중치 고정 데이터 흐름 Weight-stationary dataflow WS SOC
- 가짜 무늬 Test-induced pattern YLD
- 가치사슬 Value chain IND
- 가치사슬 점유 Value-chain share IND
- 각 스펙트럼법 Angular spectrum method ASM CIS
- 각도 오차 Angular error CIS
- 각도 응답 Angular response OPTCIS
- 각도 이동 Angle shift (blue shift) OPT
- 각도 프로파일 Angular profile YLD
- 각스펙트럼법 Angular spectrum method ASM OPT
- 각해상도 Pixels per degree PPD DSP
- 간상세포 Rod cell DSP
- 간섭 Interference OPT
- 간접 밴드갭 Indirect band gap DEV
- 간접 수냉 indirect liquid cooling PWR
- 간접 ToF Indirect time-of-flight iToF CIS
- 갈륨 주입 Gallium implantation FAL
- 갈바닉 부식 galvanic corrosion CMP
- 감가상각 Depreciation MEMIND
- 감광막 Photoresist PR PRC
- 감도 함수 Sensitivity Function CIS
- 감마 Gamma γ DSP
- 감마 보정 Gamma correction CIS
- 감마 측정 Gamma measurement DSP
- 감산 Production cut IND
- 감산 공정 subtractive patterning CMP
- 감속 모드 Deceleration mode DOP
- 감쇠 뉴턴 Damped Newton TCD
- 감쇠 위상 변이 마스크 Attenuated PSM att-PSM LIT
- 감쇠비 damping ratio ζ ANAPWRINF
- 감지 전류 measurement (sense) current IM PWR
- 감지 증폭기 Sense amplifier SA SOC
- 강건 병합 Robust merge CIS
- 강결합 플라즈마 strongly coupled plasma PLS
- 강반전 Strong inversion ψs = 2φF DEVANA
- 강유전체 메모리 Ferroelectric RAM FeRAM MEM
- 강유전체 트랜지스터 Ferroelectric FET FeFET MEM
- 강제 연속 모드 forced continuous conduction mode FCCM PWR
- 개구 문제 Aperture Problem CIS
- 개구수 Numerical aperture NA PRCLITOPT
- 개구수와 회절 한계 Numerical aperture / diffraction limit NA FAL
- 개구율 Aperture ratio AR DSP
- 개기공 open pore CMP
- 개루프 이득 Open-loop gain A0 ANA
- 개방 전압 Open-circuit voltage Voc DEVCIS
- 갭리스 마이크로렌즈 Gapless microlens OPT
- 갭필 gap fill (HDP-CVD, HARP) CMP
- 거대 입자 macro-particle PLS
- 거멜 반복 Gummel iteration TCD
- 거멜 반복법 Gummel iteration DEV
- 거멜 수 Gummel number Q_B DEV
- 거멜 플롯 Gummel plot DEV
- 거미집 모형 Cobweb model IND
- 거버너 Governor SOC
- 거시 로딩 macro-loading FIL
- 거짓 경로 False path DIGDSN
- 거짓 공유 False sharing SOC
- 거짓 의존 False dependence (WAR / WAW) SOC
- 거품 Bubble (stall) SOC
- 건식 냉각 코일 Dry Cooling Coil DCC INF
- 건식 산화 dry oxidation FIL
- 건식 산화 / 습식 산화 Dry / wet oxidation PRC
- 건식 식각 Dry etching ETC
- 건식 투입·건식 배출 dry-in / dry-out CMP
- 건식·습식 식각 Dry / wet etching DSP
- 검사 샘플링 계획 Inspection sampling plan YLD
- 검사·계측 Inspection & metrology IND
- 검정력 Statistical power YLD
- 검증 Verification IND
- 검증 로트 Verification lot FAL
- 검출 양자 효율 Detective quantum efficiency DQE CIS
- 검출 지연 Detection delay YLD
- 검출 한계 Detection limit FAL
- 겉보기 활성화 에너지 apparent activation energy E_app FIL
- 게이지 R&R gauge repeatability and reproducibility GRR FILTST
- 게이트 공핍 Poly-gate depletion TCD
- 게이트 누설 Gate leakage Ig DEV
- 게이트 대체 공정 Replacement gate MEM
- 게이트 드라이버 Gate driver DSPPWR
- 게이트 라스트 Replacement metal gate RMG PRC
- 게이트 라인 Gate (scan) line DSP
- 게이트 루프 링잉 gate-loop ringing PWR
- 게이트 루프 인덕턴스 gate loop inductance PWR
- 게이트 산화막 신뢰성 Gate Oxide Integrity GOI CMP
- 게이트 수준 시뮬레이터 Gate-level simulator DIG
- 게이트 스위칭 불안정 gate switching instability GSI PWR
- 게이트 올 어라운드 Gate-all-around GAA DEVLITCMPTCDIND
- 게이트 용량 Gate capacitance Cgg TCD
- 게이트 유도 드레인 누설 Gate-induced drain leakage GIDL DEVTCDMEM
- 게이트 저항 Gate resistance R_g DEVPWR
- 게이트 전력 gate drive power P_G PWR
- 게이트 전압 스크리닝 gate voltage screening PWR
- 게이트 전압 창 gate voltage window PWR
- 게이트 전하 gate charge Q_G PWR
- 게이트 접촉 Gate contact TCD
- 게이트 커패시턴스 Gate capacitance Cg DIG
- 게이트 피치 Contacted poly pitch CPP LIT
- 게이트-드레인 거리 gate-to-drain spacing L_gd PWR
- 게이트-소스 커패시턴스 Gate-source capacitance Cgs ANA
- 게터링 Gettering PRCCIS
- 격리 Containment YLD
- 격막 게이지 capacitance manometer CM FIL
- 격자 Mesh / grid TCD
- 격자 (메시) Mesh DEV
- 격자 게인 맵 Grid gain map (mesh shading table) CIS
- 격자 방정식 Grating equation LIT
- 격자 산란 Lattice (phonon) scattering DEV
- 격자 상 Lattice image (HRTEM) HRTEM FAL
- 격자 상수 Lattice constant a DEV
- 격자 세분화 Mesh refinement TCD
- 격자 손상 Implant damage TCD
- 격자 수렴 Mesh convergence TCD
- 격자 정합 Lattice matching DEV
- 격자 페클레 수 Grid Péclet number TCD
- 결맞는 · 결맞지 않는 결상 Coherent vs incoherent imaging OPT
- 결맞음 시간 Coherence time τc CIS
- 결맞지 않는 두꺼운 층 Incoherent thick layer OPT
- 결정 격자 Crystal lattice DEV
- 결정 궤환 등화기 Decision feedback equalizer DFE MEM
- 결정 기인 결함 Crystal originated particle / pit COP YLD
- 결정립 성장 grain growth FIL
- 결정적 조사 Decisive test YLD
- 결함 Defect YLDFALTST
- 결함 군집 Defect clustering YLD
- 결함 미발견 No defect found NDF · NTF FAL
- 결함 밀도 Defect density D₀ PRCYLDTSTMEMCISIND
- 결함 분류 Defect classification YLD
- 결함 수준 Defect level DL TST
- 결함 위치 추적 Fault isolation / localization FI FAL
- 결함 지도 defect map, spatial signature CMP
- 결함 커버리지 Defect coverage TST
- 결함 크기 분포 Defect size distribution YLD
- 결함 픽셀 보정 Defect pixel correction DPC CIS
- 결함–빈 겹치기 Defect-to-bin overlay YLD
- 결합 고장 Coupling fault CF MEM
- 결합 커패시턴스 Coupling capacitance Cc DIG
- 결합 파라미터 coupling parameter Γ PLS
- 결합 폴트 Coupling fault CF TST
- 결합 효율 power coupling efficiency η PLS
- 겹친 무늬 Mixed pattern YLD
- 겹침 윈도 Overlapping process window LIT
- 경계 스캔 Boundary scan TST
- 경계 윤활 boundary lubrication CMP
- 경계층 boundary layer FILCMP
- 경로 노력 Path effort F DIG
- 경로 민감화 Path sensitization TST
- 경로 증대 배율 Path-length enhancement CIS
- 경로 지연 폴트 Path delay fault TST
- 경보 홍수 alarm flood INF
- 경사 Slew (transition time) DIG
- 경사 에지법 Slanted-edge method CIS
- 경사 접합 Linearly graded junction DEV
- 경시 절연 파괴 Time-Dependent Dielectric Breakdown TDDB DEV
- 경질 세그먼트 hard segment CMP
- 계단 구조 Staircase MEM
- 계단 근사 · 격자 해상도 Staircasing / mesh resolution OPT
- 계단 흐름 성장 step-flow growth PWR
- 계단형 필드 플레이트 stepped field plate PWR
- 계면 고정 전하 fixed oxide charge Qf PWR
- 계면 전하 Interface charge Qf, Qit TCD
- 계면 트랩 Interface traps Qit DEVFIL
- 계면 트랩 밀도 Interface trap density Dit DEVPWR
- 계면 포획 전하 Interface trapped charge Qit PRC
- 계면층 interfacial layer IL FIL
- 계면층 재성장 interfacial layer regrowth FIL
- 계측 Metrology YLD
- 계층적 정렬 Coarse-to-fine alignment CIS
- 계통 결함 Systematic defect YLD
- 계통 손실 Systematic loss YLD
- 계통 수율 Systematic yield Y_sys YLD
- 고 다이내믹 레인지 High dynamic range HDR CIS
- 고대역폭 메모리 High Bandwidth Memory HBM SOCMEMIND
- 고대역폭 플래시 High Bandwidth Flash HBF MEM
- 고밀도 플라즈마 CVD High Density Plasma CVD HDP-CVD FIL
- 고변환 이득 / 저변환 이득 High / low conversion gain HCG / LCG CIS
- 고속 푸리에 변환 Fast Fourier transform FFT OPT
- 고수준 주입 high-level injection PWR
- 고순도 불화수소 High-purity hydrogen fluoride HF IND
- 고스트 Ghost image OPT
- 고압 산화 high-pressure oxidation HiPOx FIL
- 고에너지 주입기 High-energy implanter DOP
- 고온 게이트 바이어스 시험 high-temperature gate bias HTGB PWR
- 고온 고습 역바이어스 시험 high-humidity high-temperature reverse bias H3TRB PWR
- 고온 동작 수명 시험 High-Temperature Operating Life HTOL DEVCIS
- 고온 역바이어스 시험 high-temperature reverse bias HTRB PWR
- 고온 주입 Hot implant DOP
- 고온 캐리어 주입 Hot Carrier Injection HCI DIG
- 고온계 pyrometer FIL
- 고용 한계 Solid solubility DOPTCD
- 고유 응력 intrinsic stress FIL
- 고유 이득 Intrinsic gain gm·ro ANA
- 고유 지연 Intrinsic delay tp0 DIG
- 고유전·금속 게이트 High-k / Metal Gate HKMG CMP
- 고유전율 게이트 절연막 High-k dielectric HKMG MEM
- 고유전율·금속 게이트 high-k metal gate HKMG FIL
- 고유진동수 natural frequency f_n INF
- 고임피던스 High impedance Z DIG
- 고장 Failure TST
- 고장 감지·분류 Fault Detection and Classification FDC CMP
- 고장 감지와 분류 fault detection and classification FDC PLS
- 고장 나무 분석 Fault tree analysis FTA FAL
- 고장 모델 Fault model FALMEM
- 고장 시 안전 fail-safe INF
- 고장률 Failure rate (hazard rate) h(t) DEV
- 고전류 주입기 High-current implanter DOP
- 고전자 이동도 트랜지스터 High-electron-mobility transistor HEMT DEVPWR
- 고정 산화막 전하 Fixed oxide charge Qf DEVFIL
- 고정 연마입자 fixed abrasive CMP
- 고정 패턴 노이즈 Fixed pattern noise FPN CIS
- 고정거래가격 Contract price MEM
- 고정비·변동비 Fixed vs variable cost IND
- 고정점 Fixed point DIG
- 고조파 harmonics PLSINF
- 고종횡비 식각 High-aspect-ratio etching HAR ETC
- 고주입 High-level injection DEV
- 고차 보정 High-order correction HOWA / CPE LIT
- 고차 실레인 higher silanes SiₙH₂ₙ₊₂ PLS
- 고착 고장 Stuck-at fault SA0/SA1 DIGFALMEM
- 고착 폴트 Stuck-at fault SAF TST
- 고체 용해도 Solid solubility PRC
- 고체 침지 렌즈 Solid immersion lens SIL FAL
- 고체상 에피 재성장 Solid phase epitaxial regrowth SPER DOP
- 고출력 펄스 마그네트론 스퍼터링 high-power impulse magnetron sputtering HiPIMS PLS
- 고형물 체류 시간 Solids Retention Time SRT INF
- 곡률 Curvature ANA
- 곡선 마스크 Curvilinear mask LIT
- 골짜기 분리 Valley splitting DEV
- 곱셈-누산 Multiply-Accumulate MAC SOC
- 곱의 합 Sum of Products SOP DIG
- 공간 벡터 PWM space vector PWM SVPWM PWR
- 공간 변조 JTE space-modulated JTE PWR
- 공간 분할 ALD spatial ALD FIL
- 공간 시그니처 분석 Spatial signature analysis SSA YLD
- 공간 전하 중화 Space-charge neutralization DOP
- 공간 주파수 Spatial frequency ν OPT
- 공간 주파수 응답 Spatial frequency response SFR CIS
- 공간 지역성 Spatial locality SOCMEM
- 공간 패턴 Spatial pattern / wafer map signature YLD
- 공간 필터 Spatial (Fourier) filter YLD
- 공간 필터링 Spatial filtering OPT
- 공간상 Aerial image LIT
- 공간적 결맞음 Spatial coherence OPT
- 공급인증서 Renewable Energy Certificate REC INF
- 공기 스프링 air spring INF
- 공기분리장치 Air Separation Unit ASU INF
- 공명 전하 교환 resonant charge exchange PLS
- 공선성 Collinearity / confounding YLD
- 공유 메모리 Shared memory (local memory) SOC
- 공유 픽셀 Shared pixel architecture CIS
- 공정 관리 모니터 Process control monitor / wafer acceptance test PCM · WAT YLD
- 공정 냉각수 Process Cooling Water PCW INF
- 공정 노드 Technology node LITIND
- 공정 능력 지수 Process capability Cp/Cpk PRC
- 공정 레시피 Process recipe PRC
- 공정 비용 Cost of Ownership CoO CMP
- 공정 설계 키트 Process design kit PDK IND
- 공정 솔더 접합 Eutectic die attach PKG
- 공정 순서 열 예산 thermal budget allocation FIL
- 공정 윈도 Process window PW LIT
- 공정 이득 계수 Process transconductance parameter µCox ANA
- 공정 인증 Qualification IND
- 공정 제어 Advanced process control APC ETC
- 공정 창 Process window EL × DOF PRCPLSYLD
- 공정 코너 Process corner TT, FF, SS, FS, SF ANA
- 공조 Heating, Ventilation and Air Conditioning HVAC INF
- 공중상 Aerial image PRC
- 공통 게이트 증폭기 Common-gate amplifier CG ANA
- 공통 모드 Common mode CM ANA
- 공통 모드 과도 내성 common-mode transient immunity CMTI PWR
- 공통 모드 입력 범위 Input common-mode range ICMR ANA
- 공통 모드 전류 common-mode current PWR
- 공통 모드 전압 common-mode voltage PWR
- 공통 모드 제거비 Common-mode rejection ratio CMRR ANA
- 공통 모드 피드백 Common-mode feedback CMFB ANA
- 공통 베이스 전류 이득 Common-base current gain α DEV
- 공통 소스 인덕턴스 common-source inductance CSI PWR
- 공통 소스 증폭기 Common-source amplifier CS ANA
- 공통 원인 고장 Common Cause Failure CCF INF
- 공통 이미터 전류 이득 Common-emitter current gain β (h_FE) DEV
- 공통 중심 배치 Common-centroid layout ANA
- 공통성 분석 Commonality analysis YLDFAL
- 공핍 (MOS) Depletion (MOS) DEV
- 공핍 근사 Depletion approximation DEVTCD
- 공핍층 Depletion region W DEVTCDCISPWR
- 공핍층 폭 Depletion width W DEV
- 공핍형 depletion-mode (normally-on) D-mode PWR
- 과구동 전압 Overdrive voltage Vov DIGANA
- 과도 열 임피던스 transient thermal impedance Zth PWR
- 과도 증속 확산 Transient enhanced diffusion TED PRCTCD
- 과도 해석 Transient analysis .tran ANA
- 과도 확산 Transient enhanced diffusion TED DOP
- 과밀 플라즈마 overdense plasma PLS
- 과변조 overmodulation PWR
- 과불화화합물 perfluorocompounds PFC INF
- 과식각 Over-etch OE ETC
- 과요오드산칼륨 potassium periodate KIO₄ CMP
- 과잉 불량 Overkill / yield loss TST
- 과잉 잡음 계수 Excess noise factor γ DEV
- 과전압비 Overvoltage ratio U FAL
- 과초점 거리 Hyperfocal distance OPT
- 과포화도 supersaturation S FIL
- 관리 한계 Control limit UCL · LCL YLD
- 관리도 Control chart YLD
- 관성 지연 Inertial delay DIG
- 관통 shoot-through PWR
- 관통 나사 전위 threading screw dislocation TSD PWR
- 광 가이드 Light guide CIS
- 광 근접 보정 Optical proximity correction OPC PRCLIT
- 광 근접 효과 Optical proximity effect OPE LIT
- 광 생성 Photogeneration G(x) DEV
- 광 트래핑 Light trapping OPT
- 광도 Luminous intensity cd DSP
- 광로 길이 Optical path length OPL OPT
- 광부식 photo-corrosion CMP
- 광산 발생제 Photoacid generator PAG LIT
- 광선 Ray OPT
- 광속 Luminous flux lm CISDSP
- 광원-마스크 최적화 Source-mask optimization SMO LIT
- 광응답 불균일 Photo response non-uniformity PRNU CIS
- 광자 Photon CIS
- 광자 계수 Photon counting (photon-number resolving) CIS
- 광자 계수 검출기 Photon-counting detector PCD CIS
- 광자 뭉침 Photon bunching CIS
- 광자 선속 Photon flux CIS
- 광자 에너지와 파장 Photon energy–wavelength λ = 1240/E DEV
- 광자 예산 Photon budget OPT
- 광자 전달 곡선 Photon transfer curve PTC CIS
- 광자 플럭스 Photon flux Φ OPT
- 광전 레이저 자극 Photoelectric laser stimulation PLS FAL
- 광전 변환 함수 Opto-electronic conversion function OECF CIS
- 광전도 감쇠 Photoconductive decay PCD DEV
- 광추출 효율 Outcoupling efficiency η_out DSP
- 광폭 스윙 미러 Wide-swing cascode mirror ANA
- 광학 그리드 Optical grid OPT
- 광학 보상 필름 Compensation film DSP
- 광학 분해능 Optical resolution YLD
- 광학 어드미턴스 Optical admittance η OPT
- 광학 저역 통과 필터 Optical low-pass filter OLPF OPTCIS
- 광학 전달 함수 Optical transfer function OTF OPT
- 광학 접착 Optical bonding OCA DSP
- 광학 크로스토크 Optical crosstalk OPT
- 광학 투시·비디오 투시 Optical / video see-through OST·VST DSP
- 광학 파워 Optical power Φ OPT
- 광학 포맷 Optical format 1/x″ OPTCIS
- 광학식 손떨림 보정 Optical image stabilization OIS CIS
- 교번 위상 변이 마스크 Alternating PSM alt-PSM LIT
- 교정과 검증 calibration and validation PLS
- 교차 오염 cross-contamination CMPDOP
- 교차 채널 검사 Cross-channel check CIS
- 교착 Deadlock SOC
- 교체 게이트 replacement gate FIL
- 교체 정책 Replacement policy LRU SOC
- 교통 기본도 fundamental diagram of traffic flow INF
- 구 접합 spherical junction PWR
- 구경 지터 Aperture jitter ANA
- 구경 측광 Aperture Photometry CIS
- 구동 세기 Drive strength X1/X2/X4 DIG
- 구동 트랜지스터 Driving TFT DTFT DSP
- 구름 입자 할당 cloud-in-cell weighting CIC PLS
- 구리 돌출 Copper protrusion (pumping) PKG
- 구리 리세스 Cu recess CMPPKG
- 구리 와이어 Copper wire PKG
- 구리 필러 Copper pillar bump PKG
- 구멍 분포 showerhead hole distribution FIL
- 구면 수차 Spherical aberration Cs FALOPT
- 구역 Zone YLD
- 구역 분석 Zonal analysis YLD
- 구조 영역 모델 structure zone model SZM FIL
- 구조 텐서 Structure Tensor CIS
- 구조 함수 structure function PWR
- 구조 해싱 Structural hashing DSN
- 국가전략기술 세액공제 Strategic technology tax credit IND
- 국부 수명 제어 local lifetime control PWR
- 국부 평탄화 local planarization CMP
- 국부 CD 균일도 Local CD uniformity LCDU LIT
- 국소 근사 local field approximation PLS
- 국소 변동 Local (within-die) mismatch WID DIG
- 국소 최소 local minimum FIL
- 국소 평균 에너지 근사 local mean energy approximation LMEA PLS
- 국소장 근사 local field approximation LFA PLS
- 군굴절률 Group index n_g CIS
- 군속도 · 군굴절률 Group velocity / group index v_g, n_g OPT
- 군집 Cluster / Loc YLD
- 군집 계수 Cluster parameter α YLD
- 굴절률 Refractive index n OPTDSP
- 굽힘 길이 bending (elastic) length CMP
- 굽힘 반경 Bending radius R DSP
- 굽힘 변형률 Bending strain ε = y/R DSP
- 굿스–헨셴 이동 Goos–Hänchen shift OPT
- 궤도 운동 제한 이론 orbital motion limited theory OML PLS
- 궤적 trajectory (epitrochoid) CMP
- 귀무가설 Null hypothesis H₀ YLD
- 규칙 기반 OPC Rule-based OPC LIT
- 균일도 Uniformity ETCDSP
- 균질 모델 homogeneous model PLS
- 그래픽 처리 장치 Graphics processing unit GPU IND
- 그래픽 파이프라인 Graphics pipeline SOC
- 그레이 엣지 Gray edge CIS
- 그레이 코드 Gray code SOC
- 그로브 모델 Grove model FIL
- 그루브 groove (concentric, XY, radial, spiral) CMP
- 그룹 홀드 Grouped parameter hold CIS
- 그린우드–윌리엄슨 모델 Greenwood–Williamson model GW CMP
- 그림자 효과 Shadowing PRCLIT
- 그릿 grit size CMP
- 극자외선 Extreme ultraviolet EUV LIT
- 극자외선 노광 Extreme ultraviolet lithography EUV PRCMEMINF
- 극저온 식각 Cryogenic etching ETCPLS
- 극저온 에어로졸 cryogenic aerosol CMP
- 극점 Pole ANA
- 극점 분리 Pole splitting ANA
- 극좌표 Polar coordinates (r, θ) YLD
- 근계면 산화막 트랩 near-interface oxide traps NIT PWR
- 근본 원인 Root cause YLDFAL
- 근안 디스플레이 Near-eye display NED DSP
- 근축 근사 Paraxial approximation OPT
- 글레어 확산 함수 Glare spread function GSF CIS
- 글레이징 glazing CMP
- 글로 방전 glow discharge FIL
- 글로벌 셔터 Global shutter GS CIS
- 글리치 Glitch DIG
- 금속 간 절연막 Inter-Metal Dielectric IMD CMP
- 금속 모드 metal mode FIL
- 금속 산화물 레지스트 Metal-oxide resist MOR LIT
- 금속 스택 Metal stack DSN
- 금속 오염 metallic contamination CMP
- 금속 유도 갭 상태 Metal-induced gap states MIGS DEV
- 금속 이온 귀환 metal ion back-attraction β PLS
- 금속 이온화율 metal ionization fraction FIL
- 금속 전 절연막 Pre-Metal Dielectric PMD CMP
- 금속 피치 Minimum metal pitch MP LIT
- 금속 ECO Metal-only ECO DSN
- 금속간 화합물 Intermetallic compound IMC PKG
- 금속층 스택 Metal stack (BEOL) BEOL DIG
- 금속화 재구성 metallization reconstruction PWR
- 금지 영역 Keep-Out Zone KOZ PKG
- 금지 피치 Forbidden pitch DSNLIT
- 급경사 스위치 Steep-slope device DEV
- 급속 열처리 Rapid thermal annealing RTA PRCFIL
- 기계 율속 mechanically limited regime CMP
- 기계적 단면 Mechanical cross-section FAL
- 기공률 porosity FILCMP
- 기능 커버리지 Functional coverage DSNSOC
- 기능 테스트 Functional test FAL
- 기둥 전하 pillar charge PWR
- 기본파 근사 first harmonic approximation FHA PWR
- 기상 핵생성 homogeneous gas-phase nucleation FIL
- 기상 HF vapor HF VHF CMP
- 기생 광 감도 Parasitic light sensitivity PLS CIS
- 기생 인덕턴스 Parasitic inductance PKG
- 기생 지연 Parasitic delay p DIG
- 기생 BJT parasitic bipolar transistor PWR
- 기술 매핑 Technology mapping DIGDSN
- 기아 Starvation SOC
- 기여도 분석 contribution analysis PLS
- 기울기 오차 Gradient error ANA
- 기울기 온도 slope temperature T_slope PLS
- 기울인 서셉터 tilted susceptor FIL
- 기저 부하 base load INF
- 기저면 전위 basal plane dislocation BPD PWR
- 기준 스퍼 Reference spur ANA
- 기준 포토다이오드 Reference photodiode CIS
- 기준 프레임 Reference frame CIS
- 기체 가열 gas heating T_g PLS
- 기체 고갈 neutral gas depletion PLS
- 기체 방전 gas discharge PLS
- 기체 수밀도 gas number density n_g PLS
- 기체 수송 계수 mass transfer coefficient h_g FIL
- 기체 처리량 throughput (gas) Q FIL
- 기판 바이어스 substrate bias FIL
- 기판 박막화 Substrate thinning FAL
- 기판 전류 Substrate current I_sub DEVTCD
- 기판 PNP Substrate (vertical) PNP ANA
- 깁스 현상 Gibbs phenomenon OPT
- 깊은 공핍 Deep depletion DEV
- 깊은 트렌치 격리 Deep trench isolation DTI CIS
- 깊은 트렌치 소자 분리 Deep trench isolation DTI OPT
- 깊이 분해능 Depth resolution DOP
- 깊이별 흡수 프로파일 Depth-resolved absorption OPT
- 깊이형 필터 depth filter (POU filter) CMP
- 꺼짐 전류 Off-current Ioff TCD
- 꼬리 고갈 tail depletion PLS
- 꼬리 전류 Tail current ISS DEVANAPWR
- 꽃잎 · 레드 닷 플레어 Petal / red-dot flare OPT
- 끝-끝 간격 Tip-to-tip T2T LIT
ㄴ
- 나노시트 Nanosheet NS DEV
- 나노프로빙 Nanoprobing FAL
- 나방눈 구조 Moth-eye structure OPT
- 나비 곡선 Butterfly curve DIG
- 나이퀴스트 선도 Nyquist plot ANA
- 나이퀴스트 주파수 Nyquist frequency fs/2 ANAOPTCISDSP
- 나이프 에지 knife edge CMP
- 나중 쓰기 Write-back SOC
- 내부 게이트 저항 internal gate resistance R_G,int PWR
- 내부 보상 Internal compensation 7T1C DSP
- 내부 스페이서 Inner spacer PRC
- 내부 양자 효율 Internal quantum efficiency IQE DEV
- 내부 전위 Built-in potential Vbi DEVTCD
- 내용 주소 메모리 Content-addressable memory CAM DIG
- 내장 메모리 테스트 Memory built-in self test MBIST FAL
- 내장 자체 테스트 Built-In Self-Test BIST DIGMEM
- 내장 전계 Built-in drift field CIS
- 내장 전위 Built-in potential V_bi CIS
- 냉각 곡선 cooling curve PWR
- 냉각수 온도 상승 coolant temperature rise ΔTf PWR
- 냉각탑 cooling tower INF
- 냉동톤 Refrigeration Ton RT INF
- 널 충돌 기법 null-collision method PLS
- 널 충돌법 null collision method PLS
- 넓은 밴드갭 wide bandgap WBG PWR
- 넓은 밴드갭 반도체 wide bandgap semiconductor WBG PWR
- 넘침 장벽 Overflow barrier V_b CIS
- 네마틱 Nematic phase DSP
- 넷 Net DIG
- 넷리스트 Netlist DIGANA
- 노광 Lithography PRCMEM
- 노광 장비 Lithography scanner IND
- 노광 필드 Exposure field LIT
- 노광 후 베이크 Post-exposure bake PEB LIT
- 노광량 Exposure dose mJ/cm² LIT
- 노광량 여유도 Exposure latitude EL LIT
- 노나셀 Nonacell CIS
- 노듈 nodule CMP
- 노멀리 블랙 Normally black NB DSP
- 노멀리 오프 Normally-off (enhancement mode) DEV
- 노운 굿 다이 Known good die KGD MEM
- 노이만 경계 조건 Neumann boundary condition TCD
- 노이즈 공분산 전파 Noise covariance propagation CIS
- 노이즈 마진 Noise margin NM DIG
- 노이즈 예산 Noise budget CIS
- 노이즈 저감 Noise reduction NR CIS
- 노이즈 파워 스펙트럼 Noise power spectrum NPS CIS
- 노점 dew point INF
- 노출 융합 Exposure Fusion CIS
- 노출값 Exposure value EV CIS
- 노치 Notch PRCYLD
- 노칭 Notching ETC
- 녹색 갭 Green gap DSP
- 논리 합성 Logic synthesis DIGDSNSOC
- 논리적 노력 Logical effort g DIGDSNSOC
- 논블로킹 대입 Nonblocking assignment <= DIG
- 농축 로터 zeolite rotor concentrator INF
- 농축 배수 Cycles of Concentration CoC INF
- 누락 코드 Missing code ANA
- 누설 전력 Leakage power DIGDSN
- 누설 전류 Leakage current Ioff DEVMEM
- 누적 수율 Cumulative (rolled) yield YLDPKGTST
- 눈사태 효과 Avalanche effect SOC
- 뉴슨스 Nuisance YLD
- 뉴턴 결상식 Newtonian lens equation OPT
- 뉴턴 링 Newton's rings OPT
- 뉴턴 방법 Newton's method TCD
- 뉴턴법 (결합 해법) Newton (coupled) method DEV
- 능동 게이트 구동 active gate driving AGD PWR
- 능동 부하 Active load ANA
- 능동 제진대 active vibration isolation INF
- 능동 클램프 플라이백 active-clamp flyback ACF PWR
- 능선점 Ridge point SOC
- 니트 Nit nit DSP
ㄷ
- 다구역 히터 multi-zone heater FIL
- 다극 커스프 가둠 multipole cusp confinement PLS
- 다다 트리 Dadda tree DIG
- 다단 JTE multi-zone JTE PWR
- 다마신 Damascene PRCLITETCCMP
- 다변량 이상치 Multivariate outlier TST
- 다색 PSF Polychromatic PSF OPT
- 다운빈 Down-binning TST
- 다운스트림 플라스마 Downstream / remote plasma ETC
- 다음 상태 논리 Next-state logic DIG
- 다이 Die SOCIND
- 다이 강도 Die strength PKG
- 다이 내 불균일 Within-Die Non-Uniformity WIDNU CMP
- 다이 대 다이 비교 Die-to-die comparison D2D YLD
- 다이 수율 Die yield DSN
- 다이 시프트 Die shift PKG
- 다이 어태치 Die attach (die bonding) D/A PKG
- 다이 좌표 Die coordinates YLD
- 다이 크기 Die size IND
- 다이내믹 레인지 Dynamic range DR CIS
- 다이당 웨이퍼 수 dies per wafer DPW PWR
- 다이당 평균 결함 수 Average faults per die λ = A·D₀ YLD
- 다이싱 Dicing PKG
- 다이아몬드 구조 Diamond structure DEV
- 다이아몬드 디스크 diamond disk (conditioner) CMP
- 다이아몬드 탈락 diamond pull-out CMP
- 다이아몬드 픽셀 Diamond pixel DSP
- 다이오드 연결 Diode-connected transistor ANA
- 다중 경로 간섭 Multipath Interference MPI CIS
- 다중 구역 멤브레인 헤드 multi-zone membrane head CMP
- 다중 구역 코일 multi-zone coil PLS
- 다중 레벨 신호 Multi-level signaling PAM4 DIG
- 다중 문턱 전압 Multi-threshold voltage Multi-Vt DIG
- 다중 문턱 전압 셀 Multi-Vt cells SOC
- 다중 미결 트랜잭션 Multiple outstanding transactions SOC
- 다중 반사 고스트 예산 Ghost budget OPT
- 다중 비교 Multiple comparisons YLD
- 다중 양자 우물 Multiple quantum wells MQW DSP
- 다중 에피 multi-epitaxy PWR
- 다중 온도 테스트 Multi-temperature test TST
- 다중 핑거 레이아웃 Multi-finger layout DEV
- 다층막 거울 Multilayer mirror LIT
- 다층막 결함 Multilayer defect YLD
- 다크 실리콘 Dark silicon SOC
- 단 노력 Stage effort f DIG
- 단극 소자 unipolar device PWR
- 단극 한계 Unipolar limit (silicon limit) DEVPWR
- 단락 · 단선 · 누설 Short / open / leakage FAL
- 단락 내량 short-circuit withstand time t_sc PWR
- 단락 전력 Short-circuit power DIG
- 단락 전류 Short-circuit current Isc (Jsc) DEVDIGSOC
- 단락 전류 이득 Short-circuit current gain h21 DEV
- 단락 Type I hard-switching fault PWR
- 단락 Type II fault under load PWR
- 단면 대역폭 Bisection bandwidth SOC
- 단방향 기류 unidirectional airflow INF
- 단분자층 형성 시간 monolayer formation time FIL
- 단색광기 Monochromator CIS
- 단선 Open YLD
- 단시간 노출 한계 Short-Term Exposure Limit STEL INF
- 단위 셀 Unit cell DEV
- 단위 소자 Unit device ANA
- 단위 이득 주파수 Unity-gain frequency fu ANA
- 단위 이득점 Unity-gain points VIL, VIH DIG
- 단일 고장점 Single Point of Failure SPOF INF
- 단일 광자 애벌런치 다이오드 Single-photon avalanche diode SPAD CIS
- 단일 기울기 ADC Single-slope ADC SS-ADC CIS
- 단일 사건 소손 single-event burnout SEB PWR
- 단일 슬릿 회절 Single-slit diffraction OPT
- 단일점 고장 지표 Single-point fault metric SPFM CIS
- 단일항·삼중항 Singlet / triplet S₁·T₁ DSP
- 단조 감소 함수 Negative unate function DIG
- 단조성 Monotonicity DIG
- 단차 Step Height SH CMP
- 단차 피복 Step coverage PRC
- 단차 피복성 Step coverage MEM
- 단채널 효과 Short-channel effect SCE DEVANA
- 단측 접합 One-sided junction p⁺n / n⁺p DEV
- 단파 적외선 Short-wave infrared SWIR CIS
- 단파장 통과 엣지 필터 Short-Pass Edge Filter CIS
- 담쾰러 수 Damköhler number Da FIL
- 대기 시간 queue time Q-time CMP
- 대기압 플라즈마 atmospheric-pressure plasma APP PLS
- 대기의 창 Atmospheric window CIS
- 대류 열전달 계수 convective heat transfer coefficient h PWR
- 대비 감도 함수 Contrast sensitivity function CSF CISDSP
- 대비 검출 확률 Contrast detection probability CDP CIS
- 대비 곡선 Contrast curve γ PRC
- 대상 로우 리프레시 Target row refresh TRR MEM
- 대수 제어 staging INF
- 대역 통과 필터 Bandpass filter OPT
- 대역폭 Bandwidth BW MEM
- 대역폭 대 용량 비 Bandwidth-to-capacity ratio MEM
- 대전 Charging YLDFAL
- 대전 소자 모델 Charged device model CDM FAL
- 대전 손상 plasma-induced charging damage PID PLS
- 대전 완화 charging relief PLS
- 대체 금속 게이트 Replacement Metal Gate RMG CMP
- 더미 범프 Dummy (thermal) bump PKG
- 더미 소자 Dummy device ANA
- 더미 웨이퍼 dummy wafer FIL
- 더미 트렌치 dummy trench PWR
- 더미 필 Dummy fill DSNPRCCMP
- 더블 데이터 레이트 Double data rate DDR MEM
- 덮임률 Surface coverage θ ETC
- 데너드 스케일링 Dennard scaling DEV
- 데드 존 Dead zone ANA
- 데드 타임 Dead time τd CISPWR
- 데드 타임 손실 dead-time loss PWR
- 데드 타임 전압 오차 dead-time voltage error PWR
- 데드레그 dead leg INF
- 데드리브스 차트 Dead leaves chart CIS
- 데바이 길이 Debye length λD ETCPLS
- 데바이 차폐 Debye shielding PLS
- 데시메이션 필터 Decimation filter ANA
- 데시벨 Decibel dB ANA
- 데이터 라인 Data (source) line DSP
- 데이터 스트로브 Data strobe DQS MEM
- 데이터 식별자 Data identifier DI CIS
- 데이터 큐브 Hyperspectral data cube CIS
- 데이터 흐름 그래프 Dataflow graph SOC
- 데이터센터 Data center IND
- 데이터율 Data rate CIS
- 데이터패스 Datapath SOC
- 덱 Deck (tier) ETC
- 도광판 Light guide plate LGP DSP
- 도금 범프·딥 plating bump / dip CMP
- 도너 Donor Nd DEV
- 도넛 Donut YLD
- 도미노 논리 Domino logic DIG
- 도즈 Dose Φ PRCDOPCIS
- 도즈 창 dose window PWR
- 도착 시각 Arrival time DIG
- 도파 모드 Guided mode CIS
- 도파 모드 공진 Guided-mode resonance GMR CIS
- 도파관 Waveguide combiner DSP
- 도펀트 Dopant DOP
- 도핑 Doping DOP
- 도핑 의존 이동도 Doping-dependent mobility TCD
- 독성 가스 toxic gas INF
- 돌기 asperity CMP
- 돌출 높이 diamond protrusion height CMP
- 돔·보울 분포 dome / bowl profile FIL
- 동결 Freeze-out DEV
- 동공 Pupil LIT
- 동공 간 거리 Interpupillary distance IPD DSP
- 동공 수차 Pupil aberration OPT
- 동공 함수 Pupil function P OPTCIS
- 동기 설계 Synchronous design DIG
- 동기 정류 synchronous rectification PWR
- 동기 카운터 Synchronous counter DIG
- 동기 펄스 synchronous pulsing PLS
- 동기식 설계 Synchronous design DIG
- 동기화기 Synchronizer DIGSOC
- 동시 도착 손실 Coincidence Loss CIS
- 동시 스위칭 잡음 Simultaneous Switching Noise SSN PKG
- 동역학 몬테카를로 kinetic Monte Carlo KMC FIL
- 동작점 Operating point (bias point) Q ANA
- 동작점 해석 DC operating-point analysis .op ANA
- 동적 공간 전하 dynamic space charge PWR
- 동적 기계 분석 Dynamic Mechanical Analysis DMA CMP
- 동적 논리 Dynamic logic DIG
- 동적 범위 Dynamic range stop DSP
- 동적 애벌런치 dynamic avalanche PWR
- 동적 온저항 dynamic on-resistance dynamic R_on PWR
- 동적 전력 Dynamic power P = αCV²f DEVDIGDSNSOC
- 동적 전압 보상기 Dynamic Voltage Restorer DVR INF
- 동적 전압·주파수 조절 Dynamic voltage and frequency scaling DVFS DIGSOC
- 동적 회복 Dynamic annealing DOP
- 동점성 계수 kinematic viscosity ν FIL
- 동치 상태 Equivalent states DIG
- 동형 온도 homologous temperature T/Tm FIL
- 두 봉우리 IEDF bimodal IEDF PLS
- 두 온도 분포 bi-Maxwellian distribution PLS
- 두께 균일도 thickness uniformity FIL
- 두께 편차 Total thickness variation TTV CIS
- 둔각 삼각형 문제 Obtuse-triangle problem TCD
- 둘러싸기 규칙 Enclosure rule DSN
- 뒷면 보상막 backside compensation film FIL
- 뒷면 헬륨 냉각 Backside helium cooling YLD
- 듀얼 다마신 Dual damascene PRCCMPFAL
- 듀얼 픽셀 Dual pixel (2PD) 2PD OPTCIS
- 듀티 duty cycle D PLSCISPWR
- 듀티비 duty ratio D PWR
- 드라이버 Driver TST
- 드래그아웃 drag-out CMP
- 드레인 유도 장벽 감소 Drain-induced barrier lowering DIBL MEM
- 드레인 유도 장벽 낮춤 Drain-induced barrier lowering DIBL TCD
- 드레인 유도 장벽 저하 Drain-induced barrier lowering DIBL DEVDIG
- 드롭아웃 전압 Dropout voltage VDO ANA
- 드루이베스테인 법 Druyvesteyn method PLS
- 드루이베스테인 분포 Druyvesteyn distribution PLS
- 드루이베스테인법 Druyvesteyn method PLS
- 드리프트 Drift DEV
- 드리프트 저항 drift resistance Rdrift PWR
- 드리프트-확산 모델 Drift-diffusion model DD TCD
- 드리프트–확산 모형 Drift–diffusion model DD DEV
- 드리프트–확산 전류식 Drift–diffusion current equation DEV
- 드리프트층 Drift region DEVPWR
- 드모르간 정리 De Morgan's theorem DIG
- 들로네 삼각 분할 Delaunay triangulation TCD
- 들어온 두께 incoming thickness CMP
- 등가 산화막 두께 Equivalent oxide thickness EOT DEVPRCFILTCDMEM
- 등가 저항 Equivalent resistance Req DIG
- 등가 종횡비 equivalent aspect ratio FIL
- 등가성 검사 Equivalence checking LEC DIGDSN
- 등각 도핑 Conformal doping DOP
- 등각 증착 Conformal deposition TCD
- 등방-조밀 바이어스 Iso-dense bias DSN
- 등방성 Isotropic ETC
- 등방성 / 이방성 Isotropic / anisotropic PRC
- 등색 함수 Color matching functions x̄ȳz̄ DSP
- 등에너지면 (Si 골짜기) Constant-energy surface (valley) DEV
- 등전위 본딩 equipotential bonding INF
- 등전점 IsoElectric Point IEP CMP
- 디더 Dither ANA
- 디더링 Dithering DSP
- 디렉터리 Directory SOC
- 디리클레 경계 조건 Dirichlet boundary condition TCD
- 디머라 Demura DSP
- 디먹스 Demultiplexer DEMUX DSP
- 디모자이크 Demosaicing SOC
- 디모자이킹 Demosaicing CIS
- 디밍 존 Dimming zone DSP
- 디바이 길이 Debye length L_D DEVCMPTCD
- 디봇 divot CMP
- 디스크리트 패키지 discrete package PWR
- 디스패칭 규칙 dispatching rule INF
- 디스플레이 구동 IC Display driver IC DDIC DSP
- 디싱 Dishing PRCCMPCIS
- 디웨팅 dewetting FIL
- 디임베딩 De-embedding DEV
- 디자인 윈 Design win IND
- 디자인 하우스 Design house IND
- 디지털 서명 Digital signature SOC
- 디지털 신호 Digital signal DIG
- 디지털 신호 처리기 Digital Signal Processor DSP SOC
- 디지털 아이솔레이터 digital isolator PWR
- 디지털 트윈 digital twin CMPINF
- 디캡 Decapsulation decap FALPKG
- 디캡 셀 Decoupling capacitor cell decap DSN
- 디커플링 커패시터 Decoupling capacitor Decap SOCPKG
- 디컨볼루션 Deconvolution CIS
- 디클로로실레인 dichlorosilane DCS FIL
- 디포커스 Defocus LITOPT
- 디프로세싱 Deprocessing / delayering FAL
- 딜 삼각형 Deal triangle FIL
- 딜-그로브 모델 Deal-Grove model FILTCD
- 딥 디플리션 CCD Deep-depletion CCD CIS
- 딥 서브전자 읽기 노이즈 Deep sub-electron read noise DSERN CIS
ㄹ
- 라그랑주 불변량 Lagrange invariant H OPT
- 라디칼 Radical ETC
- 라머 반지름 Larmor radius r_L FIL
- 라멜라 Lamella FAL
- 라모어 반지름 Larmor radius r_L PLS
- 라미네이트 버스바 laminated busbar PWR
- 라이너 liner (Ti/TiN) CMPPKG
- 라이선스·로열티 License & royalty IND
- 라이트백 Write-back MEM
- 라이트스루 Write-through MEM
- 라이트의 법칙 Wright's law MEM
- 라인 레귤레이션 Line regulation ANA
- 라인 버퍼 Line buffer SOCCIS
- 라인 수율 Line yield YLD
- 라인 코딩 Line coding SOC
- 라인 타임 Line time 1H CISDSP
- 라플라스 압력 Laplace pressure CMP
- 라플라시안 피라미드 Laplacian Pyramid CIS
- 락 Lock ANA
- 락인 열화상 Lock-in thermography LIT FAL
- 란다우–레비치 막 Landau–Levich film CMP
- 람베르트 발광면 Lambertian emitter DSP
- 람베르트 한계 Lambertian (Yablonovitch) limit 4n² CIS
- 래디컬 radical FILPLS
- 래디컬 재결합 surface recombination of radicals FIL
- 래디컬 플럭스 radical flux Γ_n PLS
- 래디컬/이온 플럭스 비 neutral-to-ion flux ratio Γ_n/Γ_i PLS
- 래스터화 Rasterization SOC
- 래치 Regenerative latch ANA
- 래치 추론 Latch inference DIGDSN
- 래치업 Latch-up DEVFALPWR
- 래치업 시험 Latch-up test (JESD78) JESD78 DEV
- 래칭 전류 latching current I_L PWR
- 랜덤 하드웨어 고장 확률 지표 Probabilistic metric for random hardware failures PMHF CIS
- 램사우어 최소 Ramsauer–Townsend minimum PLS
- 램프 등가 시간 ramp equivalent time FIL
- 램프업 ramp-up INF
- 랭뮤어 Langmuir L FIL
- 랭뮤어 탐침 Langmuir probe PLS
- 랭뮤어 흡착 Langmuir adsorption FIL
- 랭뮤어-힌셜우드 모델 Langmuir–Hinshelwood model LH FIL
- 런투런 제어 run-to-run control R2R FILPLSCMP
- 레벨 셋 방법 Level set method TCD
- 레벨링 Leveling LIT
- 레시피 recipe FILPLS
- 레이놀즈 방정식 Reynolds equation CMP
- 레이스 투 아이들 Race-to-idle SOC
- 레이스트랙 racetrack FILPLS
- 레이어 연산 Layer Boolean operation DSN
- 레이저 간섭계 Laser interferometry ETC
- 레이저 곡률 측정 laser curvature measurement FIL
- 레이저 그루빙 Laser grooving PKG
- 레이저 리페어 Laser repair DSP
- 레이저 리프트오프 Laser lift-off LLO DSP
- 레이저 마킹 Laser marking PKG
- 레이저 문턱 Lasing threshold I_th DEV
- 레이저 생성 플라스마 Laser-produced plasma LPP LIT
- 레이저 세정 laser cleaning CMP
- 레이저 어닐 laser anneal LSA FILDOP
- 레이저 전압 프로빙 Laser voltage probing LVP FAL
- 레이저 주사 현미경 Laser scanning microscope LSM FAL
- 레이저 침습성 Laser invasiveness FAL
- 레인 Lane CIS
- 레인지 range INF
- 레인플로 계수 rainflow counting PWR
- 레일 클램프 Rail clamp (power clamp) DEV
- 레일-투-레일 Rail-to-rail ANA
- 레일리 기준 Rayleigh criterion OPT
- 레일리 길이 Rayleigh range z_R OPT
- 레일리 산란 Rayleigh scattering CMPYLDCIS
- 레일리 식 Rayleigh criterion PRCLITMEM
- 레일리–플레셋 방정식 Rayleigh–Plesset equation CMP
- 레지스터 별칭 표 Register Alias Table RAT SOC
- 레지스터 이름 바꾸기 Register renaming SOC
- 레지스터 전송 수준 Register-Transfer Level RTL DIGSOC
- 레지스터드 DIMM Registered DIMM RDIMM MEM
- 레지스트 대비 Resist contrast γ LIT
- 레진 블리드 Resin bleed-out PKG
- 레티클 Reticle DSNYLD
- 레티클 스테이지 Reticle stage LIT
- 레티클 한계 Reticle limit PKGIND
- 렌즈 셰이딩 보정 Lens shading correction LSC CIS
- 렌즈 쉐이딩 Lens shading OPT
- 렌즈 쉐이딩 보정 Lens shading correction LSC OPT
- 렌즈 제작자 공식 Lensmaker's equation OPT
- 렌즈–센서 공동 설계 Lens–sensor co-design OPT
- 렌즈의 푸리에 변환 성질 Fourier-transforming property of a lens OPT
- 렌트의 법칙 Rent's rule PKG
- 로그 시프터 Logarithmic shifter DIG
- 로그 픽셀 Logarithmic pixel CIS
- 로드 레귤레이션 Load regulation ANA
- 로드락 load lock FIL
- 로드보드 Load board / DUT board TST
- 로드포트 load port INF
- 로딩 Loading effect ETC
- 로딩 효과 loading effect FIL
- 로렌츠-로렌츠 식 Lorentz-Lorenz equation FIL
- 로우 미스 Row miss MEM
- 로우 버퍼 Row buffer MEM
- 로우 충돌 Row conflict MEM
- 로우 해머 RowHammer MEM
- 로우 히트 Row hit MEM
- 로우별 활성화 카운팅 Per-row activation counting PRAC MEM
- 로직 반도체 Logic IND
- 로직 BIST Logic BIST LBIST TST
- 로컬 디밍 Local dimming DSP
- 로컬 톤 매핑 Local tone mapping CIS
- 로타고니 Rotagoni drying CMP
- 로트 Lot YLD
- 로트 이력 Lot history YLD
- 론치 온 시프트 Launch-on-shift LOS TST
- 론치 온 캡처 Launch-on-capture LOC TST
- 롤러블·슬라이더블 Rollable / slidable display DSP
- 롤링 셔터 Rolling shutter RS CIS
- 롤백 방지 카운터 Anti-rollback counter SOC
- 롬바르디 모델 Lombardi (CVT) model TCD
- 롱스로 스퍼터링 long-throw sputtering FIL
- 루오–돈펠드 모델 Luo–Dornfeld model CMP
- 루카스–카나데 방법 Lucas–Kanade Method LK CIS
- 루터–아이브스 조건 Luther–Ives condition CIS
- 루테늄 ruthenium (Ru) Ru CMP
- 루프 Wire loop PKG
- 루프 대역폭 Loop bandwidth SOC
- 루프 이득 Loop gain T = Aβ ANACIS
- 루프 필터 Loop filter ANA
- 루프라인 모델 Roofline model SOCMEM
- 루프백 Loopback TST
- 룩업 테이블 Look-up table LUT DIG
- 리간드 교환 ligand exchange FIL
- 리던던시 Redundancy MEM
- 리드 리트라이 Read retry MEM
- 리드프레임 Leadframe L/F PKG
- 리모자이크 Remosaic CIS
- 리본 빔 Ribbon beam DOP
- 리뷰 샘플링 Review sampling YLD
- 리뷰 SEM defect review SEM DR-SEM CMPYLD
- 리세스 게이트 recessed gate PWR
- 리쇼어링·프렌드쇼어링 Reshoring / friend-shoring IND
- 리스핀 Re-spin SOC
- 리의 인수분해 규칙 Li's factorization rules OPT
- 리처드슨 상수 Richardson constant A* DEVPWR
- 리처드슨–루시 반복 Richardson–Lucy Deconvolution RL CIS
- 리타이밍 Retiming DIG
- 리테이너 링 retaining ring CMP
- 리테이닝 링 Retaining ring YLD
- 리텐션 Data retention MEM
- 리틀의 법칙 Little's law INF
- 리프레시 Refresh REF SOCMEM
- 리프트 핀 Lift pin YLD
- 리프트아웃 Lift-out FAL
- 리프트오프 lift-off (sensor gap) CMP
- 리플 카운터 Ripple counter DIG
- 리플 캐리 덧셈기 Ripple-carry adder RCA DIG
- 리플로 reflow (PSG/BPSG) CMPPKG
- 리플로우 Thermal reflow OPT
- 리피터 Repeater DIGDSN
- 립프로그 적분 leapfrog integration PLS
- 릿지 포인트 Ridge point MEM
- 링 발진기 Ring oscillator ANA
- 링 오실레이터 Ring oscillator RO DIG
- 링 펀치스루 ring punch-through PWR
- 링잉 Ringing CISPWR
- 링크 대역폭 Link bandwidth Gbps DSP
ㅁ
- 마그네트론 magnetron FILPLS
- 마랑고니 건조 Marangoni drying CMP
- 마모 계수 wear coefficient K CMP
- 마수드 모델 Massoud model FIL
- 마스크 Mask ETC
- 마스크 (레티클) Photomask / reticle LIT
- 마스크 3D 효과 Mask 3D effect M3D LIT
- 마스크 검사와 수리 Mask inspection and repair LIT
- 마스크 데이터 준비 Mask Data Preparation MDP DSN
- 마스크 블랭크 Mask blank LIT
- 마스크 세트 Mask set IND
- 마스크 수 Mask count DSP
- 마스크 오차 증폭 인자 Mask error enhancement factor MEEF LIT
- 마스터-슬레이브 플립플롭 Master-slave flip-flop DIG
- 마이너 법칙 Miner's rule PWR
- 마이컬슨 간섭계 Michelson interferometer OPT
- 마이크로 범프 Microbump µbump PKG
- 마이크로 스크래치 micro-scratch CMP
- 마이크로렌즈 Microlens ML / OCL CIS
- 마이크로렌즈 시프트 Microlens shift CIS
- 마이크로범프 micro-bump µbump CMPMEM
- 마이크로볼로미터 Microbolometer CIS
- 마이크로캐비티 Microcavity DSP
- 마이크로컨트롤러 Microcontroller unit MCU IND
- 마이크로트렌치 Microtrench ETC
- 마이크로파 간섭계 microwave interferometer PLS
- 마이크로파이프 micropipe MP PWR
- 마이크로LED Micro-LED µLED DSP
- 마이크로OLED Micro-OLED (OLEDoS) OLEDoS DSP
- 마진 불량 Marginal (soft) failure FAL
- 마차 바퀴 효과 Wagon-wheel (stroboscopic) effect CIS
- 마찰 계수 Coefficient Of Friction COF, μ CMP
- 마찰 발열 frictional heating q CMP
- 마찰 일률 모델 frictional power model CMP
- 마치 테스트 March test MEM
- 마티센 규칙 Matthiessen's rule DEVTCD
- 막 생물 반응조 Membrane Bioreactor MBR INF
- 막 탈기기 membrane degasifier MDG INF
- 막질 film quality FIL
- 말뤼스 법칙 Malus's law OPT
- 망막 해상도 Retina resolution DSP
- 망원형 · 레트로포커스 Telephoto / retrofocus OPT
- 맞물림 배치 Interdigitation ANA
- 맞춤 파형 tailored waveform PLS
- 맞춤형 칩 Application-specific integrated circuit ASIC IND
- 매립 채널 어레이 트랜지스터 Buried channel array transistor BCAT MEM
- 매스 리플로 Mass reflow MR PKG
- 매스 트랜스퍼 Mass transfer DSP
- 매엽 스핀 세정기 single-wafer spin processor CMP
- 매질 속 파장 Wavelength in medium λ/n OPT
- 매출총이익률 Gross margin IND
- 매크로 검사 Macro inspection YLD
- 맥스웰 방정식 Maxwell's equations OPT
- 맥스웰 분포 Maxwellian distribution f_M PLS
- 맥스웰-볼츠만 분포 Maxwell-Boltzmann distribution FIL
- 맥스웰화 Maxwellization PLS
- 맨드릴 Mandrel LIT
- 머리 막힘 Head-of-line blocking HOL SOC
- 머피 모델 Murphy yield model YLD
- 머피 수율 모델 Murphy yield model PWR
- 먼지 플라즈마 dusty plasma PLS
- 멀티 데크 Multi-deck stacking MEM
- 멀티 사이트 Multi-site testing TST
- 멀티 사이트 테스트 Multi-site test YLD
- 멀티 사이트 효율 Multi-site efficiency MSE TST
- 멀티 패터닝 Multiple patterning MP LITMEMIND
- 멀티 Vt Multi-threshold voltage LVT/SVT/HVT DSN
- 멀티빔 검사 Multi-beam inspection YLD
- 멀티빔 마스크 묘화기 Multi-beam mask writer MBMW LIT
- 멀티빔 묘화기 Multi-beam mask writer MBMW DSN
- 멀티프레임 초해상도 Multi-frame super-resolution MFSR CIS
- 멀티플렉스드 랭크 DIMM Multiplexed rank DIMM MRDIMM MEM
- 메가소닉 megasonic cleaning CMP
- 메가팹 Megafab / Gigafab IND
- 메모리 계층 Memory hierarchy SOCMEM
- 메모리 노드 Memory (storage) node MN CIS
- 메모리 리페어 Memory repair TST
- 메모리 맵 I/O Memory-mapped I/O MMIO SOC
- 메모리 바운드 Memory-bound MEM
- 메모리 반도체 Memory semiconductor IND
- 메모리 병합 Memory coalescing SOC
- 메모리 사이클 Memory cycle MEM
- 메모리 수준 병렬성 Memory-level parallelism MLP SOC
- 메모리 월 Memory wall MEM
- 메모리 일관성 모델 Memory consistency model SOC
- 메모리 컨트롤러 Memory controller MC SOC
- 메이슨 단방향 이득 Mason's unilateral gain U DEV
- 메타머 블랙 Metameric black CIS
- 메타메리즘 Metamerism DSP
- 메타안정 Metastability DIG
- 메타안정성 Metastability DIGDSNANA
- 메타표면 Metasurface CIS
- 메타표면 컬러 라우터 Metasurface color router OPT
- 메탈 메시 Metal mesh electrode DSP
- 멤리스터 Memristor MEM
- 면 주입 균일 해 uniform-injection solution FIL
- 면방위 효과 orientation dependence FIL
- 면저항 Sheet resistance Rs DEVDIGFILDOPCISPWR
- 면적 곱 area product A_p PWR
- 면적 법칙 area law PLS
- 면적 스케일링 Area scaling DEV
- 면적비 법칙 area ratio law PLS
- 면취 Panel layout on glass MMG DSP
- 명령어 수준 병렬성 Instruction-level parallelism ILP SOC
- 명령어 집합 구조 Instruction Set Architecture ISA SOCIND
- 명순응·암순응 Light / dark adaptation DSP
- 명시야 · 암시야 Bright field / dark field BF · DF FAL
- 명시야 검사 Bright-field inspection BF YLD
- 명시야·암시야 검사 brightfield / darkfield inspection BF/DF CMP
- 명암비 Contrast ratio CR DSP
- 모놀리식 집적 monolithic integration PWR
- 모니터 웨이퍼 monitor wafer FIL
- 모델 기반 OPC Model-based OPC MBOPC DSNLIT
- 모델 위계 model hierarchy PLS
- 모듈 공정 Module assembly DSP
- 모듈형 멀티레벨 컨버터 modular multilevel converter MMC PWR
- 모서리 둥글어짐 Corner rounding LIT
- 모서리 얇아짐 corner oxide thinning FIL
- 모세관력 capillary force CMP
- 모션 미터링 Motion metering CIS
- 모션 블러 Motion blur DSP
- 모션–포톤 지연 Motion-to-photon latency MTP DSP
- 모스아이 구조 Moth-eye structure DSP
- 모스펫 Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor MOSFET MEM
- 모아레 Moiré OPTDSP
- 모아레 · 위색 Moiré / false color CIS
- 모터 전류 종점 motor current (torque) endpoint CMP
- 목표 임피던스 Target impedance Z_target PKG
- 몬테카를로 Monte Carlo (binary collision) MC DOP
- 몬테카를로 궤적 모델 ballistic Monte Carlo FIL
- 몬테카를로 수송 Monte Carlo transport MC TCD
- 몬테카를로 시뮬레이션 Monte Carlo simulation MC DIG
- 몬테카를로 일정 분석 Monte Carlo schedule risk analysis INF
- 몬테카를로 충돌 Monte Carlo collision MCC PLS
- 몬테카를로 해석 Monte Carlo analysis MC ANA
- 몰드 언더필 Molded underfill MUF PKG
- 몰리브덴 molybdenum (Mo) Mo CMP
- 몸체 효과 Body effect γ DIG
- 무관 조건 Don't care X DIG
- 무라 Mura DSP
- 무릎 전압 knee voltage V_0 PWR
- 무방류 Zero Liquid Discharge ZLD INF
- 무부하 Q unloaded Q Q_u PLS
- 무어 기계 Moore machine DIG
- 무어의 법칙 Moore's law DEVSOCIND
- 무열화 설계 Athermalization CIS
- 무작위 결함 손실 Random defect loss YLD
- 무작위 도펀트 변동 Random dopant fluctuation RDF TCD
- 무작위 도펀트 요동 Random dopant fluctuation RDF DOP
- 무작위 수율 Random yield Y_rand YLD
- 무작위 순차 흡착 random sequential adsorption RSA FIL
- 무전해 치환 석출 electroless displacement deposition CMP
- 무정전 전원 장치 Uninterruptible Power Supply UPS INF
- 무차원화 Scaling (normalization) TCD
- 무충돌 가열 stochastic (collisionless) heating ν_stoc PLS
- 무충돌 시스 collisionless sheath PLS
- 무충돌 표피 collisionless (inertial) skin depth c/ω_pe PLS
- 무패턴 웨이퍼 검사 Unpatterned wafer inspection YLD
- 무편광판 구조 Polarizer-less (CoE) POL-less DSP
- 무해 결함 Non-killer defect YLD
- 문자열 모델 string model FIL
- 문턱 근처 컴퓨팅 Near-threshold computing NTC SOC
- 문턱 민감도 threshold sensitivity d ln K/d ln Tₑ PLS
- 문턱 손실 Threshold drop Vt drop DIG
- 문턱 아래 기울기 Subthreshold swing S SOCTCD
- 문턱 아래 누설 Subthreshold leakage SOC
- 문턱 압력 threshold pressure P_th CMP
- 문턱 에너지 threshold energy E_th ETCFILPLS
- 문턱 이온화 질량 분석 threshold ionization mass spectrometry TIMS PLS
- 문턱 이하 기울기 Subthreshold swing SS DEV
- 문턱 이하 전류 Subthreshold current DEV
- 문턱 전압 Threshold voltage Vt DEVDIGSOCANAPRCTCDMEM
- 문턱값 Threshold YLD
- 문턱전압 Threshold voltage V_th DSP
- 문턱전압 보상 Threshold voltage compensation DSP
- 물 수지 water balance INF
- 물 스트레스 baseline water stress INF
- 물리 기상 증착 Physical vapor deposition PVD PRCFIL
- 물리 스퍼터링 Physical sputtering ETC
- 물리 흡착 physisorption FIL
- 물리적 불량 분석 Physical failure analysis PFA FAL
- 물반점 watermark CMP
- 물질의 네 번째 상태 fourth state of matter PLS
- 뮐러 행렬 Mueller matrix OPT
- 미개구 콘택 Unopened (missing) contact YLD
- 미광 Stray light OPT
- 미니인바이런먼트 mini-environment INF
- 미니LED Mini-LED DSP
- 미러 가산기 Mirror adder DIG
- 미러 비 Mirror ratio ANA
- 미리 깔기·단계 증설 build ahead / staged INF
- 미리 디코딩 Predecoding DIG
- 미세 구 hollow polymeric microsphere CMP
- 미세상 분리 microphase separation CMP
- 미션 프로파일 mission profile PWR
- 미스율 Miss rate MEM
- 미시 로딩 micro-loading FIL
- 민감도 분석 Sensitivity analysis TCDTST
- 밀도 규칙 Density rule DSNCMP
- 밀도 기울기 모델 Density-gradient model DG TCD
- 밀도 반전 Population inversion DEV
- 밀도 축척 density scaling PLS
- 밀러 결합 계수 Miller coupling factor MCF DIG
- 밀러 보상 Miller compensation ANA
- 밀러 식 Miller formula PWR
- 밀러 유도 턴온 Miller-induced turn-on PWR
- 밀러 전하 Miller charge Q_gd PWR
- 밀러 지수 Miller indices (hkl) DEV
- 밀러 클램프 active Miller clamp PWR
- 밀러 평탄부 Miller plateau V_gp DEV
- 밀러 플래토 Miller plateau V_pl PWR
- 밀러 효과 Miller effect DIGANA
- 밀리 기계 Mealy machine DIG
- α 모드 alpha mode PLS
- γ 모드 gamma mode PLS
ㅂ
- 바닥 피복 bottom coverage BC FIL
- 바닥판 샘플링 Bottom-plate sampling ANA
- 바디 계수 Body coefficient γ DEV
- 바디 다이오드 body diode PWR
- 바디 상호 컨덕턴스 Body transconductance gmb ANA
- 바디 효과 Body effect γ DEVDIGANA
- 바르시니 식 Varshni equation PWR
- 바리가 성능 지수 Baliga's figure of merit BFOM DEVPWR
- 바비네 원리 Babinet's principle OPT
- 바이너리 마스크 Binary intensity mask BIM LIT
- 바이어스 독립성 independent bias control PLS
- 바이어스 램프 Bias ramping TCD
- 바이어스 스트레스 Bias temperature stress PBTS·NBIS DSP
- 바이어스 온도 불안정 Bias temperature instability BTI TCD
- 바이어스 온도 불안정성 Bias temperature instability BTI · NBTI FAL
- 바이폴라 열화 bipolar degradation PWR
- 바이폴라 접합 트랜지스터 Bipolar junction transistor BJT DEV
- 박리 delamination CMPFAL
- 박막 thin film FIL
- 박막 간섭 thin-film interference CMPOPT
- 박막 봉지 Thin-film encapsulation TFE DSP
- 박막 트랜지스터 Thin-film transistor TFT DSP
- 박스 방법 Box integration method TCD
- 박스 이산화 box discretization PWR
- 반 루스브룩 방정식계 Van Roosbroeck system TCD
- 반 시터르트–제르니케 정리 Van Cittert–Zernike theorem OPT
- 반 오버스트라에텐-데 만 모델 van Overstraeten–de Man model TCD
- 반가산기 Half adder HA DIG
- 반감 각도 Half-power angle θ½ CIS
- 반경 균일도 radial uniformity PLS
- 반데르발스 힘 van der Waals force CMP
- 반도체 클러스터 Semiconductor cluster IND
- 반도체 IP Semiconductor intellectual property IP IND
- 반복 결함 Repeater defect YLD
- 반복 무늬 Repeater pattern YLD
- 반복 풀이기 Iterative linear solver TCD
- 반복성 Repeatability TST
- 반사 계수 reflection coefficient Γ PLS
- 반사 방지 코팅 Anti-reflection coating AR DSP
- 반사 방지막 Bottom anti-reflective coating BARC PRCLITCIS
- 반사 손실 return loss RL PLS
- 반사 위상 Phase on reflection OPT
- 반사 저항 reflected (transferred) resistance R_s PLS
- 반사 전력 스파이크 reflected power spike PLS
- 반사 중성자 reflected neutrals FIL
- 반사율 측정 Reflectance measurement DSP
- 반사파 reflected wave PLSPWR
- 반사판 공동 reflector cavity FIL
- 반사형 마스크 Reflective mask LIT
- 반사형 편광 필름 Reflective polarizer DBEF DSP
- 반송파 비 frequency modulation ratio m_f PWR
- 반송파 비교 carrier-based PWM PWR
- 반암시적 포아송 semi-implicit Poisson PLS
- 반응 속도 계수 rate coefficient K PLS
- 반응 제한 Reaction-limited ETCFIL
- 반응 지배 / 물질 전달 지배 Reaction / mass-transport limited PRC
- 반응 차수 reaction order n FIL
- 반응 표면 Response surface RSM TCD
- 반응 확률 reaction probability FIL
- 반응–확산 모형 Reaction–Diffusion model R–D DEV
- 반응도 Responsivity R CIS
- 반응물 고갈 reactant depletion FIL
- 반응물 이용률 precursor utilization FIL
- 반응성 부착 계수 reactive sticking coefficient s FIL
- 반응성 스퍼터 히스테리시스 reactive sputtering hysteresis FIL
- 반응성 스퍼터링 reactive sputtering FIL
- 반응성 이온 식각 Reactive ion etching RIE PRCETCFAL
- 반전 Inversion DEV
- 반전 계수 Inversion coefficient IC ANA
- 반전 구동 Polarity inversion DSP
- 반전 증폭기 Inverting amplifier ANA
- 반지름 프로파일 Radial profile YLD
- 반쪽 반응 half-reaction FIL
- 반쪽 회로 Half circuit ANA
- 반치폭 Full width at half maximum FWHM DSP
- 반품 분석 Return material authorization RMA FAL
- 받개 Acceptor DOP
- 발광 Optical emission ETC
- 발광 다이오드 Light-emitting diode LED DEV
- 발광 분광 Optical emission spectroscopy OES ETCPLS
- 발광 스펙트럼 분석 Spectral emission analysis FAL
- 발광 효율 Luminous efficacy of radiation LER CIS
- 발광층 Emission layer EML DSP
- 발진 Oscillation ANA
- 발행 폭 Issue width SOC
- 방사율 emissivity ε FILCIS
- 방위각 유도 전기장 azimuthal induced electric field E_θ PLS
- 방전 개시 breakdown PLS
- 방진복 cleanroom garment, bunny suit INF
- 방출 시정수 emission time constant τ_e PWR
- 방해 글로 obstructed glow PLS
- 방호 계층 분석 Layer of Protection Analysis LOPA INF
- 배럴 반응기 Barrel reactor ETC
- 배럴 시프터 Barrel shifter DIG
- 배리어 Barrier (liner) Ta/TaN FAL
- 배리어 / 씨드 Barrier / seed Ta/TaN PRC
- 배면 발광 Bottom emission BE DSP
- 배스터브 곡선 Bathtub curve MEM
- 배열 곱셈기 Array multiplier DIG
- 배율 색수차 Lateral color LC OPTCIS
- 배율 오차 Magnification (run-out) error CIS
- 배증 온도 Doubling temperature CIS
- 배치 습식 벤치 batch wet bench CMP
- 배치·배선 Place and Route P&R SOC
- 배향막 Alignment layer PI DSP
- 백그라인딩 Backgrinding BG PKG
- 백라이트 스트로빙 Backlight strobing DSP
- 백라이트 유닛 Backlight unit BLU DSP
- 백만 개당 불량 수 Defective parts per million DPPM MEM
- 백색 LED Phosphor-converted white LED pc-LED DSP
- 백색 OLED White OLED + color filter WOLED DSP
- 백색점 White point DSP
- 백엔드 설계 Back-end (physical) design DSN
- 백프레셔 Backpressure SOC
- 백플레인 Backplane DSP
- 밴드 간 터널링 Band-to-band tunneling BTBT DEVTCD
- 밴드 오프셋 Band offset ΔEc, ΔEv DEV
- 밴드갭 Band gap Eg DEVTCDCIS
- 밴드갭 · 차단 파장 Bandgap / cutoff wavelength E_g, λ_c OPT
- 밴드갭 기준 전압 Bandgap reference BGR ANA
- 밴드갭 좁아짐 Band-gap narrowing BGN TCD
- 밴드갭 축소 Band-gap narrowing BGN DEV
- 밴딩 Banding / contouring DSP
- 밸브 매니폴드 박스 Valve Manifold Box VMB INF
- 뱅크 Bank SOCMEM
- 뱅크 그룹 Bank group BG MEM
- 버그 주입 Fault injection DSN
- 버드배스 광학 Birdbath optics DSP
- 버블 밀기 Bubble pushing DIG
- 버블러 bubbler FIL
- 버스트 길이 Burst length BL MEM
- 버즈 빅 Bird's beak PRC
- 버터플라이 곡선 Butterfly curve MEM
- 버퍼 체인 Tapered buffer chain DIG
- 벅 변환기 Buck converter SOCPWR
- 벅 컨버터 buck converter PWR
- 벅-부스트 컨버터 buck-boost converter PWR
- 번인 Burn-in BI DEVCMPFALPKGTSTMEMDSP
- 벌집 커패시터 Honeycomb capacitor array LIT
- 벌크 가스 bulk gas INF
- 범용 게이트 Universal gate DIG
- 범용품 Commodity MEM
- 범위 균일도 range uniformity FIL
- 범핑 Wafer bumping PKG
- 베르–람베르트 법칙 Beer–Lambert law OPT
- 베르그 모델 Berg model FIL
- 베르누이 함수 Bernoulli function B(x) TCD
- 베벨 Bevel YLDPWR
- 베벨 세정 bevel clean CMP
- 베어링 전류 bearing current PWR
- 베이스 다이 Base (logic) die MEMIND
- 베이스 수송 계수 Base transport factor α_T DEV
- 베이스 압력 base pressure FIL
- 베이스 통과 시간 Base transit time τ_B DEV
- 베이스라인 Baseline YLD
- 베이어 · 쿼드 베이어 Bayer / Quad Bayer OPT
- 베이어 패턴 Bayer pattern RGGB SOCCIS
- 베이퍼 챔버 Vapor chamber SOC
- 베일링 글레어 Veiling glare VGI OPTCIS
- 벡터 퍼텐셜 vector potential A_θ PLS
- 벤대니얼–듀크 경계 조건 BenDaniel–Duke boundary condition DEV
- 벤조트리아졸 benzotriazole BTA CMP
- 벽 손실 주파수 wall loss frequency k_w PLS
- 벽 재결합 계수 wall recombination coefficient γ PLS
- 벽 탈착 꼬리 wall desorption tail FIL
- 변압기 모델 transformer model PLS
- 변위 손상 Displacement damage DD CIS
- 변조 대비 Demodulation contrast CIS
- 변조 도핑 Modulation doping DEV
- 변조 전달 함수 Modulation transfer function MTF OPTCIS
- 변조 지수 modulation index M PWR
- 변형 실리콘 Strained silicon DEV
- 변환 이득 Conversion gain CG CIS
- 병렬 다이 구동 paralleled die driving PWR
- 병렬 다이 전류 분배 current sharing of paralleled dies PWR
- 병렬 접두사 덧셈기 Parallel prefix adder DIG
- 보드 레벨 신뢰성 Board level reliability BLR PKG
- 보드 선도 Bode plot ANA
- 보로노이 셀 Voronoi cell TCD
- 보산켓 식 Bosanquet relation FIL
- 보상 Compensation DEVDOP
- 보성 곡선 Bossung curve LIT
- 보쉬 공정 Bosch process DRIE PRCPKG
- 보썽 곡선 Bossung curve PRC
- 보안 모니터 호출 Secure Monitor Call SMC SOC
- 보안 부팅 Secure boot SOC
- 보옴 기준 Bohm criterion PLS
- 보옴 속도 Bohm velocity u_B PLS
- 보옴 확산 Bohm diffusion D_B PLS
- 보옴-그로스 분산 Bohm–Gross dispersion PLS
- 보이드 void FILFAL
- 보이드와 피트 Void / pit YLD
- 보이스 코일 모터 Voice coil motor VCM CIS
- 보잉 Bowing PRCETC
- 보정 Calibration TCD
- 보정 가능 성분 Correctable LIT
- 보조금 경쟁 Subsidy race IND
- 보호 다이오드 protection diode PLS
- 보호막 Passivation FAL
- 보호층 Protective cap FAL
- 복굴절 Birefringence Δn OPTDSP
- 복사 재결합 Radiative recombination B DEVTCD
- 복사 조도 Irradiance CIS
- 복사 휘도 Radiance W/sr·m² DSP
- 복소 굴절률 Complex refractive index ñ = n + iκ OPT
- 복소 유전율 complex plasma permittivity ε_p PLS
- 복합 게이트 Complex gate DIG
- 본드 라인 두께 Bond line thickness BLT PKG
- 본드 와이어 heavy wire bond PWR
- 본페로니 보정 Bonferroni correction YLD
- 볼 본드 Ball bond (first bond) PKG
- 볼 어태치 Solder ball attach PKG
- 볼 전단 시험 Ball shear test PKG
- 볼룸 ballroom INF
- 볼륨 진단 Volume diagnosis FAL
- 볼머-베버 성장 Volmer–Weber growth VW FIL
- 볼츠만 관계 Boltzmann relation PLS
- 볼츠만 근사 Boltzmann approximation DEVTCD
- 볼츠만 방정식 Boltzmann equation PLS
- 볼츠만 수송 방정식 Boltzmann transport equation BTE TCD
- 볼츠만 한계 Boltzmann tyranny 60 mV/dec DEV
- 볼트-초 균형 volt-second balance PWR
- 봄 기준 Bohm criterion ETC
- 봉쇄 조치 Containment action FAL
- 부 글로 negative glow PLS
- 부가가치 Value added IND
- 부동태·면역·부식 영역 passivation / immunity / corrosion regions CMP
- 부문턱 기울기 Subthreshold swing SS DIGPWR
- 부문턱 전류 Subthreshold current DIG
- 부밴드 Subband DEV
- 부분 간섭성 Partial coherence σ LIT
- 부분 결맞음 Partial coherence σ PRC
- 부분 방전 partial discharge PD PWR
- 부분 방전 개시 전압 partial discharge inception voltage PDIV PWR
- 부분 샷 Partial shot YLD
- 부분 윤활 mixed (partial) lubrication CMP
- 부분 인덕턴스 partial inductance PWR
- 부분 ZVS partial ZVS PWR
- 부분곱 Partial product PP DIG
- 부스 부호화 Booth encoding DIG
- 부스트 컨버터 boost converter PWR
- 부식 방지제 corrosion inhibitor CMP
- 부식 전류 corrosion current density i_corr CMP
- 부식 피트 corrosion pit CMP
- 부유 전위 Floating potential V_f ETCPLS
- 부정합 Mismatch ANA
- 부정합 전위 Misfit dislocation DEV
- 부착 계수 Sticking coefficient s PRCFIL
- 부채널 Side channel SOC
- 부트 ROM Boot ROM SOC
- 부트스트랩 bootstrap supply PWR
- 부트스트랩 과충전 bootstrap overcharge PWR
- 부트스트랩 스위치 Bootstrapped switch ANA
- 부하 과도 응답 Load transient response ANA
- 부하 커패시터 load capacitor C_load PLS
- 부하선 Load line ANA
- 부하선 해석 Load-line analysis DIG
- 부하손 load loss (copper loss) P_k INF
- 부호 규약 Sign convention OPT
- 분광 감도 Spectral sensitivity CIS
- 분광 반사율 spectral reflectometry SR FIL
- 분광 복사계 Spectroradiometer DSP
- 분광 분포 Spectral power distribution SPD CIS
- 분광 크로스토크 · CCM Spectral crosstalk / color correction matrix CCM OPT
- 분극 전하 Polarization charge σ_pol DEVPWR
- 분기 노력 Branching effort b DIG
- 분기 발산 Branch divergence SOC
- 분기 예측 Branch prediction SOC
- 분리 수집 segregated collection INF
- 분산 Dispersion OPT
- 분산 RC 선 Distributed RC line DIG
- 분석 성공률 FA success rate FAL
- 분석 소요 시간 Turnaround time TAT FAL
- 분석 흐름 FA flow FAL
- 분압 피드백 제어 partial-pressure feedback control FIL
- 분업 구조 Disaggregation IND
- 분자 오염 Airborne Molecular Contamination AMC CMPINF
- 분자 유동 molecular flow FIL
- 분주기 Frequency divider ÷N ANA
- 분포 모멘트 Distribution moments γ, β TCD
- 분할 Fracturing DSN
- 분할 노출 Chopped exposure CIS
- 분할 로트 Split lot YLD
- 분할 픽셀 Split pixel CIS
- 분할표 Contingency table (2×2) YLD
- 분해·제거 효율 Destruction and Removal Efficiency DRE INF
- 분해능 Mass resolution m/Δm DOP
- 불 함수 Boolean function DIG
- 불균일 핵생성 heterogeneous nucleation FIL
- 불량 메커니즘 Failure mechanism FAL
- 불량 모드 Failure mode FAL
- 불량 분석 Failure analysis FA FAL
- 불량 재현 Failure verification FAL
- 불량 회복 Failure recovery FAL
- 불법 상태 Illegal state DIG
- 불산 / 완충 불산 HF / Buffered oxide etch BOE ETC
- 불연속 전도 모드 discontinuous conduction mode DCM PWR
- 불연속 PWM discontinuous PWM DPWM PWR
- 불완전 이온화 Incomplete ionization TCD
- 불화칼슘 침전 CaF₂ precipitation INF
- 불화탄소 고분자 Fluorocarbon polymer CFx ETC
- 붕소 고갈 boron depletion FIL
- 붙을 확률 Sticking coefficient s ETC
- 브래그 미러 Bragg mirror (DBR) DBR OPT
- 브래그 조건 Bragg condition LIT
- 브러시 길들이기 brush break-in CMP
- 브러시 로딩 brush loading CMP
- 브러시 압입 brush compression CMP
- 브레이징 디스크 brazed disk CMP
- 브로카우 셀 Brokaw cell ANA
- 브루스터 각 Brewster's angle θ_B OPT
- 브리지 Bridge YLD
- 브리지 고장 Bridging fault FAL
- 브리지 폴트 Bridging fault TST
- 브리지리스 PFC bridgeless PFC PWR
- 브리징 Bridging (microlens merging) CIS
- 브릴루앙 영역 Brillouin zone BZ DEV
- 블랙 레벨 보정 Black level correction BLC CIS
- 블랙 매트릭스 Black matrix BM DSP
- 블랙 선 Black sun / eclipse CIS
- 블랙 식 Black's equation DSN
- 블랙의 식 Black's equation FAL
- 블랭킷 웨이퍼 blanket wafer CMP
- 블랭킹 Blanking interval HBlank·VBlank DSP
- 블랭킹 시간 blanking time PWR
- 블레이드 다이싱 Blade dicing PKG
- 블레이크 문턱 Blake threshold CMP
- 블레흐 길이 Blech length FAL
- 블렌딩 blending INF
- 블로다운 blowdown INF
- 블로킹 대입 Blocking assignment = DIG
- 블로킹 커패시터 blocking capacitor PLS
- 블로흐 정리 Bloch theorem DEV
- 블로흐 주기 경계 Bloch periodic boundary CIS
- 블록 Block MEM
- 블록 매칭 Block matching CIS
- 블록 생성·전파 Group generate/propagate G_{i:j}, P_{i:j} DIG
- 블루 글라스 Blue Glass (Absorptive IR Filter) CIS
- 비교기 Comparator ANATST
- 비구면 렌즈 Aspheric lens OPT
- 비국소 평균 Non-local means NLM CIS
- 비국소 EEDF nonlocal EEDF PLS
- 비굴절 specific refraction FIL
- 비균일 보정 Non-uniformity correction NUC CIS
- 비기본 배선 규칙 Non-Default Rule NDR DSN
- 비네팅 Vignetting OPT
- 비닝 Binning OPTCIS
- 비대칭 게이트 Skewed gate DIG
- 비대칭 방전 asymmetric discharge PLS
- 비동기 인가·동기 해제 리셋 Asynchronous assert, synchronous deassert SOC
- 비동기 FIFO Asynchronous FIFO DIGSOC
- 비모호 거리 Unambiguous Range CIS
- 비반전 증폭기 Non-inverting amplifier ANA
- 비상 정지 Emergency Off EMO INF
- 비상발전기 emergency generator INF
- 비선형 지연 모델 Non-Linear Delay Model NLDM DIG
- 비순차 실행 Out-of-order execution OoO SOC
- 비아 Via DIGFAL
- 비아 노출 Via reveal PKG
- 비아 퍼스트 / 미들 / 라스트 Via-first / via-middle / via-last PKG
- 비온저항 specific on-resistance R_on,sp PWR
- 비우세 극점 Non-dominant pole ANA
- 비율 논리 Ratioed logic DIG
- 비음수 최소제곱 Non-Negative Least Squares NNLS CIS
- 비저항 Resistivity ρ DEVPRCCMPINF
- 비점수차 Astigmatism OPT
- 비정규 수 Subnormal number DIG
- 비정질 손상층 Amorphous damage layer FAL
- 비정질 실리콘 amorphous silicon a-Si FILDSP
- 비정질 탄소 하드마스크 amorphous carbon hardmask ACL FIL
- 비정질 탄소막 Amorphous carbon layer ACL ETC
- 비정질화 Amorphization DOPTCD
- 비정질화 주입 Pre-amorphization implant PAI PRC
- 비준정적 효과 Non-quasi-static effect NQS DEV
- 비중첩 클록 Non-overlapping clocks ANA
- 비축 조명 Off-axis illumination OAI LIT
- 비클램프 유도성 스위칭 unclamped inductive switching UIS PWR
- 비탄성 평균 자유 행로 Inelastic mean free path λ FAL
- 비트 그로스 Bit growth MEM
- 비트 성장 Bit growth IND
- 비트 심도 Bit depth bit DSP
- 비트 오류율 Bit error rate BER CIS
- 비트당 에너지 Energy per bit pJ/bit MEM
- 비트당 원가 Cost per bit MEM
- 비트라인 Bitline BL DIGMEM
- 비트맵 Bitmap FAL
- 비파괴 우선 원칙 Non-destructive first FAL
- 비펀치스루 non-punch-through NPT PWR
- 비펀치스루 IGBT non-punch-through IGBT NPT PWR
- 비프레스턴 거동 non-Prestonian behavior CMP
- 비휘발성 Non-volatile MEM
- 빈 Bin YLD
- 빈 맵 Bin map YLDFALTST
- 빌드업 기판 Build-up substrate PKG
- β비 Beta ratio Wp/Wn DIG
- ΔΣ 변조기 Delta-sigma modulator ΔΣ ANA
ㅅ
- 사산화루테늄 ruthenium tetroxide RuO₄ CMP
- 사양 Specification spec ANA
- 사용 가능 시간 pot life CMP
- 사용 지점 블렌딩 Point-Of-Use (POU) blending CMP
- 사용처 Point of Use POU INF
- 사이리스터 thyristor SCR PWR
- 사이클 타임 Cycle time CT YLDINDINF
- 사이클당 성장 Growth per cycle GPC PRCFIL
- 사이클로트론 주파수 cyclotron frequency ω_c PLS
- 사이클릭 ADC Cyclic (algorithmic) ADC CIS
- 사인오프 Signoff SOC
- 사인파 PWM sinusoidal pulse-width modulation SPWM PWR
- 사입사 조명 Off-axis illumination OAI PRC
- 사전 비정질화 Pre-amorphization implant PAI DOP
- 사중극 조명 Quadrupole (quasar / C-quad) illumination LIT
- 사중극자 질량 분석기 quadrupole mass spectrometer QMS PLS
- 사하 식 Saha equation PLS
- 산 확산 Acid diffusion LIT
- 산란 Scattering DEVOPT
- 산란 계측 Optical critical dimension OCD PRCLIT
- 산란 행렬 Scattering matrix S-matrix OPT
- 산성 배기 acid exhaust INF
- 산소 결핍 oxygen deficiency INF
- 산술 강도 Arithmetic intensity MEM
- 산술 논리 장치 Arithmetic logic unit ALU DIG
- 산탄 잡음 Shot noise DEVANALIT
- 산화 적층 결함 oxidation-induced stacking fault OSF FIL
- 산화 증강 확산 oxidation-enhanced diffusion OED FIL
- 산화 증속 확산 Oxidation-enhanced diffusion OED PRC
- 산화갈륨 beta gallium oxide β-Ga₂O₃ PWR
- 산화막 간섭색 oxide interference color FIL
- 산화막 용량 Oxide capacitance Cox DEV
- 산화막 전계 oxide electric field Eox PWR
- 산화막 점성 흐름 viscous flow of oxide FIL
- 산화막 커패시턴스 Gate-oxide capacitance Cox ANA
- 산화막 포획 전하 oxide trapped charge Qot FIL
- 산화물 TFT Oxide TFT IGZO DSP
- 산화제 oxidizer CMP
- 살리사이드 Self-aligned silicide NiSi PRC
- 삼각 맞바꿈 Quality–yield–cost trade-off TST
- 삼각 우물 Triangular quantum well DEV
- 삼각형 전계 분포 triangular field profile PWR
- 삼자극값 Tristimulus values XYZ DSP
- 삼중점 triple point PWR
- 삼층 구조 Trilayer stack LIT
- 삽입 반응 insertion reaction PLS
- 상 대비 Image contrast LIT
- 상 줄이기 phase shedding PWR
- 상각 Amortization TST
- 상관 다중 샘플링 Correlated multiple sampling CMS CIS
- 상관 색온도 Correlated color temperature CCT DSP
- 상관 이중 샘플링 Correlated double sampling CDS CIS
- 상대 속도 relative velocity v_rel CMP
- 상대 조도 Relative illumination RI OPTCIS
- 상동 온도 homologous temperature PWR
- 상면 만곡 Field Curvature CIS
- 상면 만곡 · 페츠발 합 Field curvature / Petzval sum OPT
- 상반부·하반부 Top half / bottom half SOC
- 상변화 메모리 Phase-change memory PCM MEM
- 상세 배선 Detailed routing DSN
- 상수 전파 Constant propagation DIG
- 상승·하강 시간 Rise/fall time tr, tf DIG
- 상시 닫힘 밸브 normally closed valve NC INF
- 상압 CVD Atmospheric Pressure CVD APCVD FIL
- 상태 감시 condition monitoring PWR
- 상태 레지스터 State register DIG
- 상태 밀도 Density of states DOS DEVTCD
- 상태 유지 플립플롭 Retention flip-flop DIG
- 상태 인코딩 State encoding DIG
- 상태도 State diagram DIG
- 상호 변조 intermodulation IMD PLS
- 상호 정전용량 Mutual capacitance DSP
- 상호 컨덕턴스 Transconductance gm ANATCD
- 상호작용 부피 Interaction volume FAL
- 새부리 bird's beak FILTCD
- 색 노이즈 Chroma noise CIS
- 색 보정 행렬 Color correction matrix CCM SOCCIS
- 색 분해 Coloring (layout decomposition) LIT
- 색 순도 Color purity DSP
- 색 쉐이딩 Color shading OPTCIS
- 색도 다이어그램 Chromaticity diagram CIS
- 색도 좌표 Chromaticity coordinates xy DSP
- 색역 Color gamut CISDSP
- 색역 커버리지 Gamut coverage DSP
- 색온도 Correlated color temperature CCT CIS
- 색지움 렌즈 Achromatic doublet OPT
- 색차 Color difference ΔE DSP
- 색채계 Colorimeter DSP
- 샘플-앤-홀드 Sample-and-hold S/H ANA
- 샘플링 전달 함수 Sampling transfer function CIS
- 생물막 biofilm INF
- 생산 관리 시스템 Manufacturing Execution System MES INF
- 생성 Generation G DEVDIG
- 생성 누설 전류 generation leakage current J_gen PWR
- 생성 수명 generation lifetime τ_g PWR
- 생성 암전류 Generation dark current CIS
- 생성 전류 generation current PWR
- 샤워헤드 showerhead FILYLD
- 샤페터-거멜 이산화 Scharfetter–Gummel scheme SG PLSTCD
- 샤페터–거멜 이산화 Scharfetter–Gummel discretization SG DEV
- 샷 Shot / exposure field YLD
- 샷 노이즈 Shot noise CIS
- 샷 안 자리 Intra-field position YLD
- 샷 접기 Shot folding / field stacking YLD
- 섀도 모아레 Shadow moiré PKG
- 섀도 효과 Shadow effect DSP
- 섀도잉 Shadowing DOP
- 서멀 인터페이스 재료 thermal interface material TIM PWR
- 서브모듈 submodule SM PWR
- 서브문턱 기울기 Subthreshold swing S DSNDSP
- 서브스레숄드 스윙 Subthreshold swing SS MEM
- 서브어레이 / 매트 Subarray / Mat MEM
- 서브채널 Sub-channel MEM
- 서브팹 sub-fab INF
- 서브픽셀 Subpixel DSP
- 서브픽셀 렌더링 Subpixel rendering SPR DSP
- 서비스 품질 Quality of Service QoS SOC
- 서지 전류 surge current I_FSM PWR
- 선 가장자리 거칠기 Line edge roughness LER PRCLITYLDTCD
- 선 끝 줄어듦 Line-end shortening LES LIT
- 선 끝 후퇴 Line-end shortening DSN
- 선 확산 함수 Line spread function LSF CIS
- 선간 전압 line-to-line voltage PWR
- 선단 공정 Leading-edge process IND
- 선택도 selectivity S FIL
- 선택비 Selectivity S PRCLITETCPLSCMPFAL
- 선택적 에피 성장 selective epitaxial growth SEG FIL
- 선편광판 Linear polarizer POL DSP
- 선폭 / 간격 Line / Space L/S PKG
- 선폭 거칠기 Line-width roughness LWR LIT
- 선행 0 개수 Leading zero count LZC DIG
- 선형 되먹임 시프트 레지스터 Linear feedback shift register LFSR DIG
- 선형 레귤레이터 linear regulator LDO PWR
- 선형 모드 linear mode operation PWR
- 선형 속도 상수 linear rate constant B/A FIL
- 선형 영역 Linear (triode) region DEVDIGANAFIL
- 선형 편광도 / 편광각 Degree / angle of linear polarization DoLP / AoLP CIS
- 선형 풀웰 Linear full well capacity CIS
- 선형성 오차 Linearity error LE CIS
- 선호 방향 Preferred direction DSN
- 선확산 / 드라이브인 Predeposition / drive-in PRC
- 설계 규칙 Design rule DRM DSN
- 설계 규칙 검사 Design rule check DRC IND
- 설계 절충 Design trade-off PKG
- 설계 흐름 Design flow DSN
- 설계-기술 공동 최적화 Design-technology co-optimization DTCO TCD
- 설계–공정 공동 최적화 Design-technology co-optimization DTCO DEV
- 설비 투자비 capital expenditure CAPEX INF
- 설비투자 Capital expenditure capex IND
- 섬광 온도 flash temperature CMP
- 섬아연광 구조 Zincblende structure DEV
- 성능 밀도 Performance density PD IND
- 성능 지수 figure of merit FOM PWR
- 성능 지수 (R·Q) figure of merit FOM PWR
- 성숙 공정 Mature process IND
- 성적계수 Coefficient of Performance COP INF
- 세 점 무늬 Pin marks YLD
- 세리아 ceria (CeO₂) CeO₂ CMP
- 세리프 Serif DSNLIT
- 세묘노프 도표 Semenov diagram CMP
- 센서 메타메리즘 Observer (camera) metamerism CIS
- 센서 위 반사 방지 스택 Backside AR stack on Si OPT
- 센스 앰프 Sense amplifier SA DIGMEM
- 셀 간 간섭 Cell-to-cell interference MEM
- 셀 대 셀 비교 Cell-to-cell comparison YLD
- 셀 비율 Cell ratio β DIGMEM
- 셀 업사이징 Gate upsizing DSN
- 셀 인식 폴트 Cell-aware fault CA TST
- 셀 특성화 Cell characterization DSN
- 셀 페클레 수 cell Peclet number a PLS
- 셀 피치 cell pitch PWR
- 셀마이어 식 Sellmeier equation FILOPT
- 셋업 시간 Setup time DSN
- 셔무 플롯 Shmoo plot TST
- 셔터 지연 Shooting time lag CIS
- 셰이더 Shader SOC
- 셸 퍼스트 shell-first INF
- 소결 은 Sintered silver PKG
- 소광 계수 Extinction coefficient κ OPT
- 소광비 Extinction ratio ER OPT
- 소광제 Quencher LIT
- 소멸 Kill K DIG
- 소멸파 Evanescent wave OPT
- 소부장 Materials, parts & equipment IND
- 소수 캐리어 수명 Minority carrier lifetime τ DEVCMP
- 소수 캐리어 주입 Minority carrier injection DEV
- 소스 드라이버 Source driver DSP
- 소스 디제너레이션 Source degeneration ANA
- 소스 전력과 바이어스 전력 Source power / bias power ETC
- 소스 팔로워 Source follower (common drain) SF ANACIS
- 소스/드레인 확장부 Source/drain extension SDE TCD
- 소신호 등가 회로 Small-signal equivalent circuit DEV
- 소신호 모델 Small-signal model ANA
- 소신호 AC 해석 Small-signal AC analysis TCD
- 소용돌이 Swirl YLD
- 소유 비용 cost of ownership CoO FILPLS
- 소프트 결함 위치 추적 Soft defect localization SDL FAL
- 소프트 계수 softness factor S PWR
- 소프트 베이크 Post-apply bake PAB LIT
- 소프트 빈 Soft bin TST
- 소프트 스위칭 soft switching PWR
- 소프트 에러 Soft error (Single-Event Upset) SEU DIGMEM
- 소프트 턴오프 soft turn-off PWR
- 소프트 파괴 / 하드 파괴 Soft / hard breakdown SBD/HBD DEV
- 속도 과도 Velocity overshoot TCD
- 속도 과도 현상 Velocity overshoot DEV
- 속도 등급 Speed binning TST
- 속도 약화 velocity weakening CMP
- 속도 포화 Velocity saturation v_sat DEVDIGTCD
- 손상 완화 조건 지도 damage-mitigation map PLS
- 손상층 Subsurface damage layer PKG
- 손익 분기 배수 break-even cost ratio PWR
- 손익분기 시간 Break-even time SOC
- 손익분기점 Break-even point IND
- 솔더 레지스트 Solder resist (solder mask) SR PKG
- 솔더 브리지 Solder bridging PKG
- 솔더 피로 Solder joint fatigue PKG
- 솔리드 스테이트 드라이브 Solid-state drive SSD MEM
- 쇼어 경도 Shore hardness (D/A) CMP
- 쇼클리 방정식 Shockley diode equation DEV
- 쇼클리–퀘이서 한계 Shockley–Queisser limit SQ DEV
- 쇼클리형 적층 결함 Shockley-type stacking fault SSF PWR
- 쇼트키 다이오드 Schottky diode SBD DEVPWR
- 쇼트키 장벽 Schottky barrier φB DEV
- 쇼트키 접촉 Schottky contact TCD
- 쇼트키 조건 Schottky condition PLS
- 쇼트키–모트 규칙 Schottky–Mott rule DEV
- 수렴 기준 Convergence criterion TCD
- 수렴–조절 불일치 Vergence–accommodation conflict VAC DSP
- 수명 Lifetime LT95·LT50 DSP
- 수명 제어 lifetime control PWR
- 수명 종료 기준 end-of-life criterion EOL PWR
- 수밀도 number density n FIL
- 수분 민감도 등급 Moisture Sensitivity Level MSL PKG
- 수분 투과율 Water vapor transmission rate WVTR DSP
- 수소 억제 hydrogen inhibition FIL
- 수소 종단 hydrogen termination CMP
- 수소 패시베이션 Hydrogen passivation CIS
- 수소 함량 hydrogen content [H] FIL
- 수송 제한 mass-transport-limited regime FIL
- 수용각 Acceptance angle OPT
- 수율 Yield Y SOCANAPRCYLDFALTSTMEMCISDSPIND
- 수율 램프 Yield ramp YLD
- 수율 모델 Yield model IND
- 수율 학습 곡선 Yield learning curve YLD
- 수은 카드뮴 텔루라이드 Mercury cadmium telluride HgCdTe CIS
- 수정 발진기 Crystal oscillator XO SOC
- 수정 진동자 두께 측정기 quartz crystal microbalance QCM FIL
- 수직 계열화 Vertical integration IND
- 수직 동기 Vertical sync VSync SOC
- 수직 입사 반사율 Normal-incidence reflectance R₀ OPT
- 수직 채널 트랜지스터 Vertical channel transistor VCT MEM
- 수직 GaN vertical GaN PWR
- 수집 확률 Collection probability φ(z) CIS
- 수집 효율 collection efficiency FIL
- 수차 Aberration LIT
- 수출 통제 Export controls IND
- 수치 분산 Numerical dispersion OPT
- 수화층 모델 hydrated layer model CMP
- 순간 시야 Instantaneous Field of View IFOV CIS
- 순간 전압 강하 voltage sag / dip sag INF
- 순도 Purity YLD
- 순도 등급 purity grade (nN) INF
- 순방향 전압 forward voltage V_F PWR
- 순방향 활성 영역 Forward active mode DEV
- 순응 전압 Compliance voltage ANA
- 순차 광선 추적 Sequential Ray Tracing CIS
- 순차 논리 Sequential logic DSN
- 순차 일관성 Sequential consistency SC SOC
- 순차 회로 Sequential circuit DIG
- 순현재가치 net present value NPV INF
- 순환 루프 recirculation loop INF
- 쉬스 sheath FIL
- 슈뢰딩거-포아송 Schrödinger–Poisson SP TCD
- 슈무 플롯 Shmoo plot FAL
- 슈타인메츠 식 Steinmetz equation PWR
- 슈퍼사이클 Supercycle IND
- 슈퍼스칼라 Superscalar SOC
- 슈퍼정션 Superjunction SJ DEVPWR
- 슈퍼필 superfill (bottom-up fill) CMPPKG
- 슛스루 shoot-through PWR
- 스냅 회복 snappy recovery PWR
- 스냅백 Snapback DEVPWR
- 스넬 법칙 Snell's law OPT
- 스누프 필터 Snoop filter SOC
- 스누핑 Snooping SOC
- 스닉 경로 Sneak path MEM
- 스로틀 밸브 throttle valve FILPLS
- 스미스 차트 Smith chart PLS
- 스위칭 궤적 switching trajectory PWR
- 스위칭 문턱 Switching threshold VM DEVDIG
- 스위칭 변환기 switching converter PWR
- 스위칭 손실 switching loss P_sw PWR
- 스위칭 임계 전압 Switching threshold VM DIGDSN
- 스위칭 주파수 switching frequency f_sw PWR
- 스윕 sweep, oscillation CMP
- 스윙 곡선 Swing curve PRCLIT
- 스지–기번스 근사 Sze–Gibbons approximation PWR
- 스캐너 Step-and-scan system PRCLIT
- 스캐터-개더 DMA Scatter-gather DMA SOC
- 스캔 압축 Scan compression TST
- 스캔 줄무늬 Scan striping YLD
- 스캔 진단 Scan diagnosis FALTST
- 스캔 체인 Scan chain DIGFALTST
- 스캔 테스트 시간 Scan test time TST
- 스캔 플립플롭 Scan flip-flop TST
- 스캘럽 Scallop PKG
- 스컴 Scum LIT
- 스케일 scale INF
- 스케일링 Image scaling DSP
- 스크라이브 라인 Scribe line YLD
- 스크라이브 레인 Scribe lane (dicing street) PKG
- 스크래치 Scratch YLD
- 스크럽 자국 Scrub mark TST
- 스크린 산화막 Screen oxide DOP
- 스크린도어 효과 Screen-door effect SDE DSP
- 스타인·오우마 밀도 모델 Stine–Ouma pattern density model CMP
- 스타트업 회로 Start-up circuit ANA
- 스택 맵 Stacked map YLD
- 스택 효과 Stack effect DIG
- 스탠드오프 Standoff height PKG
- 스탬프 전사 Elastomer stamp transfer DSP
- 스테퍼 Stepper LIT
- 스텔스 다이싱 Stealth dicing SD PKG
- 스텝 앤드 스캔 Step-and-scan LITYLD
- 스텝 커버리지 step coverage SC FIL
- 스토니 식 Stoney equation FILCMPPWR
- 스토리지 클래스 메모리 Storage-class memory SCM MEM
- 스토커 stocker INF
- 스토크스 관계 Stokes relations OPT
- 스토크스 법칙 Stokes' law INF
- 스토크스 파라미터 Stokes parameters S₀–S₃ OPT
- 스톨레토프 점 Stoletov point PLS
- 스톱 Stop (EV) EV OPT
- 스트란스키-크라스타노프 성장 Stranski–Krastanov growth SK FIL
- 스트레스 유발 보이드 Stress-induced voiding / stress migration SIV · SM FAL
- 스트렐 비 Strehl ratio S OPTCIS
- 스트로브 Strobe TST
- 스트리밍 멀티프로세서 Streaming Multiprocessor SM SOC
- 스트리벡 곡선 Stribeck curve CMP
- 스트링 방법 String method TCD
- 스트링 선택 트랜지스터 String select transistor SSL / GSL MEM
- 스티치 Stitch DSN
- 스티치 본드 Stitch bond (second bond) PKG
- 스티칭 Stitching LIT
- 스틱 다이어그램 Stick diagram DIGDSN
- 스틱-슬립 stick-slip CMP
- 스파이크 어닐 Spike anneal RTA PRCFILDOPTCD
- 스파이크와 노치 Spike and notch DEV
- 스파이킹 spiking CMP
- 스팟 다이어그램 Spot diagram OPT
- 스퍼터 문턱 에너지 sputtering threshold energy E_th PLS
- 스퍼터 수율 sputter yield Y FILPLSFAL
- 스퍼터링 Sputtering DSP
- 스페이서 Spacer PRCLITFIL
- 스페이서층 Spacer layer DEV
- 스펙트럼 궤적 Spectral locus CIS
- 스펙트럼 라이브러리 spectral library fitting CMP
- 스폿 다이어그램 Spot Diagram CIS
- 스폿 빔 Spot beam DOP
- 스핀 건조 spin dry CMP
- 스핀 궤도 토크 Spin-orbit torque SOT MEM
- 스핀 온 글라스 Spin-On Glass SOG CMP
- 스핀 온 카본 Spin-on carbon SOC LIT
- 스핀 전달 토크 Spin-transfer torque STT MEM
- 슬랙 Slack DSNSOC
- 슬랜티드 엣지 SFR Slanted-edge SFR SFR, ISO 12233 OPT
- 슬러리 slurry PRCCMPINF
- 슬러리 공급 계통 Slurry Delivery System SDS CMP
- 슬러리 이용률 slurry utilization CMP
- 슬러리 체류 시간 slurry residence time CMP
- 슬로팅 slotting, cheesing CMP
- 슬롯 Slot YLD
- 슬롯 주기성 Slot periodicity YLD
- 슬롯붐 변수 Slotboom variables TCD
- 슬루 Slew (transition time) DSN
- 슬루율 Slew rate SR ANACIS
- 슬릿 Slit LIT
- 슬릿 함수 Slit function CIS
- 습공기선도 psychrometric chart INF
- 습구 온도 wet-bulb temperature INF
- 습식 산화 wet oxidation FIL
- 습식 세정 wet clean PLS
- 습식 식각 Wet etching ETCFAL
- 습식 식각률 wet etch rate WER FIL
- 습식 식각률비 wet etch rate ratio WERR FIL
- 습식 화학 Wet chemicals IND
- 승자 독식 Winner-take-all IND
- 승화 건조 sublimation drying CMP
- 승화 성장 physical vapor transport PVT PWR
- 시각 노이즈 Visual noise CIS
- 시간 등가 출력 커패시턴스 time-related output capacitance C_o(tr) PWR
- 시간 분해 에미션 Time-resolved emission TRE · PICA FAL
- 시간 빌림 Time borrowing DIG
- 시간 상관 단일 광자 계수 Time-Correlated Single Photon Counting TCSPC CIS
- 시간 연마 timed polish CMP
- 시간 영역 반사 측정 Time domain reflectometry TDR FAL
- 시간 의존 전역 모델 time-dependent global model PLS
- 시간 의존 절연 파괴 time-dependent dielectric breakdown TDDB PWR
- 시간 적분 Time integration TCD
- 시간 지역성 Temporal locality SOCMEM
- 시간 지연 적분 Time delay and integration TDI CIS
- 시간 평균 밀도 time-averaged density ⟨nₑ⟩ PLS
- 시간가중평균 Time-Weighted Average TWA INF
- 시간당 처리량 Wafers Per Hour WPH CMP
- 시간적 결맞음 · 결맞음 길이 Temporal coherence / coherence length l_c OPT
- 시감 효율 함수 Luminous efficiency function V(λ) DSP
- 시그니처 별칭 Signature aliasing TST
- 시그마 클리핑 Sigma Clipping CIS
- 시너지 ALE synergy FIL
- 시드층 seed layer FILCMP
- 시력 Visual acuity DSP
- 시료 수 Sample size FAL
- 시뮬레이티드 어닐링 Simulated annealing SA DSN
- 시상 Seeing CIS
- 시설 오버헤드 facility overhead INF
- 시스 Sheath PRCETCPLS
- 시스 경계 밀도 sheath-edge density n_s PLS
- 시스 방정식 sheath equation PLS
- 시스 보정 인자 sheath correction factor ξ PLS
- 시스 진동 진폭 sheath oscillation amplitude s₀ PLS
- 시스 커패시턴스 sheath capacitance C_s PLS
- 시스 팽창 sheath expansion PLS
- 시스템 레벨 캐시 System level cache SLC SOC
- 시스템 레벨 테스트 System-level test SLT TST
- 시스템 반도체 System semiconductor (non-memory) IND
- 시스템 비용 system cost PWR
- 시스템 수준 ESD System-level ESD (IEC 61000-4-2) DEV
- 시스템 온 칩 System on Chip SoC SOCIND
- 시스템 이득 System gain K CIS
- 시스템 캐시 System level cache SLC SOC
- 시스템 MTF System MTF OPT
- 시스템적 오프셋 Systematic offset ANA
- 시스톨릭 배열 Systolic array SOC
- 시야 Field of view FOV YLDDSP
- 시야 스톱 Field stop OPT
- 시야각 view factor FILDSP
- 시야각 색 변화 Color shift with angle Δu′v′ DSP
- 시정 조치 Corrective action YLDFAL
- 시정수 어림법 Open-circuit time constants OCTC ANA
- 시준기 collimator FIL
- 시즈 모델 Seeds yield model YLD
- 시즈닝 Chamber seasoning ETCPLS
- 시퀀스 검출기 Sequence detector DIG
- 시트르산 citric acid CMP
- 시프트 레지스터 Shift register DIG
- 시프트 전력 Shift power TST
- 시프트와 캡처 Shift and capture TST
- 시험 한계 Test limit TST
- 식각 Etch PRCETC
- 식각 바이어스 Etch bias LIT
- 식각 보정 슈퍼사이클 deposition-etch supercycle FIL
- 식각 선택비 Etch selectivity MEM
- 식각 속도 Etch rate ER ETC
- 식각 장비 Etch tool IND
- 식각 정지막 etch stop layer CMP
- 식각 후 검사 After-etch inspection AEI ETC
- 식각/증착 비 etch-to-deposition ratio E/D FIL
- 신경망 처리 장치 Neural Processing Unit NPU SOC
- 신규 결함 Adder YLD
- 신뢰 사슬 Chain of trust SOC
- 신뢰성 블록 다이어그램 Reliability Block Diagram RBD INF
- 신뢰의 뿌리 Root of trust RoT SOC
- 신틸레이터 Scintillator CIS
- 신호 대 양자화 잡음비 Signal-to-quantization-noise ratio SQNR SOC
- 신호 대 잡음비 Signal-to-noise ratio SNR ANAOPTCIS
- 신호 사슬 Signal chain ANA
- 실리사이드 Silicide TiSi₂, NiSi DEV
- 실리사이드 블록 Silicide block (ballast) SAB DEV
- 실리콘 관통 전극 Through-silicon via TSV MEMCISIND
- 실리콘 드리프트 검출기 Silicon drift detector SDD FAL
- 실리콘 브리지 Silicon bridge PKG
- 실리콘 사이클 Silicon cycle IND
- 실리콘 소모 silicon consumption FIL
- 실리콘 웨이퍼 Silicon wafer IND
- 실리콘 인터포저 Silicon interposer PKG
- 실리콘 젤 silicone gel PWR
- 실리콘 투과 Silicon infrared transparency FAL
- 실리콘 한계 silicon limit PWR
- 실리콘 함유 반사 방지막 Silicon-containing ARC SiARC LIT
- 실린더 커패시터 Cylinder capacitor MEM
- 실릴화 silylation (surface modification) CMP
- 실접촉 면적 real contact area A_r CMP
- 실제 광선 추적 Real ray tracing OPT
- 실험 계획법 Design of experiments DOE TCD
- 실효 길이 effective plasma size d_eff PLS
- 실효 면적 effective loss area A_eff PLS
- 심 seam FILCMP
- 쌍극 조명 Dipole illumination LIT
- 쌍당 충돌 손실 에너지 collisional energy loss per electron-ion pair 𝓔_c PLS
- 쌍대성 Duality DIG
- 쌍안정 회로 Bistable circuit DIG
- 써멀 웨이브 Thermal wave (modulated reflectance) TW DOP
- 쓰기 마진 Write margin WM DIG
- 쓰기 명령 Write command WR MEM
- 쓰기 무효화 Write-invalidate SOC
- 쓰기 배치 Write batching SOC
- 쓰기 정책 Cache write policy MEM
- 쓰기 증폭 계수 Write amplification factor WAF MEM
- ω² 스케일링 frequency-squared scaling n ∝ ω² PLS
ㅇ
- 아나모픽 광학계 Anamorphic optics LIT
- 아날로그 게인 Analog gain PGA CIS
- 아날로그 반도체 Analog semiconductor IND
- 아날로그 신호 Analog signal DIG
- 아날로그 프런트엔드 Analog front-end AFE ANA
- 아날로그-디지털 변환기 Analog-to-digital converter ADC CIS
- 아레니우스 그림 Arrhenius plot FILCIS
- 아레니우스 모델 Arrhenius model PKGMEMPWR
- 아레니우스 식 Arrhenius equation CMPTST
- 아레니우스 확산 계수 Arrhenius diffusivity TCD
- 아베수 Abbe number V_d OPT
- 아벨 변환 Abel inversion PLS
- 아브라미 모델 Avrami (JMAK) coverage model FIL
- 아웃가싱 outgassing INF
- 아웃개싱 Outgassing DOP
- 아이 다이어그램 Eye diagram SOCTSTMEMCIS
- 아이박스 Eyebox DSP
- 아인슈타인 관계 Einstein relation D/μ = kT/q DEVPLSTCD
- 아카드 마모식 Archard wear equation CMP
- 아크 arc PLS
- 아크 길이 연속법 Arc-length continuation TCD
- 아크 방전 arc discharge PLSDOP
- 아키텍처 탐색 Design space exploration DSE SOC
- 안전 동작 영역 Safe operating area SOA DEV
- 안정 저항 ballast resistor R PLS
- 안정 지수 thermal stability factor S PWR
- 안정성 비 stability ratio W CMP
- 안테나 비 Antenna ratio DOP
- 안테나 비율 Antenna ratio DSN
- 안테나 효과 Antenna effect DSNPLS
- 안테나비 antenna ratio AR PLS
- 안티글레어 Anti-glare AG DSP
- 알파 전력 법칙 Alpha-power law DIGSOC
- 알파 파워 법칙 Alpha-power law DSN
- 암계수율 Dark Count Rate DCR CIS
- 암달의 법칙 Amdahl's law SOC
- 암소시 Scotopic vision V′(λ) DSP
- 암시야 검사 Dark-field inspection DF YLD
- 암신호 불균일 Dark signal non-uniformity DSNU CIS
- 암전류 Dark current CIS
- 암호학적 해시 함수 Cryptographic hash function SOC
- 압력 보정 Pressure compensation DOP
- 압저항 계수 piezoresistance coefficient FIL
- 압전 분극 piezoelectric polarization P_pz PWR
- 압축 몰딩 Compression molding PKG
- 압축률 compressibility CMP
- 앙상블 에너지 Encircled / ensquared energy EE OPT
- 애벌랜치 항복 Avalanche breakdown TCD
- 애벌런치 견고성 avalanche ruggedness PWR
- 애벌런치 에너지 single-pulse avalanche energy E_AS PWR
- 애벌런치 포토다이오드 Avalanche photodiode APD DEV
- 애벌런치 항복 Avalanche breakdown DEVPWR
- 애벗–파이어스톤 곡선 Abbott–Firestone (bearing area) curve CMP
- 애싱 Ashing / stripping ETCPLS
- 애프터펄싱 Afterpulsing CIS
- 애플리케이션 프로세서 Application processor AP IND
- 액정 Liquid crystal LC DSP
- 액체 질소 liquid nitrogen LN₂ INF
- 액침 노광 Immersion lithography ArFi PRCLIT
- 액티노메트리 actinometry PLS
- 액티브 로드 Active load TST
- 액티브 매트릭스 Active matrix AM DSP
- 액티브 명령 Activate ACT MEM
- 액티브 얼라인 Active alignment AA CIS
- 액화가스 liquefied gas INF
- 앤더슨 규칙 Anderson's electron affinity rule DEV
- 앨리어싱 Aliasing OPTDSP
- 앰비폴라 확산 길이 ambipolar diffusion length L_a PWR
- 야코비 행렬 Jacobian matrix TCD
- 약결합 플라즈마 weakly coupled plasma PLS
- 약반전 Weak inversion (subthreshold) ANA
- 약반전 기울기 계수 Subthreshold slope factor n ANA
- 약액 교체 bath change CMP
- 약전리 플라즈마 weakly ionized plasma PLS
- 약한 반복 결함 Soft repeater YLD
- 양 바이어스 온도 불안정성 Positive Bias Temperature Instability PBTI DEV
- 양광주 positive column PLS
- 양극성 소자 bipolar device PWR
- 양극성 전기장 ambipolar electric field E_a PLS
- 양극성 확산 ambipolar diffusion PLS
- 양면 냉각 double-sided cooling DSC PWR
- 양성 레지스트 Positive-tone resist LIT
- 양자 구속 효과 Quantum confinement DSP
- 양자 우물 Quantum well QW DEV
- 양자 터널링 Quantum tunneling MEM
- 양자 효율 Quantum efficiency QE DEVOPTCIS
- 양자점 Quantum dot QD DSP
- 양자점 색변환 Quantum dot color conversion QDCC DSP
- 양자화 Quantization SOC
- 양자화 노이즈 Quantization noise CIS
- 양자화 매개변수 Quantization Parameter QP SOC
- 양자화 잡음 Quantization noise ANA
- 양품 다이당 원가 Cost per good die YLD
- 양품 비교 Golden unit comparison FAL
- 양품 칩 선별 Known good die / repair KGD DSP
- 얕은 트렌치 소자 분리 Shallow Trench Isolation STI CMP
- 어닐 Anneal DOP
- 어두운 VC와 밝은 VC Dark / bright voltage contrast DVC · BVC YLD
- 어서션 Assertion SVA DIGDSN
- 어큐턴스 Acutance CIS
- 어태치 보이드 Die attach void PKG
- 어프로치 approach INF
- 억셉터 Acceptor Na DEV
- 억제비 Suppression ratio SR CIS
- 억제제 inhibitor FIL
- 언더 디스플레이 카메라 Under-display camera UDC DSP
- 언더컷 Undercut PRCETCPLS
- 언더컷 리프트오프 undercut lift-off CMP
- 언더플로 Underflow SOC
- 언더필 Capillary underfill CUF PKG
- 언샤프 마스크 Unsharp mask USM CIS
- 얼랑 B Erlang B formula INF
- 얼리 전압 Early voltage VA DEV
- 얼리 효과 Early effect DEV
- 엄밀 결합파 해석 Rigorous coupled-wave analysis RCWA OPT
- 업·다운 영역 up / down area CMP
- 엇갈림 입력 Input skew SOC
- 에너지 공간 흐름 energy-space flux G(ε) PLS
- 에너지 등가 출력 커패시턴스 energy-related output capacitance C_o(er) PWR
- 에너지 밴드 Energy band DEVTCD
- 에너지 분산 X선 분광 Energy dispersive X-ray spectroscopy EDS · EDX FAL
- 에너지 오염 Energy contamination DOP
- 에너지 완화 길이 energy relaxation length λ_ε PLS
- 에너지 이완 길이 energy relaxation length λ_ε PLS
- 에너지 이완 시간 Energy relaxation time τw TCD
- 에너지 인식 스케줄링 Energy-Aware Scheduling EAS SOC
- 에너지 저장 장치 Energy Storage System ESS INF
- 에너지 전달 비 energy transfer fraction δ PLS
- 에너지 최소점 Minimum energy point MEP SOC
- 에너지-지연 곱 Energy-delay product EDP DIG
- 에반스 다이어그램 Evans diagram CMP
- 에버스–몰 모형 Ebers–Moll model DEV
- 에어 매스 Air mass AM CIS
- 에어리 디스크 Airy disk OPT
- 에어리 식 Airy formula FILCMP
- 에일리어싱 Aliasing ANA
- 에지 · 선 확산 함수 Edge / line spread function ESF, LSF OPT
- 에지 링 edge ring FIL
- 에지 종단 edge termination PWR
- 에지 트리거 Edge-triggered DIG
- 에지 확산 함수 Edge spread function ESF CIS
- 에지와 ELNES Ionization edge / energy-loss near-edge structure ELNES FAL
- 에치백 etch-back CMPTCD
- 에탈로닝 Etaloning / fringing CIS
- 에텐듀 Étendue G OPT
- 에피 웨이퍼 Epitaxial wafer CIS
- 에피택시 Epitaxy Epi PRC
- 엑시머 레이저 Excimer laser KrF / ArF LIT
- 엑시머 레이저 어닐링 Excimer laser annealing ELA DSP
- 엑시톤 Exciton DSP
- 엔드멤버 Endmember CIS
- 엔드캡 Poly endcap DSN
- 엔티티 리스트 Entity List IND
- 엘립소메트리 ellipsometry SE FIL
- 엘립소미터 Ellipsometer PRC
- 엘모어 지연 Elmore delay DIGDSN
- 엣지 배치 정확도 Edge placement accuracy EPA TST
- 엣지 함수 Edge function SOC
- 엣지형 백라이트 Edge-lit backlight DSP
- 엥겔마이어 식 Engelmaier model PWR
- 여기 excitation PLS
- 여분 행·열 Redundant rows/columns TST
- 여유 Slack DIGINF
- 역 리소그래피 Inverse lithography technology ILT LIT
- 역 RIE 지연 Inverse RIE lag ETC
- 역격자 Reciprocal lattice DEV
- 역도통 전압 reverse conduction voltage V_SD PWR
- 역도통 IGBT reverse-conducting IGBT RC-IGBT PWR
- 역률 power factor PF PWRINF
- 역률 보정 power factor correction PFC PWR
- 역마스크 에치백 reverse-mask etch-back CMP
- 역삼투 Reverse Osmosis RO INF
- 역설계 Inverse design CIS
- 역전달 커패시턴스 reverse transfer capacitance C_rss PWR
- 역테이퍼 Re-entrant (negative) taper ETC
- 역피라미드 Inverted pyramid texture CIS
- 역회복 Reverse recovery t_rr DEVPWR
- 역회복 시간 reverse recovery time t_rr PWR
- 역회복 에너지 reverse recovery energy E_rr PWR
- 역회복 전하 reverse recovery charge Q_rr PWR
- 연결 공사 tie-in INF
- 연관도 Associativity SOC
- 연마 패드 polishing pad CMP
- 연마 헤드 polishing head, carrier CMP
- 연마입자 abrasive CMP
- 연산 강도 Arithmetic intensity SOC
- 연산 증폭기 Operational amplifier op amp ANA
- 연속 방정식 Continuity equation DEVTCD
- 연속 전도 모드 continuous conduction mode CCM PWR
- 연속법 Continuation method TCD
- 연속성 테스트 Continuity / open-short test TST
- 연질 세그먼트 soft segment CMP
- 연화층 chemically softened (hydrated) layer CMP
- 열 계면 재료 Thermal Interface Material TIM PKG
- 열 레이저 자극 Thermal laser stimulation TLS FAL
- 열 방정식 Lattice heat equation TCD
- 열 사이클링 thermal cycling TC PWR
- 열 속도 Thermal velocity v_th DEV
- 열 스로틀링 Thermal throttling SOC
- 열 슬립 thermal slip FIL
- 열 시간 상수 thermal time constant τth PWR
- 열 예산 Thermal budget Dt PRCFILDOPTCDCIS
- 열 용량 Thermal capacitance Cth SOC
- 열 응력 thermal stress FIL
- 열 인터리빙 Column interleaving DIG
- 열 저항 Thermal resistance Rth SOC
- 열 전압 Thermal voltage UT ANATCD
- 열 퍼짐 heat spreading PWR
- 열 폭주 Thermal runaway SOCCMPCISPWR
- 열 확산 거리 thermal diffusion length PWR
- 열 확산 길이 thermal diffusion length μ FILFAL
- 열–전계 방출 Thermionic-field emission TFE DEV
- 열분해 thermal decomposition FIL
- 열산화 Thermal oxidation PRCFIL
- 열수지 heat balance CMP
- 열압착 본더 Thermo-compression bonder TC IND
- 열압착 본딩 Thermocompression bonding TCB PKG
- 열용량 heat capacity Cth PWR
- 열유속 heat flux q'' PWR
- 열잡음 Thermal noise DEVANA
- 열저항 Thermal resistance θ CISPWR
- 열적 ALE Thermal ALE ETC
- 열전도도 thermal conductivity k PWR
- 열전도율 thermal conductivity k PWR
- 열전압 Thermal voltage Vt = kT/q DEV
- 열전자 방출 Thermionic emission TE DEVTCDPWR
- 열초음파 본딩 Thermosonic bonding PKG
- 열팽창 계수 Coefficient of Thermal Expansion CTE PKGPWRINF
- 열팽창 불일치 thermal expansion mismatch PWR
- 열팽창 불일치 응력 thermal mismatch stress PWR
- 열팽창 접합 thermal-expansion closure CMP
- 열평형화 thermalization FIL
- 열폭주 Thermal runaway TST
- 열화 보상 Degradation compensation DSP
- 열활성 지연 형광 Thermally activated delayed fluorescence TADF DSP
- 염기성 AMC bases MB INF
- 염소 첨가 산화 chlorinated oxidation FIL
- 영 온도 계수점 zero temperature coefficient point ZTC PWR
- 영벡터 zero vector PWR
- 영상 기반 오버레이 Image-based overlay IBO LIT
- 영상 로그 기울기 Normalized image log-slope NILS LIT
- 영상력 장벽 저하 Image-force barrier lowering Δφ DEVPWR
- 영역 선택 증착 area-selective deposition ASD FIL
- 영의 이중 슬릿 Young's double slit OPT
- 영전류 스위칭 zero-current switching ZCS PWR
- 영전압 스위칭 zero-voltage switching ZVS PWR
- 영점 Zero ZP ANACIS
- 영점 저항 Nulling resistor Rz ANA
- 영향 함수 influence function φ_j FIL
- 영향 행렬 influence matrix (function) CMP
- 옆 공핍 전압 lateral depletion voltage V_dep PWR
- 예방 정비 preventive maintenance PM PLSINF
- 예방 조치 Preventive action CAPA FAL
- 예비 셀 Spare cell DSN
- 예비 시스 presheath PLS
- 예약 스테이션 Reservation station (scheduler) SOC
- 예지 정비 predictive maintenance PdM INF
- 오경보 False alarm YLD
- 오믹 경계 조건 Ohmic boundary condition DEV
- 오믹 접촉 Ohmic contact DEVTCD
- 오버 프로비저닝 Over-provisioning OP MEM
- 오버드라이브 Overdrive OD TSTDSP
- 오버드로 Overdraw SOC
- 오버레이 Overlay OVL PRCLITCISINF
- 오버버든 overburden CMP
- 오버샘플링 Oversampling OSR ANA
- 오버슈트 Overshoot ANA
- 오버폴리시 over-polish CMP
- 오버플로 Overflow V DIG
- 오버플로 린스 overflow rinse CMP
- 오버플로 플래그 Overflow flag V DIG
- 오버행 overhang FILCMP
- 오버행 / 보이드 Overhang / void PRC
- 오보닉 임계 스위치 Ovonic threshold switch OTS MEM
- 오염 지연 Contamination delay tcd DIG
- 오일러 경로 Euler path DIGDSN
- 오제 재결합 Auger recombination C DEVTCD
- 오제 전자 분광 Auger electron spectroscopy AES FAL
- 오제 중성화 Auger neutralization PLS
- 오존수 ozonated DIW DIO₃ CMP
- 오지목 False accusation YLD
- 오프 누설 전류 Off-state leakage current I_off DSP
- 오프 전류 Off current (leakage) Ioff DIG
- 오프칩 통신 Off-chip communication SOC
- 오프컷 off-cut PWR
- 오픈 비트라인 Open bitline MEM
- 오픈 페이지 Open-page MEM
- 온 저항 On-resistance Ron ANA
- 온/오프 비 On/off current ratio DSP
- 온다이 터미네이션 On-die termination ODT MEM
- 온다이 ECC On-die ECC ODECC MEM
- 온도 경사 temperature ramp (zone tilt) FIL
- 온도 계수 Temperature coefficient TC ANA
- 온도 교차점 zero temperature coefficient point ZTC PWR
- 온도 리프트 lift INF
- 온도 민감 전기 변수 temperature-sensitive electrical parameter TSEP PWR
- 온도 민감도 temperature sensitivity of diffusion S_T FIL
- 온도 사이클 시험 Temperature Cycling TC PKG
- 온도 역전 Temperature inversion DIG
- 온보드 충전기 on-board charger OBC PWR
- 온셀 터치 On-cell touch Y-OCTA DSP
- 온저항 on-resistance R_DS(on) PWR
- 온저항 온도 계수 temperature coefficient of on-resistance PWR
- 온칩 마이크로렌즈 On-chip microlens OCL, ML OPT
- 온칩 인터커넥트 On-chip interconnect SOC
- 와이블 분포 Weibull distribution DEVFILFALTSTCISPWR
- 와이어 그리드 편광자 Wire-grid polarizer WGP OPT
- 와이어 들뜸 bond wire lift-off PWR
- 와이어 본딩 Wire bonding W/B PKGIND
- 와이어 스윕 Wire sweep PKG
- 와전류 센서 eddy current sensor CMP
- 와플 슬래브 waffle slab INF
- 완전 공간 무작위 Complete spatial randomness CSR YLD
- 완전 정합층 Perfectly matched layer PML OPTCIS
- 완전 차동 Fully differential ANA
- 완충 시간 buffer / ride-through time INF
- 왕복 효율 round-trip efficiency PWR
- 왜곡 Distortion OPT
- 왜곡 보정 Distortion pre-correction DSP
- 외관 검사 External visual inspection FAL
- 외기조화기 Make-up Air Unit MAU INF
- 외부 게이트 저항 external gate resistor R_G PWR
- 외부 보상 External compensation DSP
- 외부 양자 효율 External quantum efficiency EQE DEVDSP
- 외인성 결함 extrinsic defect PWR
- 외인성 영역 Extrinsic region DEV
- 외인성 확산 Extrinsic diffusion DOP
- 요구 시 작동 실패 확률 Probability of Failure on Demand PFD INF
- 요구 시각 Required time DIG
- 욕조 곡선 Bathtub curve DEVFALPKGTSTPWRINF
- 용량 결합 플라즈마 capacitively coupled plasma CCP PLS
- 용량 등가 두께 Capacitance equivalent thickness CET TCD
- 용량성 전하 capacitive charge Q_c PWR
- 용존산소 Dissolved Oxygen DO INF
- 용해도곱 solubility product K_sp INF
- 우반면 영점 Right-half-plane zero RHP zero ANA
- 우세 극점 Dominant pole ANA
- 운동량 전달 충돌 빈도 momentum-transfer collision frequency ν_m PLS
- 운동량 전달 충돌 주파수 momentum-transfer collision frequency ν_m PLS
- 운동론 모델 kinetic model PLS
- 운쉬–벨 관계 Wunsch–Bell relation DEV
- 운영비 operating expenditure OPEX INF
- 운전자 모니터링 시스템 Driver monitoring system DMS CIS
- 움직임 추정 Motion estimation ME SOC
- 워드 수 Word count WC CIS
- 워드라인 Wordline WL DIGMEM
- 워프 Warp (wavefront) SOC
- 원-핫 인코딩 One-hot encoding DSN
- 원격 플라즈마 remote plasma FILPLS
- 원격 플라즈마 소스 remote plasma source RPS PLS
- 원격 플라즈마 챔버 세정 remote plasma chamber clean RPS clean PLS
- 원단위 unit consumption, intensity INF
- 원색 Primary color DSP
- 원수 raw water INF
- 원시 비트 오류율 Raw bit error rate RBER MEM
- 원자 연산 Atomic operation SOC
- 원자 피닝 atomic peening FIL
- 원자층 식각 Atomic layer etching ALE PRCETCFIL
- 원자층 증착 Atomic layer deposition ALD PRCFILMEMIND
- 원추세포 Cone cell L·M·S DSP
- 원통 접합 cylindrical junction PWR
- 원편광판 Circular polarizer DSP
- 원핫 인코딩 One-hot encoding DIG
- 월 투입 웨이퍼 수 Wafer Starts Per Month WSPM INF
- 월리스 트리 Wallace tree DIG
- 웜홀 라우팅 Wormhole routing SOC
- 웨버 법칙 Weber's law ΔL/L DSP
- 웨어 레벨링 Wear leveling MEM
- 웨이퍼 Wafer IND
- 웨이퍼 간 균일도 wafer-to-wafer uniformity WTW FIL
- 웨이퍼 간 불균일도 Wafer-To-Wafer Non-Uniformity WTWNU CMP
- 웨이퍼 간 비교 Wafer-to-wafer comparison YLD
- 웨이퍼 내 불균일도 Within-Wafer Non-Uniformity WIWNU CMP
- 웨이퍼 레벨 번인 Wafer-level burn-in WLBI TST
- 웨이퍼 맵 Wafer map PKG
- 웨이퍼 맵 무늬 Wafer map signature FAL
- 웨이퍼 박화 wafer thinning, backgrinding CMP
- 웨이퍼 스테이지 Wafer stage LIT
- 웨이퍼 안 균일도 within-wafer uniformity WIW FIL
- 웨이퍼 없는 자동 세정 waferless auto clean WAC PLS
- 웨이퍼 테스트 Wafer sort / circuit probe EDS · CP YLDFALTSTMEM
- 웨이퍼 테스트 수율 Wafer sort yield / die yield YLD
- 웨이퍼 투입량 Wafer starts per month WSPM IND
- 웨이퍼 휨 wafer bow δ FILCMPPWR
- 웨이퍼당 다이 수 Dies per wafer DPW SOCPRCYLDCISPWRIND
- 웨지 본딩 Wedge bonding PKG
- 웰 Well PRCDOP
- 위너 디컨볼루션 Wiener Deconvolution CIS
- 위상 고정 루프 Phase-locked loop PLL SOCANA
- 위상 반전 마스크 Phase-shift mask PSM PRC
- 위상 변이 마스크 Phase-shift mask PSM LIT
- 위상 상관 Phase Correlation CIS
- 위상 속도 Phase velocity v_p OPT
- 위상 앞섬 보상 Lead Compensation CIS
- 위상 언래핑 Phase Unwrapping CIS
- 위상 여유 Phase margin PM ANACIS
- 위상 영상 Phase image FAL
- 위상 잡음 Phase noise L(f) ANA
- 위상 전달 함수 Phase transfer function PTF OPT
- 위상 주파수 검출기 Phase-frequency detector PFD ANA
- 위상 지연 Retardation Δn·d DSP
- 위상·주파수 검출기 Phase-frequency detector PFD SOC
- 위상각 phase angle φ PLS
- 위상차 AF Phase-detection autofocus PDAF OPTCIS
- 위치 기반·시장 기반 location-based / market-based INF
- 위험 노출 웨이퍼 Wafers at risk WAR YLD
- 위험 우선순위 수 Risk priority number RPN FAL
- 윈도 방법 Window method YLD
- 윌리엄스–브라운 식 Williams–Brown model TST
- 윙클러·파스테르나크 기초 Winkler / Pasternak foundation CMP
- 유기 발광 다이오드 Organic light-emitting diode OLED DSP
- 유기 오염 organic contamination CMP
- 유도 게이트 잡음 Induced gate noise DEV
- 유도 결합 플라스마 Inductively coupled plasma ICP / TCP ETC
- 유도 결합 플라즈마 inductively coupled plasma ICP PLS
- 유도 결합 플라즈마 식각 ICP etch with bias ICP PLS
- 유도 방출 Stimulated emission DEV
- 유도성 부하 inductive load PWR
- 유동성 CVD flowable CVD FCVD FIL
- 유럽 반도체법 European Chips Act IND
- 유럽 효율 European efficiency η_EU PWR
- 유리 관통 비아 Through Glass Via TGV PKG
- 유리 원장 세대 Mother glass generation Gen DSP
- 유리 전이 온도 glass transition temperature Tg CMPPKG
- 유연한 데이터 배치 Flexible data placement FDP MEM
- 유용한 스큐 Useful skew DIGDSNSOC
- 유전 이완 시간 dielectric relaxation time τ_d PLS
- 유전막 충전 dielectric charging PLS
- 유전율 Permittivity ε TCD
- 유전율 이방성 Dielectric anisotropy Δε DSP
- 유지 전류 holding current I_H PWR
- 유체 모델 fluid model PLS
- 유체 윤활 hydrodynamic lubrication CMP
- 유체역학 모델 Hydrodynamic model HD TCD
- 유출 Test escape TST
- 유출 비용 Escape cost TST
- 유카와 전위 Yukawa (screened Coulomb) potential PLS
- 유한 격자 불안정 finite grid instability PLS
- 유한 상태 기계 Finite state machine FSM DIGDSN
- 유한 요소법 Finite element method FEM TCDOPT
- 유한 차분 시간 영역법 Finite-difference time-domain FDTD OPT
- 유한 차분법 Finite difference method FDM TCD
- 유한 체적법 Finite volume method FVM TCD
- 유효 굴절률 Effective index n_eff OPT
- 유효 매질 이론 Effective medium theory EMT CIS
- 유효 면적 effective loss area A_eff PLS
- 유효 밀도 effective density ρ_eff CMP
- 유효 비트 수 Effective number of bits ENOB ANA
- 유효 상태 밀도 Effective density of states Nc / Nv DEVTCD
- 유효 스위칭 커패시턴스 Effective switched capacitance Ceff DIGSOC
- 유효 저항 Effective resistance Reff DIG
- 유효 전기장 effective electric field E_eff PLS
- 유효 전자 온도 effective electron temperature T_eff PLS
- 유효 질량 Effective mass m* DEV
- 유효 초점 거리 Effective focal length EFL OPT
- 유효 탄성률 effective (reduced) modulus E* CMP
- 유효 펌핑 속도 effective pumping speed S_eff FIL
- 유효 프레임 수 Effective frame count N_eff CIS
- 유효 플라즈마 길이 effective plasma size d_eff PLS
- 유효 Dt effective Dt FIL
- 유휴 톤 Idle tones ANA
- 육방형 비율 hexagonality PWR
- 은 소결 silver sintering PWR
- 은 에폭시 Silver-filled epoxy paste PKG
- 음 바이어스 negative gate bias PWR
- 음 바이어스 온도 불안정성 Negative Bias Temperature Instability NBTI DEV
- 음극 강하 cathode fall V_c PLS
- 음성 레지스트 Negative-tone resist LIT
- 음성 톤 현상 Negative-tone development NTD LIT
- 음의 커패시턴스 FET Negative-capacitance FET NCFET DEV
- 음이온성 첨가제 anionic additive (PAA) CMP
- 음이항 모델 Negative binomial yield model YLD
- 음이항 수율 모델 Negative binomial yield model PRCCMP
- 음향 경계층 acoustic boundary layer CMP
- 음향 방출 Acoustic Emission AE CMP
- 음향 임피던스 Acoustic impedance Z FAL
- 음향 흐름 acoustic streaming CMP
- 응답 시간 Response time (GtG) GtG DSP
- 응답 시간 측정 Response time measurement DSP
- 응답도 Responsivity R (A/W) DEV
- 응력 반전 stress reversal FIL
- 응력 완화 Stress relief PKG
- 응력 완화 버퍼 strain-relief buffer PWR
- 응집 agglomeration, aggregation CMPINF
- 응집체 agglomerate CMP
- 의사 정합 성장 Pseudomorphic growth DEV
- 의사 채널 Pseudo channel MEM
- 의사 nMOS Pseudo-nMOS DIG
- 이 격자 Yee lattice OPT
- 이격 거리 keep-off distance CMP
- 이동 단위 수 Number of Transfer Units NTU INF
- 이동 이온 mobile ions PWR
- 이동도 Mobility μ DEVPLSTCD
- 이동도 저하 Mobility degradation θ DEV
- 이득 대역폭 곱 Gain-bandwidth product GBW ANA
- 이득 둔감화 Gain desensitization ANA
- 이득 여유 Gain margin GM ANACIS
- 이로전 Erosion PRCCMP
- 이류 불안정 two-stream instability PLS
- 이면 조사형 Back-side illumination BSI CIS
- 이미지 래그 Image lag CIS
- 이미지 서클 Image circle CIS
- 이미지 센서 CMOS image sensor CIS IND
- 이미지 신호 처리기 Image Signal Processor ISP SOCCIS
- 이미징 색채계 Imaging colorimeter DSP
- 이미터 / 베이스 / 컬렉터 Emitter / base / collector E / B / C DEV
- 이방성 Anisotropic ETCPLS
- 이방성 습식 식각 Anisotropic wet etching (KOH / TMAH) ETC
- 이방성 식각 Anisotropic etch LITPLS
- 이벤트 구동 시뮬레이션 Event-driven simulation DIG
- 이벤트 센서 Event-based vision sensor DVS / EVS CIS
- 이산 코사인 변환 Discrete Cosine Transform DCT SOC
- 이산화 오차 Discretization error TCD
- 이상 계수 Ideality factor n DEVTCD
- 이상 글로 abnormal glow PLS
- 이상 기체 ideal gas FIL
- 이상 발생 Excursion YLD
- 이상 스위치 ideal switch PWR
- 이상 표피 효과 anomalous skin effect δ_a PLS
- 이상적 SNR Ideal SNR ANA
- 이색성 편광자 Dichroic polarizer OPT
- 이오나이저 ionizer INF
- 이온 각도 분포 Ion angular distribution IAD / IADF ETCPLS
- 이온 강화 식각 Ion-enhanced etching ETCPLS
- 이온 강화 식각 속도 모델 ion-enhanced etch rate model PLS
- 이온 그림자 Ion shadowing ETC
- 이온 끌림 ion drag force PLS
- 이온 소스 Ion source DOP
- 이온 에너지 ion energy FIL
- 이온 에너지 분포 Ion energy distribution IED / IEDF ETCFILPLS
- 이온 에너지 플럭스 ion energy flux q_ion PLS
- 이온 전이 시간 ion transit time τᵢ PLS
- 이온 제한 영역 ion-limited regime PLS
- 이온 주입 Ion implantation PRCTCDCIS
- 이온 충격 에너지 ion energy lost at the wall 𝓔ᵢ PLS
- 이온 통과 시간 ion transit time τᵢ PLS
- 이온 평균 자유 행로 ion mean free path λᵢ PLS
- 이온 포화 전류 ion saturation current I_is PLS
- 이온 플라즈마 주파수 ion plasma frequency f_pi PLS
- 이온 플럭스 ion flux Γᵢ PLS
- 이온-라디칼 시너지 Ion-neutral synergy ETC
- 이온-래디컬 시너지 ion–radical synergy PLS
- 이온-이온 재결합 ion-ion recombination PLS
- 이온-이온 플라즈마 ion-ion plasma PLS
- 이온-중성 시너지 ion–neutral synergy PLS
- 이온당 총 손실 에너지 total energy lost per ion 𝓔_T PLS
- 이온화 Ionization ETC
- 이온화 계수 Impact ionization coefficient α_n, α_p DEVPWR
- 이온화 불순물 산란 Ionized impurity scattering DEV
- 이온화 속도 계수 ionization rate coefficient K_iz PLS
- 이온화 에너지 Ionization energy Ed, Ea DEVPLS
- 이온화 적분 Ionization integral DEVPWR
- 이온화 PVD ionized PVD iPVD FIL
- 이온화도 ionization degree nₑ/N PLS
- 이용률 Utilization DSNINF
- 이웃 쌍 통계 Join count statistic YLD
- 이원 확산 계수 binary diffusion coefficient D FIL
- 이젝터 핀 Ejector pin (needle) PKG
- 이종 에피 heteroepitaxy PWR
- 이종 접합 Heterojunction DEV
- 이종 접합 바이폴라 트랜지스터 Heterojunction bipolar transistor HBT DEV
- 이종 집적 Heterogeneous integration HI PKG
- 이종 컴퓨팅 Heterogeneous computing SOC
- 이중 레일 도미노 Dual-rail domino DIG
- 이중 변환 이득 Dual conversion gain DCG CIS
- 이중 빔 Dual beam (FIB-SEM) FAL
- 이중 수전 dual utility feed INF
- 이중 응력 라이너 dual stress liner DSL FIL
- 이중 이종 구조 Double heterostructure DH DEV
- 이중 주파수 용량 결합 플라즈마 dual-frequency capacitively coupled plasma DF-CCP PLS
- 이중 주파수 CCP dual-frequency CCP DF-CCP PLS
- 이중 주파수 PECVD dual-frequency PECVD FIL
- 이중 펄스 시험 Double-pulse test DPT DEVPWR
- 이중 피어슨 Dual Pearson TCD
- 이중관 double containment, coaxial tubing INF
- 이진 충돌 근사 Binary collision approximation BCA TCD
- 이차 배치 Quadratic placement DSN
- 이차 수렴 Quadratic convergence TCD
- 이차 이온 질량 분석 Secondary ion mass spectrometry SIMS FAL
- 이차 전자 Secondary electron SE YLDFAL
- 이퀄라이저 Equalizer FFE SOC
- 이항 검정 Binomial test YLD
- 이형·동형 접합 Anisotype / isotype heterojunction DEV
- 익스텐션 Source/drain extension SDE DOP
- 인공물 Artifact FAL
- 인광 Phosphorescence PhOLED DSP
- 인덕터 전류 리플 inductor current ripple Δi_L PWR
- 인덱스 시간 Index time TST
- 인라인 검사 Inline inspection YLD
- 인버터 inverter VFD PWRINF
- 인산 식각 Hot phosphoric acid etch ETC
- 인센서 처리 In-Sensor Processing CIS
- 인셀 터치 In-cell touch DSP
- 인쇄 검증 Print check YLD
- 인쇄성 Printability YLD
- 인시추 도핑 In-situ doping DOP
- 인시투 광학 측정 in-situ spectral reflectometry CMP
- 인시투·엑스시투 컨디셔닝 in-situ / ex-situ conditioning CMP
- 인체 모델 Human body model HBM FAL
- 인체 모델 / 대전 소자 모델 Human Body Model / Charged Device Model HBM/CDM DEV
- 인터럽트 Interrupt IRQ SOC
- 인터럽트 병합 Interrupt coalescing SOC
- 인터럽트 컨트롤러 Generic Interrupt Controller GIC SOC
- 인터록 Interlock YLDFALINF
- 인터리빙 interleaving PWR
- 인터포저 Interposer PKGMEMIND
- 인트라베이·인터베이 intrabay / interbay INF
- 일관 표본화 Coherent sampling ANA
- 일반 지수 분포 generalized exponential distribution PLS
- 일일 전체 쓰기 횟수 Drive writes per day DWPD MEM
- 일일 탱크 day tank INF
- 일함수 Work function φm, φs DEVTCD
- 일함수 금속 Work-Function metal WFM CMP
- 일함수 변동 Work-function variation WFV TCD
- 일함수 차 Work-function difference φms DEV
- 읽기 교란 Read disturb DIG
- 읽기 노이즈 Read noise σ_r CIS
- 읽기 노이즈 페널티 Read noise penalty CIS
- 읽기 디스터브 Read disturb MEM
- 읽기 명령 Read command RD MEM
- 임계 경로 Critical path DIGDSNSOC
- 임계 두께 Critical thickness h_c DEV
- 임계 면적 critical area A_c CMPYLD
- 임계 분해 전단 응력 critical resolved shear stress CRSS FIL
- 임계 융합 주파수 Critical flicker fusion CFF DSP
- 임계 장벽 두께 critical barrier thickness d_c PWR
- 임계 전계 critical electric field E_c PWR
- 임계 전기장 Critical electric field ℰ_c DEV
- 임계 전도 모드 critical conduction mode CrM PWR
- 임계 전하 Critical charge Qcrit DIG
- 임계 종횡비 critical aspect ratio CMP
- 임계 치수 Critical dimension CD LIT
- 임계 핵 critical nucleus r* FIL
- 임계각 Critical angle ψ FILDOPOPT
- 임베디드 데이터 Embedded data CIS
- 임시 본딩 Temporary bonding and debonding TBDB PKG
- 임피던스 장 방법 Impedance field method IFM TCD
- 임피던스 정합 impedance matching PLS
- 임피던스 정합기 impedance matching network PLS
- 입력 고레벨 전압 Input high voltage VIH DIG
- 입력 누설 전류 Input leakage IIL/IIH TST
- 입력 오프셋 전압 Input offset voltage VOS ANA
- 입력 정형 Input shaping CIS
- 입력 지연 Input lag DSP
- 입력 커패시턴스 input capacitance C_iss PWR
- 입력 환산 노이즈 Input-referred noise CIS
- 입력 환산 잡음 Input-referred noise ANA
- 입사동 Entrance pupil EP OPTCIS
- 입자 간 평균 거리 Wigner–Seitz radius a PLS
- 입자 균형 particle balance PLS
- 입자 오염 particle contamination CMP
- 입자 제거 효율 Particle Removal Efficiency PRE CMP
- 입자-격자법 particle-in-cell PIC PLS
- 입체 장애 steric hindrance FIL
- 입체각 Solid angle sr DSP
- 입출력 단자 Input/Output I/O PKG
- 잉곳 Ingot PRC
- 잉크젯 프린팅 Inkjet printing IJP DSP
- Ψ와 Δ Psi and Delta FIL
ㅈ
- 자가 발열 Self-heating DEV
- 자급률 Self-sufficiency rate IND
- 자기 강성 Magnetic rigidity Bρ DOP
- 자기 바이어스 DC self-bias V_dc ETCFILPLS
- 자기 발열 Self-heating TCD
- 자기 저항 메모리 Magnetoresistive RAM MRAM MEM
- 자기 정렬 Self-alignment PRCDOPPKG
- 자기 정렬 사중 패터닝 Self-aligned quadruple patterning SAQP LIT
- 자기 정렬 이중 패터닝 Self-aligned double patterning SADP LIT
- 자기 정렬 콘택 Self-Aligned Contact SAC CMP
- 자기 정전용량 Self-capacitance DSP
- 자기 정지 self-stopping CMP
- 자기 제한 Self-limiting ETCFIL
- 자기 제한 반응 self-limiting reaction FIL
- 자기 터널 접합 Magnetic tunnel junction MTJ MEM
- 자기장 가로 확산 cross-field diffusion D⊥ PLS
- 자기장 감쇠 magnetic field decay INF
- 자동 결함 분류 Automatic Defect Classification ADC CMPYLD
- 자동 물류 반송 시스템 Automated Material Handling System AMHS INF
- 자동 영점 Auto-zeroing AZ ANA
- 자동 정합기 automatic matching network PLS
- 자동 테스트 장비 Automatic test equipment ATE FALTST
- 자동 테스트 패턴 생성 Automatic test pattern generation ATPG FAL
- 자동 패턴 분류 Automatic pattern classification YLD
- 자동 화이트 밸런스 Auto white balance AWB CIS
- 자동 휘도 제한 Auto brightness limiter ABL DSP
- 자발 분극 spontaneous polarization P_sp PWR
- 자발 식각 Spontaneous (chemical) etching ETC
- 자세차 Posture difference CIS
- 자연 길이 Natural length λ DEV
- 자연 산화막 native oxide CMP
- 자연발화성 pyrophoric INF
- 자연산화막 native oxide INF
- 자이델 수차 Seidel aberrations OPT
- 자체 유지 조건 self-sustainment condition PLS
- 작동 F-넘버 Working F-number N_w OPT
- 잔광 afterglow PLS
- 잔류 산화막 oxide residue CMP
- 잔류 입자 residual particle CMP
- 잔류물 Residue YLD
- 잔여 수명 Remaining Useful Life RUL INF
- 잔차 Residual LITTCD
- 잠금·표지 Lockout/Tagout LOTO INF
- 잠복기 incubation time t_inc FIL
- 잠열 latent heat INF
- 잠재 결함 Latent defect TST
- 잠재 고장 지표 Latent fault metric LFM CIS
- 잡음 대역폭 Noise bandwidth Bn ANA
- 잡음 등가 온도차 Noise equivalent temperature difference NETD CIS
- 잡음 성형 Noise shaping ANA
- 잡음 전달 함수 Noise transfer function NTF ANA
- 잡음 지수 Noise figure NF DEV
- 잡음 초과 계수 Excess noise factor γ ANA
- 잡음 파라미터 Noise parameters DEV
- 잡음 해석 Noise analysis .noise ANA
- 장벽층 Barrier / liner DIG
- 장비 시그니처 Tool signature YLD
- 장비 전단 모듈 Equipment Front End Module EFEM CMP
- 장치 전원 Device power supply DPS TST
- 재검출 Redetection YLD
- 재결합 Recombination R DEV
- 재결합 발광 Recombination radiation FAL
- 재결합 버퍼층 recombination-enhancing buffer layer PWR
- 재결합 에너지 recombination energy E_rec PLS
- 재결합 확률 recombination probability FIL
- 재결합–생성 전류 Recombination–generation current J_gr DEV
- 재고 일수 Days of inventory DOI IND
- 재공 Work In Process WIP INF
- 재구성 웨이퍼 Reconstituted wafer PKG
- 재배선층 Redistribution layer RDL PKG
- 재생 래치 regenerative latching PWR
- 재생 시정수 Regeneration time constant τ DIG
- 재생성 Regeneration DIG
- 재스퍼터 resputtering FIL
- 재유입 re-entrainment INF
- 재이용률 reuse ratio INF
- 재점화 re-ignition PLS
- 재정렬 버퍼 Reorder Buffer ROB SOC
- 재주문점 reorder point ROP INF
- 재증착 Redeposition FAL
- 재진입 흐름 re-entrant flow INF
- 재테스트 Retest YLD
- 쟁기질·절삭 plowing / cutting CMP
- 저감 장치 abatement PLS
- 저굴절 그리드 Low-n (air-gap) grid OPT
- 저농도 도핑 드레인 Lightly Doped Drain LDD DEV
- 저더 Judder DSP
- 저압 화학 기상 증착 low-pressure CVD LPCVD FIL
- 저온 다결정 실리콘 Low-temperature polysilicon LTPS DSP
- 저온 비평형 플라즈마 low-temperature non-equilibrium plasma PLS
- 저온 주입 Cryogenic implant DOP
- 저유전막 Low-k dielectric low-k PRCCMPFAL
- 저유전율 절연막 Low-k dielectric low-k DIG
- 저잡음 증폭기 Low-noise amplifier LNA DEV
- 저장 시간 Storage time t_s DEV
- 저장 전하 Stored charge Q_s DEVPWR
- 저장 커패시터 Storage capacitor C_st DSP
- 저장 탄성률 storage modulus E′ CMP
- 저전압 차단 under-voltage lockout UVLO PWR
- 저주파 / 고주파 C–V Low- / high-frequency C–V LF / HF C–V DEV
- 저준위 주입 Low-level injection DEV
- 저지 대역 Stopband OPT
- 저지속 구동 Low persistence DSP
- 저항 가열 ohmic heating PLS
- 저항 변화 메모리 Resistive RAM ReRAM MEM
- 저항 온도 계수 Temperature coefficient of resistance TCR FAL
- 저항성 결함 Resistive defect FAL
- 적분 시간 Integration time FAL
- 적외선 차단 필터 IR-cut filter IRCF CIS
- 적응 격자 Adaptive meshing TCD
- 적응형 클럭 Adaptive clocking SOC
- 적응형 테스트 Adaptive test TST
- 적재-사용 해저드 Load-use hazard SOC
- 적재-저장 구조 Load-store architecture SOC
- 적중률 Hit rate YLDMEM
- 적층 높이 Stack height PKG
- 적층 버스바 laminated busbar PWR
- 적층 센서 Stacked sensor CIS
- 적층 패드 stacked pad CMP
- 전가산기 Full adder FA DIG
- 전계 방출 Field emission FE DEV
- 전계 효과 이동도 field-effect mobility μ_FE PWR
- 전계발광 양자점 Electroluminescent QD QD-LED DSP
- 전계효과 이동도 Field-effect mobility µ_FE DSP
- 전고조파 왜곡 total harmonic distortion THD PWR
- 전고조파 왜형률 Total Harmonic Distortion THD INF
- 전기 음성 플라즈마 electronegative plasma PLS
- 전기 음성도 electronegativity α PLS
- 전기 음성도 비 electronegativity α PLS
- 전기 이중층 Electrical Double Layer EDL CMP
- 전기-열 결합 electro-thermal coupling PWR
- 전기-열 자기 일치 electro-thermal self-consistency PWR
- 전기광학 주파수 매핑 Electro-optical frequency mapping EOFM · LVI FAL
- 전기력선 이온화 적분 ionization integral along field line PWR
- 전기적 과부하 Electrical overstress EOS FAL
- 전기적 노력 Electrical effort h DIG
- 전기탈이온 Electrodeionization EDI INF
- 전단 지연 모델 shear-lag model PWR
- 전달 전력 delivered power P_del PLS
- 전달 컨덕턴스 transconductance g_fs PWR
- 전달 행렬법 Transfer matrix method TMM OPTCIS
- 전달률 transmissibility T INF
- 전도 손실 conduction loss PWR
- 전도대 / 가전자대 Conduction / valence band Ec / Ev DEV
- 전도도 변조 Conductivity modulation DEVPWR
- 전력 관리 IC Power management IC PMIC SOC
- 전력 구매 계약 Power Purchase Agreement PPA INF
- 전력 균형 power balance PLS
- 전력 모듈 power module PWR
- 전력 밀도 power density PWR
- 전력 반도체 Power semiconductor IND
- 전력 반도체 소자 Power semiconductor device DEV
- 전력 배출계수 grid emission factor INF
- 전력 변환 power conversion PWR
- 전력 예산 Power budget CIS
- 전력 전달 효율 power transfer efficiency η PLS
- 전력 전자 power electronics PWR
- 전력 MOSFET power MOSFET PWR
- 전류 리플 current ripple PWR
- 전류 모드 밴드갭 Current-mode bandgap ANA
- 전류 미러 Current mirror ANA
- 전류 밀도 Current density ID/W ANA
- 전류 붕괴 Current collapse (dynamic R_on) DEVPWR
- 전류 필라멘트 current filament PWR
- 전류 효율 Current efficiency cd/A ANADSP
- 전리 손상 Total ionizing dose TID CIS
- 전리도 ionization degree x PLS
- 전면 발광 Top emission TE DSP
- 전면 불량 Near-full YLD
- 전면 조사형 Front-side illumination FSI CIS
- 전반사 Total internal reflection TIR OPTDSP
- 전비 energy consumption per distance Wh/km PWR
- 전송 게이트 Transmission gate TG DIGCIS
- 전송 지연 Transport delay DIG
- 전송선 transmission line PLS
- 전송선 모형 Transfer length method TLM DEV
- 전송선 펄스 Transmission Line Pulse TLP DEV
- 전압 대비 Voltage contrast VC YLDFAL
- 전압 드룹 Voltage droop SOC
- 전압 디레이팅 voltage derating PWR
- 전압 영역 글로벌 셔터 Voltage-domain global shutter CIS
- 전압 오버슈트 voltage overshoot PWR
- 전압 전달 특성 Voltage transfer characteristic VTC DEVDIGSOC
- 전압 정재파비 voltage standing wave ratio VSWR PLS
- 전압 제어 발진기 Voltage-controlled oscillator VCO SOCANA
- 전압–투과율 곡선 Voltage–transmittance curve V–T DSP
- 전압형 인버터 voltage-source inverter VSI PWR
- 전역 모델 global model PLS
- 전역 배선 Global routing DSN
- 전역 변동 Global (die-to-die) variation D2D DIG
- 전역 평탄화 global planarization CMP
- 전용 가속기 Fixed-function accelerator SOC
- 전원 게이팅 Power gating DIGSOC
- 전원 분배망 Power Delivery Network PDN PKG
- 전원 잡음 제거비 Power-supply rejection ratio PSRR ANA
- 전원망 Power delivery network PDN SOC
- 전이 영역 transition mode FIL
- 전이 온도 transition temperature T* FIL
- 전이 주파수 Transition frequency fT ANA
- 전이층 interfacial transition layer FILPWR
- 전자 관성 인덕턴스 electron inertia inductance L_p PLS
- 전자 그늘 Electron shading ETCPLS
- 전자 밀도 electron density nₑ PLS
- 전자 사이클로트론 공명 electron cyclotron resonance ECR PLS
- 전자 사태 electron avalanche PLS
- 전자 설계 자동화 Electronic design automation EDA IND
- 전자 수송층 Electron transport layer ETL DSP
- 전자 에너지 분포 함수 electron energy distribution function EEDF FILPLS
- 전자 에너지 손실 분광 Electron energy loss spectroscopy EELS FAL
- 전자 에너지 확률 함수 electron energy probability function EEPF PLS
- 전자 온도 electron temperature Te ETCFILPLS
- 전자 이동 Electromigration EM DIGPRCFAL
- 전자 저지 Electronic stopping Sₑ DOP
- 전자 증배 CCD Electron-multiplying CCD EMCCD CIS
- 전자 지연 영역 electron retardation region PLS
- 전자 진동 진폭 electron oscillation amplitude x₀ PLS
- 전자 충돌 이온화 electron-impact ionization PLS
- 전자 충돌 해리 electron-impact dissociation FILPLS
- 전자 친화도 Electron affinity χ DEVTCD
- 전자 평균 자유 행로 electron mean free path λₑ PLS
- 전자 포화 전류 electron saturation current I_es PLS
- 전자 플라즈마 주파수 electron plasma frequency f_pe PLS
- 전자 회절 Electron diffraction SAED FAL
- 전자-이온 쌍당 충돌 손실 collisional energy loss per electron–ion pair 𝓔_c PLS
- 전자-전자 충돌 electron–electron collision e-e PLS
- 전자-정공 쌍 Electron-hole pair EHP CIS
- 전자빔 검사 Electron beam inspection EBI YLD
- 전자빔 묘화기 E-beam mask writer LIT
- 전자빔 손상 Electron beam damage FAL
- 전자빔 수축 E-beam shrinkage YLD
- 전자빔 유기 전류 Electron beam induced current EBIC FAL
- 전자빔 증발 electron-beam evaporation FIL
- 전자빔 프로빙 Electron-beam probing EBP FAL
- 전자빔 흡수 전류 Electron beam absorbed current EBAC FAL
- 전자식 손떨림 보정 Electronic image stabilization EIS CIS
- 전장 Total track length TTL OPT
- 전착 디스크 electroplated Ni-bond disk CMP
- 전처리 Preconditioning ILU TCD
- 전파 Propagate P DIG
- 전파 지연 Propagation delay tpd DIGSOCTCD
- 전하 공유 Charge sharing DIGMEMCIS
- 전하 교환 charge exchange CX PLS
- 전하 균형 charge balance PWR
- 전하 불균형 charge imbalance δ PLS
- 전하 수집 몬테카를로 Monte Carlo charge collection CIS
- 전하 전송 효율 Charge transfer efficiency CTE CIS
- 전하 제어 모델 charge-control model PWR
- 전하 주입 Charge injection ANA
- 전하 중성 Charge neutrality TCD
- 전하 중성 조건 Charge neutrality DEV
- 전하 중성 xnNd = xpNa Depletion charge balance DEV
- 전하 트레일 Charge trail CIS
- 전하 펌프 Charge pump CP SOCANA
- 전해 도금 Electrochemical plating ECP PRCCMPPKG
- 전해연마 electropolishing EP INF
- 전환점 SNR 딥 SNR drop at transition CIS
- 절대 감도 문턱 Absolute sensitivity threshold μ_p.min CIS
- 절대 차 합 Sum of Absolute Differences SAD SOC
- 절대습도 humidity ratio w INF
- 점 확산 함수 Point spread function PSF OPT
- 점결함 Point defects I, V TCD
- 점성 유동 viscous flow FIL
- 점유율 Occupancy SOC
- 점증 간격 progressive ring spacing PWR
- 점진 채널 근사 Gradual channel approximation GCA DEV
- 접속 밀도 Interconnect density PKG
- 접액부 wetted parts INF
- 접촉 높이 contact height CMP
- 접촉 비저항 Specific contact resistivity ρc DEV
- 접촉 열전도 gap (contact) conductance h PLS
- 접촉 저항 Contact resistance CRES TST
- 접촉각 contact angle θ FILCMP
- 접합 곡률 반지름 junction radius of curvature rj PWR
- 접합 깊이 Junction depth xⱼ DOP
- 접합 보이드 bonding void (Tong–Gösele) CMP
- 접합 온도 Junction temperature Tj SOCPKGCISPWR
- 접합 온도 리플 junction temperature swing ΔTj PWR
- 접합 온도 변동 junction temperature swing ΔTj PWR
- 접합 용량 Junction capacitance Cj DEVTCDCIS
- 접합 종단 Edge termination DEV
- 접합 종단 확장 junction termination extension JTE PWR
- 접합 커패시턴스 Junction capacitance Cdb, Csb ANA
- 접합-냉각수 열저항 junction-to-fluid thermal resistance Rth,j-f PWR
- 접합-케이스 열저항 junction-to-case thermal resistance Rth,j-c PWR
- 접합부–주변 열저항 Junction-to-ambient thermal resistance θ_ja PKG
- 접합부–케이스 열저항 Junction-to-case thermal resistance θ_jc PKG
- 접합의 법칙 Law of the junction DEV
- 접합파 bond wave CMP
- 정 gm 바이어스 Constant-gm bias (β-multiplier) ANA
- 정공 Hole h⁺ DEV
- 정공 수송층 Hole transport layer HTL DSP
- 정공 주입층 Hole injection layer HIL DSP
- 정규 식생 지수 Normalized difference vegetation index NDVI CIS
- 정량 보정 ZAF / Cliff–Lorimer correction ZAF · k FAL
- 정렬 Alignment LIT
- 정렬 마크 Alignment mark LIT
- 정류 rectification PLSPWR
- 정류 루프 commutation loop PWR
- 정류 루프 인덕턴스 commutation loop inductance L_σ PWR
- 정밀 예외 Precise exception SOC
- 정밀 측정 장치 Precision measurement unit PMU TST
- 정반 platen CMP
- 정반사·확산 반사 Specular / diffuse reflection SCI·SCE DSP
- 정상 글로 normal glow PLS
- 정상상태 농도 steady-state concentration INF
- 정상파 Standing wave LITPLS
- 정상파 효과 standing-wave effect PLS
- 정압 static pressure INF
- 정재파 Standing wave PRC
- 정적 노이즈 마진 Static noise margin SNM DIG
- 정적 식각률 Static Etch Rate SER CMP
- 정적 잡음 여유 Static noise margin SNM DIGMEM
- 정적 타이밍 분석 Static Timing Analysis STA DIGDSN
- 정적 해저드 Static hazard DIG
- 정적 CMOS Static CMOS DIG
- 정전 결합 capacitive coupling (from the coil) PLS
- 정전 전위 Electrostatic potential ψ TCD
- 정전 척 Electrostatic chuck ESC ETC
- 정전기 방전 Electrostatic Discharge ESD DEVFALINF
- 정전용량 터치 Capacitive touch DSP
- 정전척 electrostatic chuck ESC PLSYLD
- 정정 불가 비트 오류율 Uncorrectable bit error rate UBER MEM
- 정제기 purifier INF
- 정지 전류 Quiescent current IQ ANA
- 정지 토크 stall torque PWR
- 정지막 Etch stop layer ESL ETCCMP
- 정착 시간 Settling time ts ANATST
- 정확도 Accuracy YLD
- 제거된 성분 Method noise CIS
- 제거비 removal ratio (moment ratio) CMP
- 제거율 Removal Rate RR CMP
- 제거율 표류 removal rate drift CMP
- 제곱 법칙 Square law ANA
- 제너 항복 Zener breakdown DEV
- 제동 복사 Bremsstrahlung FAL
- 제르니케 다항식 Zernike polynomials Z5 … Z11 LITOPT
- 제벡 효과 영상 Seebeck effect imaging SEI FAL
- 제약 랜덤 검증 Constrained random verification SOC
- 제조성 고려 설계 Design For Manufacturability DFM CMP
- 제타 전위 zeta potential ζ CMP
- 제한 수율 Limited yield YLD
- 제한 오리피스 Restrictive Flow Orifice RFO INF
- 제한된 설계 규칙 Restricted Design Rules RDR DSN
- 젤로 효과 Jello effect / skew CIS
- 조건 등색 Metamerism CIS
- 조도 Illuminance lux CISDSP
- 조리개 스톱 Aperture stop OPT
- 조립 낭비 Assembly waste TST
- 조립 수율 Assembly yield YLD
- 조밀-고립 편차 Iso-dense bias LIT
- 조성 경사 Compositional grading DEV
- 조합 논리 Combinational logic DSN
- 조합 루프 Combinational loop DIG
- 존드 네임스페이스 Zoned namespace ZNS MEM
- 존스 벡터 · 존스 행렬 Jones vector / Jones matrix OPT
- 존슨 기준 Johnson Criteria CIS
- 존슨 성능 지수 Johnson figure of merit JFOM PWR
- 존슨 한계 Johnson limit DEV
- 좀머펠트 수 Sommerfeld number So CMP
- 종단 효율 termination efficiency η PWR
- 종말점 Endpoint EP ETCFAL
- 종말점 검출 Endpoint detection EPD PRCPLS
- 종점 검출 EndPoint Detection EPD CMP
- 종합 반도체 기업 Integrated device manufacturer IDM IND
- 종합 반도체 회사 Integrated device manufacturer IDM MEM
- 종형 퍼니스 vertical furnace FIL
- 종횡비 Aspect ratio AR ANALITETCFILPKGMEMDSP
- 종횡비 의존 식각 Aspect ratio dependent etching ARDE PRCMEMCIS
- 좋은 다이 Known good die KGD IND
- 좌절 전반사 Frustrated total internal reflection FTIR CIS
- 좌절된 전반사 Frustrated total internal reflection FTIR OPT
- 좌측 우선 알고리즘 Left-edge algorithm DSN
- 주 식각 Main etch ME ETC
- 주개 Donor DOP
- 주공정 critical path INF
- 주관 화질 계수 Subjective quality factor SQF CIS
- 주광선 Chief ray OPT
- 주광선 입사각 Chief ray angle CRA LIT
- 주광선각 Chief ray angle CRA OPTCIS
- 주기당 식각량 Etch per cycle EPC ETC
- 주름 Crease DSP
- 주변 광선 Marginal ray OPT
- 주변 배열 / 면 배열 Peripheral / area array PKG
- 주변광 명암비 Ambient contrast ratio ACR DSP
- 주변광량 저하 Vignetting (cos⁴ fall-off) CIS
- 주사 음향 현미경 C-mode Scanning Acoustic Microscopy C-SAM PKG
- 주사 전자 현미경 Scanning electron microscope SEM FAL
- 주사 투과 전자 현미경 Scanning transmission electron microscope STEM FAL
- 주사율 Refresh rate Hz DSP
- 주석 액적 Tin droplet LIT
- 주소 사상 Address mapping SOC
- 주요점 Cardinal points OPT
- 주입 담쾰러 수 injection Damköhler number Da_I FIL
- 주입 효율 Emitter injection efficiency γ DEV
- 주파수 결합 frequency coupling PLS
- 주파수 튜닝 frequency tuning PLS
- 주파장 Dominant wavelength λd DSP
- 주평면 Principal plane H, H′ OPT
- 주항 Prime implicant PI DIG
- 주행 사이클 driving cycle PWR
- 준-ALE Quasi-ALE ETC
- 준안정 상태 Metastability SOC
- 준안정 원자 metastable atom Ar* PLS
- 준안정 활성화 Metastable activation DOP
- 준정적 근사 Quasi-static approximation QS DEV
- 준중성 quasineutrality PLS
- 준페르미 준위 Quasi-Fermi level EFn, EFp DEVTCD
- 중간 반전 Moderate inversion ANA
- 중간 버스 컨버터 intermediate bus converter IBC PWR
- 중간 초점 Intermediate focus IF LIT
- 중립면 Neutral plane DSP
- 중립점 거리 Distance from Neutral Point DNP PKG
- 중성 제한 영역 neutral-limited regime PLS
- 중성-이온 플럭스 비 neutral-to-ion flux ratio Γn/Γi PLS
- 중심 무늬 Center YLD
- 중심와 Fovea DSP
- 중앙 유틸리티동 Central Utility Building CUB INF
- 중앙 차폐 Central obscuration LIT
- 중앙 케미컬 공급 Chemical Distribution System CDS INF
- 중재기 Arbiter SOC
- 중전류 주입기 Medium-current implanter DOP
- 중첩 원리 superposition PWR
- 중첩 커패시턴스 Overlap capacitance Cov ANA
- 즉치값 Immediate imm SOC
- 증강형 enhancement-mode (normally-off) E-mode PWR
- 증거 소실 Loss of evidence FAL
- 증기압 vapor pressure P_eq FIL
- 증기압축 냉동 사이클 vapor-compression refrigeration cycle INF
- 증배율 multiplication factor M PWR
- 증분 스텝 펄스 프로그래밍 Incremental step pulse programming ISPP MEM
- 증분 SNR Incremental signal-to-noise ratio CIS
- 증착 deposition FIL
- 증착 원자당 에너지 energy per deposited atom E_p FIL
- 증착 장비 Deposition tool IND
- 증착-식각-증착 dep-etch-dep DED FIL
- 지구온난화지수 Global Warming Potential GWP INF
- 지멘스 스타 Siemens Star CIS
- 지배값 Controlling value DIG
- 지상 표본 거리 Ground Sample Distance GSD CIS
- 지속 성능 Sustained performance SOC
- 지수 가중 이동 평균 Exponentially Weighted Moving Average EWMA CMP
- 지역 집중 위험 Geographic concentration risk IND
- 지연 시간 Latency MEM
- 지연 전위 분석기 retarding field energy analyzer RFEA PLS
- 지연 펄스 delayed pulsing PLS
- 지터 Jitter DIGDSNSOCANATSTCIS
- 직렬 균압 series voltage sharing PWR
- 직렬 저항 Series resistance Rs DEV
- 직렬-병렬 피드백 Series-shunt feedback ANA
- 직선 스크래치 Linear scratch YLD
- 직접 메모리 접근 Direct Memory Access DMA SOC
- 직접 밴드갭 Direct band gap DEV
- 직접 변환 검출기 Direct-conversion detector CIS
- 직접 본딩 Direct (fusion) bonding CIS
- 직접 접합 구리 기판 direct bonded copper DBC PWR
- 직접 터널링 direct tunneling FILMEM
- 직접 풀이기 Direct solver LU TCD
- 직접 ToF Direct time-of-flight dToF CIS
- 직진 플럭스 line-of-sight flux FIL
- 직하형 백라이트 Direct-lit backlight DSP
- 진공 열증착 Vacuum thermal evaporation VTE DSP
- 진공 준위 Vacuum level E_vac DEV
- 진단 커버리지 Diagnostic coverage DC CIS
- 진단 해상도 Diagnostic resolution FAL
- 진단 후보 Diagnosis candidate / suspect FAL
- 진리표 Truth table DIG
- 진성 난수 발생기 True random number generator TRNG SOC
- 진성 영역 Intrinsic region DEV
- 진성 온도 intrinsic temperature PWR
- 진성 캐리어 농도 Intrinsic carrier concentration ni DEVDOPTCD
- 진성 캐리어 밀도 intrinsic carrier density n_i PWR
- 진성 페르미 준위 Intrinsic Fermi level Ei DEV
- 진행파 forward wave PLS
- 진화적 선택 evolutionary selection FIL
- 질량 두께 대비 Mass-thickness contrast FAL
- 질량 분석 자석 Analyzer magnet DOP
- 질량 유량 제어기 mass flow controller MFC FILPLS
- 질량 작용 법칙 Mass-action law np = ni² DEVDOPTCD
- 질량유량제어기 Mass Flow Controller MFC INF
- 질소 퍼지 N₂ purge INF
- 질화 산화막 silicon oxynitride SiON FIL
- 질화갈륨 Gallium nitride GaN DSP
- 질화규소 세라믹 silicon nitride ceramic Si₃N₄ PWR
- 질화막 손실 nitride loss CMP
- 질화알루미늄 세라믹 aluminum nitride ceramic AlN PWR
- 집광 거울 Collector LIT
- 집속 이온 빔 Focused ion beam FIB FAL
- 집중도 Market concentration IND
- 짧은 다이오드 Short-base diode DEV
- 짧은 채널 효과 Short-channel effect SCE TCD
ㅊ
- 차 영상 Difference image YLD
- 차단 밀도 cutoff density n_c PLS
- 차단 영역 Cutoff region ANA
- 차단 주파수 Cutoff (transition) frequency fT DEVOPT
- 차단 피치 Cutoff pitch LIT
- 차동 쌍 Differential pair ANA
- 차동-단일 변환 Differential-to-single-ended conversion ANA
- 차등 산화 doping-enhanced oxidation FIL
- 차등 열화 Differential aging DSP
- 차량용 신뢰성 규격 AEC-Q100 / ISO 26262 ASIL CIS
- 차수 분리 필터 Order-sorting filter CIS
- 차압 계층 pressure cascade INF
- 차일드 법칙 Child law PLS
- 차일드-랭뮤어 법칙 Child–Langmuir law DOP
- 차지 트랩 플래시 Charge trap flash CTF MEM
- 차폐 게이트 트렌치 shielded-gate trench MOSFET SGT PWR
- 차폐형 PDAF Shielded (masked) PDAF pixel OPT
- 착란원 Circle of confusion CoC OPT
- 착화제 complexing agent CMP
- 채널 길이 변조 Channel-length modulation λ DEVDIGANA
- 채널 배선 Channel routing DSN
- 채널 스토퍼 channel stopper PWR
- 채널 이동도 channel mobility μ_ch PWR
- 채널 홀 Channel hole ETCFILMEM
- 채널링 Channeling PRCDOPTCD
- 채찍 효과 Bullwhip effect MEMIND
- 채터 마크 chatter mark CMP
- 챔버 Chamber YLD
- 챔버 매칭 chamber matching PLS
- 챔버 클리닝 chamber cleaning INF
- 처리 소자 Processing Element PE SOC
- 처리량 Throughput wph SOCLITFILYLDTST
- 천이 지연 고장 Transition delay fault TDF FAL
- 천이 폴트 Transition delay fault TDF TST
- 천장 버퍼 Overhead Buffer OHB INF
- 천장 주행 반송 Overhead Hoist Transport OHT INF
- 철의 법칙 Iron law of performance SOC
- 첨단 공정 제어 Advanced process control APC LITCMP
- 첨단 운전자 보조 시스템 Advanced driver assistance systems ADAS CIS
- 첫 실패 중지 Stop on first fail TST
- 첫 실패에서 멈춤 Stop on first fail YLD
- 첫 웨이퍼 효과 first-wafer effect PLS
- 체류 시간 residence time τ ETCFILPLSPWR
- 체이노웨스 식 Chynoweth law PWR
- 체인 진단 Chain diagnosis FAL
- 체커보드 Checkerboard YLD
- 초고속 TLP very fast TLP vf-TLP DEV
- 초광대역 밴드갭 ultra-wide bandgap UWBG PWR
- 초기 고장 Infant mortality TST
- 초기 급성장 initial rapid growth FIL
- 초기 두께 보정 initial thickness offset xᵢ FIL
- 초기 잔광 early afterglow PLS
- 초기 추정 Initial guess TCD
- 초당 테라 연산 Tera Operations Per Second TOPS SOC
- 초박형 유리 Ultra-thin glass UTG DSP
- 초순수 Ultrapure Water UPW CMPINF
- 초음파 현미경 Scanning acoustic microscopy SAM · C-SAM FAL
- 초임계 CO₂ 건조 supercritical CO₂ drying SCF CMP
- 초점 거리 Focal length f CIS
- 초점 심도 Depth of focus DOF PRCLITCMPMEM
- 초점 핫스폿 Focus hotspot YLD
- 초점-노광량 행렬 Focus-exposure matrix FEM LIT
- 초크 필터 RF choke filter PLS
- 초크랄스키법 Czochralski method CZ PRC
- 초크포인트 Chokepoint IND
- 초핑 Chopping ANA
- 총 고조파 왜곡 total harmonic distortion THD PWR
- 총 기록 가능 용량 Terabytes written TBW MEM
- 총 두께 변동 Total Thickness Variation TTV CMP
- 총 두께 편차 Total thickness variation TTV PKG
- 총 소유 비용 Total cost of ownership TCO MEM
- 총 적분 산란 Total integrated scatter TIS OPT
- 총에너지 total energy ε_t PLS
- 총유기탄소 Total Organic Carbon TOC INF
- 최대 발진 주파수 Maximum oscillation frequency f_max DEV
- 최대 전기장 Maximum electric field Emax DEV
- 최대 전력점 추종 maximum power point tracking MPPT PWR
- 최대 투과 입자 크기 Most Penetrating Particle Size MPPS INF
- 최대항 Maxterm M DIG
- 최소 동작 전압 Minimum operating voltage Vmin DIG
- 최소 분해 온도차 Minimum Resolvable Temperature Difference MRTD CIS
- 최소 선폭 F Minimum feature size F LIT
- 최소 식별 차 Just noticeable difference JND DSP
- 최소 식별 차이 Just noticeable difference JND CIS
- 최소 에너지점 Minimum energy point MEP DIG
- 최소 잡음 지수 Minimum noise figure NF_min DEV
- 최소 제곱 맞춤 Least-squares fitting LM TCD
- 최소 클럭 주파수 Minimum clock frequency fmin DIG
- 최소 편향각 Angle of minimum deviation OPT
- 최소항 Minterm m DIG
- 최소항 합 Sum of minterms Σm DIG
- 최적 다이 면적 optimum die area PWR
- 최적 스위칭 주파수 optimum switching frequency PWR
- 최적 시청 거리 Optimal viewing distance DSP
- 최적 초점 Best focus LIT
- 최적 칩 면적 optimum die area a_opt PWR
- 최종 시장 End market IND
- 최종 테스트 Final test IND
- 최종 테스트 수율 Final test yield YLD
- 최하위 비트 Least significant bit LSB ANA
- 추상화 Abstraction DIG
- 추출 Extraction DSN
- 추출 효율 Light extraction efficiency η_ext DEV
- 축상 색수차 Longitudinal chromatic aberration LCA OPT
- 축소 블랭킹 CVT reduced blanking CVT-RB DSP
- 축소 투영 Reduction projection 4× LIT
- 축열식 연소 산화 장치 Regenerative Thermal Oxidizer RTO INF
- 축적 Accumulation DEV
- 축적·공핍·반전 Accumulation / depletion / inversion TCD
- 축적층 저항 accumulation resistance R_acc PWR
- 축전 결합 플라스마 Capacitively coupled plasma CCP ETC
- 축퇴 반도체 Degenerate semiconductor n⁺⁺ / p⁺⁺ DEVTCD
- 출력 고정 데이터 흐름 Output-stationary dataflow OS SOC
- 출력 레벨 Output levels VOH/VOL VOH/VOL TST
- 출력 스윙 Output swing ANA
- 출력 저레벨 전압 Output low voltage VOL DIG
- 출력 저장 에너지 output stored energy E_oss PWR
- 출력 저항 Output resistance ro DEVANA
- 출력 전하 output charge Q_oss PWR
- 출력 주파수 output (fundamental) frequency fo PWR
- 출력 커패시턴스 output capacitance C_oss PWR
- 출력 커패시턴스 에너지 output capacitance stored energy E_oss PWR
- 출사동 Exit pupil XP OPT
- 충돌 그래프 Conflict graph DSN
- 충돌 단면적 collision cross section σ PLS
- 충돌 시스 collisional sheath PLS
- 충돌 연쇄 collision cascade PLS
- 충돌 이온화 Impact ionization α_n, α_p DEVTCDPWR
- 충돌 주파수 collision frequency ν PLS
- 충돌 캐스케이드 collision cascade FIL
- 충돌 표피 collisional skin depth δ_c PLS
- 충돌 플럭스 impingement flux Φ FIL
- 충전탑 packed tower INF
- 충진율 Fill factor FF DEV
- 취수·소비·방류 withdrawal / consumption / discharge INF
- 측면 소자 lateral device PWR
- 측면 퍼짐 Lateral straggle ΔR⊥ DOP
- 측벽 각 Sidewall angle ETC
- 측벽 각도 Sidewall angle SWA LIT
- 측벽 보호막 Sidewall passivation PRCETC
- 측벽 재결합 Sidewall recombination DSP
- 측정 대역폭 measurement bandwidth BW PWR
- 측정 시야각 Measurement field / spot DSP
- 층 융합 Layer fusion SOC
- 층간 결함 추적 Defect source analysis DSA YLD
- 층간 박리 Delamination PKG
- 층간 절연막 interlayer dielectric ILD FILCMP
- 층상 구조 stratification PLS
- 치명 결함 Killer defect YLD
- 치명 결함 밀도 killer defect density D₀ PWR
- 치명률 Kill ratio YLD
- 치밀화 densification FIL
- 치킨 게임 Chicken game IND
- 치핑 Chipping PKG
- 침착 속도 deposition velocity INF
- 침투 깊이 Penetration depth 1/α DEV
- 칩 퍼스트 Chip-first PKG
- 칩 함량 Semiconductor content IND
- 칩렛 Chiplet SOCPRCPKGTSTIND
- 칩킬 Chipkill SDDC MEM
ㅋ
- 카날리 모델 Canali model TCD
- 카르노 맵 Karnaugh map K-map DIGDSN
- 카메라 방정식 Camera equation CIS
- 카메라 범프 Camera bump CIS
- 카우어 열 회로 Cauer thermal network PWR
- 카이제곱 검정 Chi-square test χ² YLD
- 캐리 건너뛰기 Carry-skip adder DIG
- 캐리 선택 Carry-select adder DIG
- 캐리 예측 Carry-lookahead CLA DIG
- 캐리 저장 덧셈기 Carry-save adder CSA DIG
- 캐리 전파 덧셈기 Carry-propagate adder CPA DIG
- 캐리어 Carrier DOP
- 캐리어 저장층 carrier stored layer CS PWR
- 캐리어-캐리어 산란 carrier-carrier scattering PWR
- 캐비테이션 cavitation (stable / transient) CMP
- 캐스코드 Cascode ANAPWR
- 캐스코드 미러 Cascode current mirror ANA
- 캐시 간 전송 Cache-to-cache transfer SOC
- 캐시 라인 Cache line MEM
- 캐시 연관도 Cache associativity MEM
- 캐시 일관성 Cache coherence SOC
- 캐시 줄 Cache line SOC
- 캐필러리 Capillary PKG
- 캘리브레이션 Display calibration DSP
- 캡 층 Cap layer FAL
- 캡핑층 Capping layer CPL DSP
- 커맨드·비디오 모드 Command / video mode DSP
- 커버 윈도 Cover window DSP
- 커버리지 Coverage DIG
- 커브 트레이서 Curve tracer FAL
- 커켄달 보이드 Kirkendall void PKG
- 커크 효과 Kirk effect DEV
- 커튼 현상 Curtaining FAL
- 커패시터 DAC Capacitive DAC (charge redistribution) CDAC ANA
- 커프 Kerf PKG
- 컨덕턴스 conductance C FIL
- 컨디셔너 체류 시간 conditioner dwell time CMP
- 컨포멀 증착 conformal deposition CMP
- 컨포멀리티 conformality FIL
- 컬러 라우터 Color router CIS
- 컬러 필터 Color filter CF OPTDSP
- 컬러 필터 배열 Color filter array CFA CIS
- 컬러 PSNR Color PSNR CPSNR CIS
- 컬러체커 ColorChecker CIS
- 컬럼 라인 정착 Column line settling CIS
- 컬럼 병렬 ADC Column-parallel ADC CIS
- 컴팩트 모델 Compact model BSIM TCD
- 컴퓨테이셔널 포토그래피 Computational photography CIS
- 컴퓨트 익스프레스 링크 Compute Express Link CXL MEM
- 컴퓨팅 인 메모리 Computing-in-memory CIM MEM
- 컷 마스크와 블록 마스크 Cut mask / block mask LIT
- 케미컬 필터 chemical filter INF
- 켈러-시먼스 근사 Keller–Simmons approximation FIL
- 켈빈 소스 Kelvin source PWR
- 켈빈 접속 Kelvin (force/sense) connection TST
- 켜짐 전류 On-current Ion TCD
- 코노스코프 Conoscope DSP
- 코로나 모델 corona model PLS
- 코마 Coma OPT
- 코발트 cobalt (Co) Co CMP
- 코번-윈터스 실험 Coburn–Winters experiment PLS
- 코사인 법칙 cosine law FIL
- 코시 식 Cauchy equation OPT
- 코어 Core PKG
- 코어 다이 Core (DRAM) die MEM
- 코어 다이 / 베이스 다이 Core die / base die PKG
- 코어 손실 core loss PWR
- 코어–셸 구조 Core–shell QD DSP
- 코일 중성점 coil neutral point PLS
- 코츠 보정 Coates Correction CIS
- 코터·현상기 Coater/developer (track) IND
- 코핀-맨슨 법칙 Coffin–Manson law PWR
- 코핀–맨슨 식 Coffin–Manson relation PKG
- 코히런트 샘플링 Coherent sampling TST
- 콘택 플러그 contact plug CMP
- 콜로이달 실리카 colloidal silica CMP
- 콜릿 Collet PKG
- 쿨롱 로그 Coulomb logarithm lnΛ PLS
- 쿼드 베이어 Quad Bayer / Tetracell CIS
- 쿼터 이미지 센서 Quanta Image Sensor QIS CIS
- 퀵 덤프 린스 Quick Dump Rinse QDR CMP
- 퀸–매클러스키 방법 Quine–McCluskey method DSN
- 큐 타임 queue time Q-time INF
- 크기 효과 Size effect DIGPRCFILDSP
- 크누센 구 Knudsen sphere FIL
- 크누센 수 Knudsen number Kn FILPLS
- 크누센 수송 Knudsen transport ETC
- 크누센 확산 Knudsen diffusion D_K FIL
- 크레이터링 Cratering PKG
- 크로니히–페니 모형 Kronig–Penney model KP DEV
- 크로마 서브샘플링 Chroma subsampling 4:2:0 DSP
- 크로스바 Crossbar SOC
- 크로스토크 Crosstalk DIGCIS
- 크로스포인트 어레이 Cross-point array MEM
- 크로스해치 cross-hatch pattern CMP
- 큰 입자 수 Large Particle Count LPC CMPINF
- 클라우지우스-클라페이롱 식 Clausius-Clapeyron relation FIL
- 클라우징 투과 확률 Clausing transmission probability FIL
- 클러스터 결함 Cluster defect CIS
- 클러스터 이온 Cluster / molecular ion DOP
- 클러스터 인자 clustering factor α CMP
- 클러스터 장비 cluster tool FIL
- 클럭 게이팅 Clock gating ICG DIGSOC
- 클럭 게이팅 셀 Integrated Clock Gating cell ICG DSNSOC
- 클럭 도메인 건너기 Clock Domain Crossing CDC DIG
- 클럭 도메인 교차 Clock domain crossing CDC SOC
- 클럭 스큐 Clock skew DIGDSNSOC
- 클럭 지연 Clock latency (insertion delay) DSN
- 클럭 트리 합성 Clock Tree Synthesis CTS DIGDSNSOC
- 클럭·데이터 복원 Clock and data recovery CDR SOC
- 클로즈 페이지 Close-page MEM
- 클로즈드 루프 AF Closed-loop AF CIS
- 클록 유도 전하 Clock-Induced Charge CIC CIS
- 클록 피드스루 Clock feedthrough ANA
- 클리어 도즈 Dose to clear E₀ LIT
- 클린룸 Cleanroom PRC
- 클립 연결 clip bonding PWR
- 키 사다리 Key ladder SOC
- 키에시그 무늬 Kiessig fringes FIL
- 키홀 keyhole CMP
- 킥백 전압 Kickback (feedthrough) voltage ΔV_p DSP
- 킬러 결함 Killer defect PRCCMPINF
- 킬러 결함 밀도 killer defect density D₀ PWR
- 킬레이트제 chelating agent CMP
ㅌ
- 타깃 이용률 target utilization FIL
- 타깃 피독 target poisoning FIL
- 타운센드 (단위) townsend Td PLS
- 타운센드 암흑 방전 Townsend dark discharge PLS
- 타이밍 생성기 Timing generator TG TST
- 타이밍 컨트롤러 Timing controller TCON DSP
- 타이코 TAIKO process PKG
- 타일 기반 지연 렌더링 Tile-based deferred rendering TBDR SOC
- 타일링 Tiling (blocking) SOC
- 타입 I 정렬 Type-I (straddling) alignment DEV
- 타입 II 정렬 Type-II (staggered) alignment DEV
- 타입 III 정렬 Type-III (broken-gap) alignment DEV
- 탄도 수송 Ballistic transport DEVTCD
- 탄력성 Elasticity ε CIS
- 탄성 충돌 elastic collision PLS
- 탄성 충돌 에너지 전달 비 elastic energy transfer fraction 2m/M PLS
- 탄소 공동 주입 Carbon co-implant DOP
- 탄소 도핑 버퍼 carbon-doped buffer PWR
- 탈기 outgassing FIL
- 탈리 detachment PLS
- 탈보호 반응 Deprotection LIT
- 탈수산화 dehydroxylation FIL
- 탈착 desorption FIL
- 탈출 원뿔 Escape cone θc DEV
- 탈포화 감지 desaturation detection DESAT PWR
- 탐침 스캔 probe scan PLS
- 태그·인덱스·오프셋 Tag / Index / Offset SOC
- 태양 전지 Solar cell PV DEV
- 탠덤 OLED Tandem OLED DSP
- 탭 셀 Tap cell DSN
- 터널 자기 저항비 Tunnel magnetoresistance ratio TMR MEM
- 터널 FET Tunnel FET TFET DEV
- 터치다운 Touchdown TD YLDTST
- 턴오프 에너지 turn-off energy E_off PWR
- 턴오프 오버슈트 turn-off voltage overshoot PWR
- 턴온 에너지 turn-on energy E_on PWR
- 턴온 지연 turn-on delay t_d(on) PWR
- 턴온·턴오프 저항 분리 split gate resistors PWR
- 테스트 루프 Test loop FAL
- 테스트 벡터 Test vector TST
- 테스트 불가 폴트 Untestable / redundant fault TST
- 테스트 비용 Cost of test COT TST
- 테스트 셀 원가 Test cell cost rate TST
- 테스트 소자 그룹 Test element group TEG YLD
- 테스트 소켓 Test socket PKGTST
- 테스트 시간 단축 Test time reduction TTR TST
- 테스트 장비 Automatic test equipment ATE IND
- 테스트 포인트 Test point insertion TST
- 테스트 흐름 Test flow TST
- 테스트벤치 Testbench DIGDSN
- 테이퍼 Taper ETC
- 테이프 익스팬드 Tape expansion PKG
- 테이프아웃 Tape-out DSNSOCIND
- 텍스처 MTF Texture MTF CIS
- 텐서곱 격자 Tensor-product grid TCD
- 텔레센트릭 Telecentric OPT
- 토네이도 그림 Tornado chart TST
- 토네이도 차트 Tornado chart CIS
- 토로이달 플라즈마 소스 toroidal plasma source PLS
- 토템폴 PFC totem-pole PFC PWR
- 톤 매핑 Tone mapping SOCCISDSP
- 톤 반전 Tone inversion LIT
- 톰슨 분포 Thompson distribution FIL
- 통계적 공정 관리 Statistical process control SPC PRCYLDINF
- 통합 계측 Integrated Metrology IM CMP
- 통합 세정기 integrated cleaner CMP
- 통합 셰이더 Unified shader SOC
- 투과 전자 현미경 Transmission electron microscope TEM FAL
- 투과 확률 Transmission probability (Clausing factor) K ETC
- 투과율의 에너지 정규화 Power transmittance T OPT
- 투명 Transparent DIG
- 투명 컬렉터 transparent collector PWR
- 투사 거리 Projected range Rp PRCDOPTCD
- 투사 거리 표준편차 Straggle ΔRp PRC
- 투사 산포 Projected straggle ΔRp TCD
- 투영 광학계 Projection optics LIT
- 투영 비정 Projected range Rp CIS
- 투영 효과 Projection effect FAL
- 튜닝 커패시터 tune capacitor C_tune PLS
- 트라이메틸알루미늄 trimethylaluminum TMA FIL
- 트랙 Track DSNLIT
- 트랙션 인버터 traction inverter PWR
- 트랜스컨덕턴스 Transconductance gm DEV
- 트랜스퍼 몰딩 Transfer molding PKG
- 트랜지스터 밀도 Transistor density (MTr/mm²) DSN
- 트랩 준위 Trap level Et DEV
- 트레이닝 Link training MEM
- 트레이드 비율 Trade ratio MEM
- 트레이드오프 팔각형 Analog design octagon ANA
- 트렌치 게이트 trench gate PWR
- 트렌치 충전 deep trench refill PWR
- 트렌치 MOSFET Trench MOSFET (UMOS) UMOS DEVPWR
- 트리거 전압 / 유지 전압 Trigger / holding voltage V_t1 / V_h DEV
- 트리밍 Trimming ANA
- 트림 Trim LIT
- 트위스팅 Twisting ETC
- 특성 온저항 Specific on-resistance R_on,sp DEV
- 특성 요인도 Ishikawa (fishbone) diagram FAL
- 특성 임피던스 characteristic impedance Z₀ PLS
- 특성 평가 Characterization TST
- 특성 행렬 Characteristic matrix OPT
- 특성 X선 Characteristic X-ray FAL
- 특수 가스 Specialty gases IND
- 특수가스 specialty gas, electronic specialty gas INF
- 티어링 Screen tearing DSP
- 티켓 락 Ticket lock SOC
- 틸레 계수 Thiele modulus φ FIL
- 틸트·트위스트 Tilt / twist DOP
ㅍ
- 파과 breakthrough INF
- 파괴적 읽기 Destructive read SOC
- 파노 인자 Fano factor F CIS
- 파라메트릭 맵 Parametric map YLD
- 파라메트릭 손실 Parametric loss YLD
- 파라메트릭 테스트 Parametric test TST
- 파라미터 추출 Parameter extraction TCD
- 파레토 Pareto chart YLD
- 파레토 전선 Pareto front CIS
- 파레토 차트 Pareto chart CMP
- 파레토 프런티어 Pareto frontier TST
- 파면 수차 Wavefront aberration W, OPD OPTCIS
- 파브리–페로 공진기 Fabry–Pérot resonator FP CIS
- 파셴 곡선 Paschen curve FIL
- 파셴 법칙 Paschen's law PLS
- 파셴 점근선 Paschen left asymptote PLS
- 파셴 최소 Paschen minimum V_min PLS
- 파수 Wavenumber / wave vector k OPT
- 파우더 생성 powder formation PLS
- 파운드리 Foundry IND
- 파울러-노드하임 터널링 Fowler–Nordheim tunneling FN PLSMEM
- 파울러-노르트하임 터널링 Fowler-Nordheim tunneling FN FIL
- 파울러–노드하임 터널링 Fowler–Nordheim tunneling FN DEV
- 파워 게이팅 Power gating DSN
- 파워 사이클링 power cycling PC PWR
- 파워 스펙트럼 밀도 Power spectral density PSD ANA
- 파이널 테스트 Final test FT PKGTST
- 파이로제닉 산화 pyrogenic oxidation FIL
- 파이프라인 Pipeline SOC
- 파이프라인 ADC Pipelined ADC ANA
- 파인 메탈 마스크 Fine metal mask FMM DSP
- 파일업 Pile-up CIS
- 파장 Wavelength λ CIS
- 파장판 Waveplate (retarder) λ/4, λ/2 OPT
- 파티클 Particle YLD
- 파티클 모니터 웨이퍼 Particle monitor wafer YLD
- 파형 포맷 Waveform format TST
- 팝콘 균열 Popcorn cracking PKG
- 팝콘 현상 Popcorn cracking FAL
- 패널 레벨 패키지 Panel Level Package PLP PKG
- 패널 셀프 리프레시 Panel self refresh PSR DSP
- 패드 두께 센서 pad thickness sensor CMP
- 패드 마모 프로파일 pad wear profile CMP
- 패드 반발 pad rebound CMP
- 패드 브레이크인 pad break-in CMP
- 패드 산화막·패드 질화막 pad oxide / pad nitride CMP
- 패드 잔해 pad debris CMP
- 패드 절삭률 Pad Cut Rate PCR CMP
- 패드 컨디셔닝 pad conditioning, dressing CMP
- 패러데이 암부 Faraday dark space PLS
- 패러데이 차폐 Faraday shield PLS
- 패러데이 컵 Faraday cup DOP
- 패브리–페로 공진기 Fabry–Perot etalon FP OPT
- 패스 소자 Pass device ANA
- 패스 전압 Pass voltage Vpass MEM
- 패스 트랜지스터 Pass transistor DIG
- 패시베이션 passivation PWR
- 패시브 매트릭스 Passive matrix PM DSP
- 패싯 Facet ETCFIL
- 패키지 기판 Package substrate IND
- 패키지 선택 Package selection PKG
- 패키지 후 리페어 Post-package repair PPR MEM
- 패키징 Packaging PKGIND
- 패키징 레벨 Packaging hierarchy PKG
- 패키징 수율 Packaging yield IND
- 패턴 메모리 Pattern / vector memory TST
- 패턴 밀도 Pattern density ρ PRCCMP
- 패턴 붕괴 Pattern collapse PRCLITCMP
- 패턴 의존 지연 Data-dependent delay DIG
- 패턴 전사 Pattern transfer LIT
- 팬 법칙 fan affinity laws INF
- 팬 필터 유닛 Fan Filter Unit FFU INF
- 팬아웃 패키징 Fan-out wafer-level packaging FOWLP IND
- 팬인 Fan-in DIG
- 팬인 / 팬아웃 Fan-in / fan-out PKG
- 팬케이크 렌즈 Pancake lens DSP
- 팹 Fab (fabrication facility) PRCIND
- 팹 인프라 fab infrastructure, facility INF
- 팹라이트 Fab-lite IND
- 팹리스 Fabless IND
- 퍼니스 산화 레시피 furnace oxidation recipe FIL
- 퍼비언스 Perveance K DOP
- 퍼지 purge FIL
- 퍼콜레이션 모형 Percolation model DEV
- 퍼플 플레이그 Purple plague PKG
- 펀치스루 Punch-through PT DEVFILTCDPWR
- 펀치스루 전압 punch-through voltage Vpt PWR
- 펀치스루 IGBT punch-through IGBT PT PWR
- 펀치홀 Punch-hole cutout DSP
- 펄스 동기 주파수 프로파일 pulse-synchronized frequency profile PLS
- 펄스 래치 Pulsed latch DIG
- 펄스 열 임피던스 pulsed thermal impedance Zth(tp,D) PWR
- 펄스 주파수 pulse frequency f PLS
- 펄스 폭 변조 Pulse width modulation PWM CISPWR
- 펄스 플라스마 Pulsed plasma ETC
- 펄스 플라즈마 pulsed plasma PLS
- 펄스 DC 바이어스 pulsed-DC bias PLS
- 펌프다운 pumpdown FIL
- 펌핑 속도 pumping speed S FIL
- 페닝 이온화 Penning ionization PLS
- 페로브스카이트 발광체 Perovskite emitter PeLED DSP
- 페르마 원리 Fermat's principle OPT
- 페르미 가속 Fermi acceleration PLS
- 페르미 전위 Fermi potential φF DEV
- 페르미 준위 Fermi level EF DEVTCD
- 페르미 준위 고정 Fermi-level pinning S DEV
- 페르미-디랙 통계 Fermi–Dirac statistics FD TCD
- 페르미–디랙 분포 Fermi–Dirac distribution f(E) DEV
- 페이저 Phasor OPT
- 페이지 Page MEM
- 페이지 정책 Page policy (open / closed) SOCMEM
- 페츠발 합 Petzval Sum CIS
- 페클레 수 Péclet number Pe FILCMP
- 펙 모델 Peck model PWR
- 펜스 Memory fence / barrier DMB SOC
- 펜타일 PenTile (RGBG) RGBG DSP
- 펜톤 반응 Fenton reaction CMP
- 펠그롬 관계 Pelgrom's law TCD
- 펠그롬 법칙 Pelgrom's law ANA
- 펠리클 Pellicle LITYLD
- 편광 Polarization LITOPTDSP
- 편광 이미지 센서 Polarization image sensor OPT
- 편광도 · 선형 편광도 Degree of (linear) polarization DoP, DoLP OPT
- 편석 Segregation m TCD
- 편석 계수 Segregation coefficient k₀ PRCFIL
- 평가 Evaluate DIG
- 평균 고장 간격 Mean time between failures MTBF SOCINF
- 평균 고장 시간 Mean Time To Failure MTTF DEVFAL
- 평균 메모리 접근 시간 Average memory access time AMAT SOCMEM
- 평균 복구 시간 Mean Time To Repair MTTR INF
- 평균 속력 mean speed FIL
- 평균 시스 전압 time-averaged sheath voltage V̄ PLS
- 평균 의견 점수 Mean opinion score MOS CIS
- 평균 자유 행로 mean free path MFP ETCFILPLS
- 평균 전류 모드 제어 average current-mode control PWR
- 평균 전자 에너지 mean electron energy ⟨ε⟩ PLS
- 평균 판매가 Average selling price ASP IND
- 평균 화면 레벨 Average picture level APL DSP
- 평면 배치 Floorplanning SOC
- 평면 DMOS planar double-diffused MOS VDMOS PWR
- 평면 DMOSFET planar DMOSFET PWR
- 평면도 Floorplan SOC
- 평면파 Plane wave OPT
- 평탄 띠 전압 Flat-band voltage VFB TCD
- 평탄대 전압 Flat-band voltage VFB DEV
- 평탄도 Planarity FAL
- 평탄화 길이 Planarization length PL PRCCMP
- 평탄화 효율 planarization efficiency PE CMP
- 평탄화도 Degree of Planarization DP CMP
- 평행 연마 Parallel lapping FAL
- 평행 평면 접합 parallel-plane junction PWR
- 평형 용해도 equilibrium oxidant solubility C* FIL
- 평형 풀웰 Equilibrium full well capacity EFWC CIS
- 평활화 smoothing CMP
- 폐루프 이득 Closed-loop gain ACL ANA
- 포논 Phonon DEV
- 포물선 속도 상수 parabolic rate constant B FIL
- 포물선 영역 parabolic regime FIL
- 포밍 가스 어닐 forming gas anneal FGA FIL
- 포비티드 렌더링 Foveated rendering DSP
- 포스터 열 회로 Foster thermal network PWR
- 포아송 방정식 Poisson equation TCD
- 포아송 수율 모델 Poisson yield model Y = e^(−AD) DSPPWR
- 포아송 식 Poisson equation PLS
- 포아송-볼츠만 식 Poisson–Boltzmann equation PLS
- 포워딩 Forwarding / bypassing SOC
- 포인팅 벡터 Poynting vector S OPT
- 포착률 Capture rate YLD
- 포커스 링 Focus ring / edge ring ETCPLSYLD
- 포토다이오드 Photodiode PD DEV
- 포토레지스트 Photoresist PR LITIND
- 포토리소그래피 Photolithography DSP
- 포토마스크 Photomask (reticle) IND
- 포톤 에미션 현미경 Photon emission microscopy PEM · EMMI FAL
- 포화 (BJT) Saturation (BJT) DEV
- 포화 노출량 saturation exposure FIL
- 포화 드레인 전압 Saturation drain voltage VDsat DEV
- 포화 섬 밀도 saturation island density N_sat FIL
- 포화 영역 Saturation region DEVDIGANA
- 포화 용량 Saturation capacity μ_e.sat CIS
- 포화 전류 Saturation current I₀ (Js) DEV
- 포화 전선 saturation front FIL
- 포화 전압 Saturation voltage VDSsat ANAPWR
- 폭발 하한계 Lower Explosive Limit LEL INF
- 폴더블 Foldable display DSP
- 폴드백 foldback PLS
- 폴디드 광학계 Folded optics (periscope) CIS
- 폴디드 비트라인 Folded bitline MEM
- 폴디드 캐스코드 Folded cascode ANA
- 폴리 개방 연마 Poly Open Polish POP CMP
- 폴리 공핍 Poly-Si gate depletion DEV
- 폴리 레이어 Poly (PO) PO DSN
- 폴리머 절연막 Polymer dielectric (PI / PBO) PKG
- 폴리실리콘 CMP polysilicon CMP CMP
- 폴리우레탄 polyurethane PU CMP
- 폴리이미드 기판 Polyimide substrate PI DSP
- 폴리타입 polytype PWR
- 폴링 Polling SOC
- 폴트 Fault TST
- 폴트 시뮬레이션 Fault simulation TST
- 폴트 축약 Fault collapsing TST
- 폴트 커버리지 Fault coverage FC TST
- 표류 속도 drift velocity v_d PLS
- 표류-확산 근사 drift-diffusion approximation PLS
- 표면 결합 에너지 surface binding energy U_s FILPLS
- 표면 도너 surface donor state PWR
- 표면 반응 속도 상수 surface reaction rate constant k_s FIL
- 표면 부하율 surface overflow rate Q/A INF
- 표면 온도 Skin temperature SOC
- 표면 요철 격자 Surface relief grating SRG DSP
- 표면 재결합 속도 Surface recombination velocity S DEVCIS
- 표면 전위 Surface potential ψs DEV
- 표면 피복률 surface coverage θ PLS
- 표면 확산 surface diffusion D FIL
- 표면파 파장 surface-wave wavelength λ PLS
- 표면파 플라즈마 surface-wave plasma PLS
- 표본 검사 Sampling test TST
- 표준 광원 Standard illuminant D65 / A CIS
- 표준 셀 Standard cell DIGDSNSOCIND
- 표준편차 (스트래글) Straggle ΔRp DOP
- 표피 깊이 skin depth δ PLSCMP
- 표피 효과 (CCP) skin effect in CCP PLS
- 푸르베 도표 Pourbaix diagram CMP
- 푸리에 모드법 Fourier modal method FMM OPT
- 푸리에 차수 절단 Fourier harmonic truncation OPT
- 푸아송 모델 Poisson yield model YLD
- 푸아송 방정식 Poisson's equation DEV
- 푸아송 수율 모델 Poisson yield model TSTPWR
- 푸앵카레 구 Poincaré sphere OPT
- 푸팅 Footing LIT
- 풀 브리지 full bridge (H-bridge) PWR
- 풀 테스트 Wire pull test PKG
- 풀-프렌켈 전도 Poole-Frenkel emission PF FIL
- 풀다운 네트워크 Pull-down network PDN DIG
- 풀다운 망 Pull-down network SOC
- 풀롭 멱법칙 Fulop power law PWR
- 풀업 네트워크 Pull-up network PUN DIG
- 풀업 비율 Pull-up ratio γ DIGMEM
- 풀웰 용량 Full well capacity FWC CIS
- 풋팅 Footing ETC
- 프라운호퍼 회절 Fraunhofer (far-field) diffraction OPT
- 프랑크-반 데어 메르베 성장 Frank–van der Merwe growth FM FIL
- 프랑크-콘돈 원리 Franck–Condon principle PLS
- 프런트엔드 설계 Front-end design DSN
- 프레넬 렌즈 Fresnel lens DSP
- 프레넬 반사 Fresnel reflection DSP
- 프레넬 방정식 Fresnel equations OPT
- 프레넬 수 Fresnel number N_F OPTCIS
- 프레넬 회절 Fresnel (near-field) diffraction OPT
- 프레스턴 계수 Preston coefficient k_p CMP
- 프레스턴 식 Preston equation PRCCMP
- 프레임률 Frame rate fps CISDSP
- 프렌켈 쌍 Frenkel pair DOP
- 프로그래머블 이득 증폭기 Programmable gain amplifier PGA ANA
- 프로그램 디스터브 Program disturb MEM
- 프로그램/소거 사이클 Program/erase cycle P/E MEM
- 프로버 Prober TST
- 프로브 마크 Probe mark PKG
- 프로브 지연 차이 probe skew Δt PWR
- 프로브 카드 Probe card YLDFALPKGTST
- 프로브 클리닝 Probe cleaning TST
- 프로세싱 니어 메모리 Processing-near-memory PNM MEM
- 프로세싱 인 메모리 Processing-in-memory PIM MEM
- 프로파일 Etch profile ETC
- 프리스 공식 Friis formula DEV
- 프리즘 시트 Prism (brightness enhancement) film BEF DSP
- 프리차지 Precharge DIG
- 프리차지 명령 Precharge PRE MEM
- 프리컨디셔닝 Preconditioning PKG
- 프리쿨링 free cooling (water-side economizer) INF
- 프리틸트 각 Pretilt angle DSP
- 프리페처 Prefetcher SOC
- 프리페치 Prefetch n-prefetch MEM
- 프리필 Prefill SOC
- 프리휠 다이오드 freewheeling diode FWD PWR
- 플라스마 Plasma ETC
- 플라스마 도핑 Plasma doping PLAD DOP
- 플라스마 메니스커스 Plasma meniscus DOP
- 플라스마 손상 Plasma-induced damage PID ETC
- 플라스마 애싱 plasma ashing CMP
- 플라즈마 Plasma PRCPLS
- 플라즈마 다이싱 Plasma dicing PKG
- 플라즈마 도핑 plasma doping PLAD PLS
- 플라즈마 부하 임피던스 plasma load impedance Z_L PLS
- 플라즈마 식각 Plasma etch MEM
- 플라즈마 원자층 증착 plasma-enhanced ALD PEALD FILPLS
- 플라즈마 유전율 plasma permittivity ε_p PLS
- 플라즈마 전위 plasma potential V_p PLS
- 플라즈마 직렬 공진 plasma series resonance PSR PLS
- 플라즈마 파라미터 plasma parameter N_D PLS
- 플라즈마 화학 기상 증착 plasma-enhanced CVD PECVD FIL
- 플라즈마 활성화 Plasma activation PKG
- 플라즈마 FIB Plasma FIB PFIB FAL
- 플라즈마의 세 조건 plasma criteria PLS
- 플람 식 Flamm formula PLS
- 플랑크 궤적 Planckian locus CIS
- 플래시 램프 어닐 flash lamp anneal FLA FIL
- 플래시 변환 계층 Flash translation layer FTL MEM
- 플래시 어닐 Flash lamp anneal FLA DOP
- 플래시 ADC Flash ADC ANA
- 플러그 리세스 plug recess CMP
- 플러드 건 Flood gun PFG DOP
- 플럭스 Flux PKG
- 플럭스 균형 flux balance PLS
- 플레어 Flare LITOPT
- 플렉서블 디스플레이 Flexible display DSP
- 플로어플랜 Floorplan DSN
- 플로케–블로흐 주기 경계 Floquet–Bloch periodic boundary OPT
- 플로팅 가드 링 floating field limiting ring FLR PWR
- 플로팅 게이트 Floating gate FG MEM
- 플로팅 디퓨전 Floating diffusion FD CIS
- 플록 형성 flocculation INF
- 플리커 Flicker LFM CISDSP
- 플리커 측정 Flicker measurement DSP
- 플립칩 Flip chip FC PKGIND
- 플립플롭 Flip-flop FF SOC
- 플릿 Flit (flow control unit) SOC
- 피네스 Finesse F OPT
- 피닝 전압 Pinning voltage V_pin CIS
- 피독 모드 poisoned mode FIL
- 피드백 계수 Feedback factor β ANA
- 피드포워드·피드백 feedforward / feedback CMP
- 피라냐 용액 Sulfuric–Peroxide Mixture SPM CMP
- 피복 비대칭 coverage asymmetry FIL
- 피브릴 fibril, burr CMP
- 피사계 심도 Depth of field DOF CIS
- 피사계 심도 · 초점 심도 Depth of field / depth of focus DOF OPT
- 피셔 정확 검정 Fisher's exact test YLDFAL
- 피어슨 IV 분포 Pearson IV distribution DOPTCD
- 피치 Pitch DIGLITPKG
- 피치 워크 Pitch walk PRC
- 피치 워킹 Pitch walking LIT
- 피크 역회복 전류 peak reverse recovery current I_rrm PWR
- 피크 전력 peak power P_peak PLS
- 피크 중첩 Peak overlap FAL
- 피크 휘도 Peak luminance DSP
- 피크 f_T 전류 밀도 Peak-fT current density DEV
- 피킹 Peaking ANA
- 피해자 발광 Induced (victim) emission FAL
- 픽셀 개구 MTF Pixel aperture MTF OPT
- 픽셀 광학 스택 Pixel optical stack OPT
- 픽셀 클록 Pixel clock DSP
- 픽셀 피치 Pixel pitch p OPTCIS
- 픽업 Die pick-up PKG
- 픽의 법칙 Fick's laws PRCDOPTCD
- 픽처 그룹 Group of Pictures GOP SOC
- 핀 교환 Pin swapping DIG
- 핀 라벨 Pin label DSN
- 핀 일렉트로닉스 Pin electronics PE TST
- 핀드 포토다이오드 Pinned photodiode PPD CIS
- 핀치오프 Pinch-off DEVANAFIL
- 핀치오프 전압 pinch-off voltage V_po PWR
- 핀펫 FinFET FinFET TCDIND
- 핀핀 베이스판 pin-fin baseplate PWR
- 핀핀 직접 냉각 pin-fin direct cooling PWR
- 필 팩터 Fill factor FF OPTCIS
- 필드 산화막 높이 Field Oxide Height FOH CMP
- 필드 스톱 Field stop FS DEVPWR
- 필드 안 시그니처 Intra-field signature YLD
- 필드 플레이트 field plate FP PWR
- 필드 한쪽 무늬 Field-side signature YLD
- 필러 Filler PKG
- 필믹 톤 커브 Filmic tone curve CIS
- 필수 조건 hard constraint INF
- 필터 정격 filter rating INF
- 핑거 Finger DSN
ㅎ
- 하드 빈 Hard bin TST
- 하드 빈과 소프트 빈 Hard bin / soft bin YLD
- 하드 스위칭 hard switching PWR
- 하드마스크 Hardmask HM LITETC
- 하드웨어 기술 언어 Hardware Description Language HDL DIGDSN
- 하드웨어 프레임 동기 Hardware frame synchronization CIS
- 하류 플라즈마 downstream plasma PLS
- 하마커 상수 Hamaker constant A CMP
- 하부 패드 subpad CMP
- 하이드로플레이닝 hydroplaning CMP
- 하이브리드 모델 hybrid model PLS
- 하이브리드 본딩 Hybrid bonding HB PRCCMPPKGMEMCISIND
- 하이브리드-π 모델 Hybrid-π model DEV
- 하이퍼스케일러 Hyperscaler IND
- 하프 브리지 half bridge PWR
- 하프 브리지 모듈 half-bridge module PWR
- 하프 피치 Half-pitch HP LIT
- 하프 VDD 프리차지 Half-VDD precharge VBLP MEM
- 학습 곡선 Learning curve IND
- 학습 주기 Cycle of learning YLD
- 한계 등급 Limiting Magnitude CIS
- 한계감축비용 곡선 Marginal Abatement Cost Curve MACC INF
- 한외여과 Ultrafiltration UF INF
- 한쪽 계단 접합 one-sided abrupt junction PWR
- 한쪽 치우침 Half / gradient YLD
- 할로 Halo (pocket) DOP
- 할로 주입 Halo / pocket implant PRCTCD
- 할로우 캐소드 효과 hollow cathode effect PLS
- 합법화 Legalization DSN
- 합성 심도 Synthetic depth of field CIS
- 합성곱 신경망 Convolutional neural network CNN YLD
- 합성곱 층 Convolution layer SOC
- 합의 곱 Product of Sums POS DIG
- 합의항 Consensus term DIG
- 합체 coalescence FIL
- 핫 캐리어 발광 Hot carrier luminescence FAL
- 핫 캐리어 열화 Hot-carrier degradation HCI TCD
- 핫 캐리어 주입 Hot-Carrier Injection HCI DEVFAL
- 핫 픽셀 Hot pixel CIS
- 핫스팟 Hotspot SOCCMP
- 핫스폿 Hotspot LIT
- 핫스폿 검사 Hotspot inspection YLD
- 항복 Breakdown V_BR DEV
- 항복 전계 breakdown field E_BD FIL
- 해리 Dissociation ETC
- 해리 부착 dissociative attachment PLS
- 해리 속도 계수 dissociation rate coefficient k_diss PLS
- 해리 여기 dissociative excitation PLS
- 해리성 부착 dissociative attachment PLS
- 해리성 이온화 dissociative ionization PLS
- 해리율 degree of dissociation PLS
- 해머헤드 Hammerhead DSNLIT
- 해밍 코드 Hamming code MEM
- 해상 한계 이하 보조 패턴 Sub-resolution assist feature SRAF LIT
- 해상도 Resolution LIT
- 해상도 규격 Display resolution FHD·4K DSP
- 해상도 향상 기술 Resolution enhancement technique RET LIT
- 해외직접생산규칙 Foreign direct product rule FDPR IND
- 해저드 Hazard DIGSOC
- 핵 저지 Nuclear stopping Sₙ DOP
- 핵생성 장벽 nucleation barrier ΔG* FIL
- 핵생성 지연 nucleation delay FIL
- 핸드셰이크 Valid/ready handshake SOC
- 핸들러 Handler PKGTST
- 행 노이즈 Temporal row noise CIS
- 행 버퍼 Row buffer SOC
- 행 적중·행 충돌 Row hit / Row conflict SOC
- 행렬 시스 matrix sheath PLS
- 행운 전자 모형 Lucky-electron model DEV
- 허시 수 Hersey number H CMP
- 허위 피크 Spurious (system) peak FAL
- 헌팅 Hunting CIS
- 헤드룸 Headroom ANA
- 헤르츠 접촉 Hertzian contact CMP
- 헤르츠-크누센 식 Hertz–Knudsen equation FIL
- 헤르츠-크누센 플럭스 Hertz–Knudsen flux FIL
- 헤어핀 공진 탐침 hairpin resonance probe PLS
- 헤이즈 haze CMPYLDINF
- 헤인스–쇼클리 실험 Haynes–Shockley experiment DEV
- 헤일로 Halo artifact CISDSP
- 헬리콘 소스 helicon source PLS
- 현물·고정 거래 가격 Spot vs contract price IND
- 현물가격 Spot price MEM
- 현상 Development LIT
- 현수선 분포 catenary carrier profile PWR
- 현열 sensible heat INF
- 현장 반품 Field return / RMA RMA TST
- 형광 Fluorescence DSP
- 형식 검증 Formal verification DSN
- 호 스크래치 Arc scratch YLD
- 호스트–도펀트 Host–dopant system DSP
- 호이겐스–프레넬 원리 Huygens–Fresnel principle OPT
- 호텔링 T² Hotelling T-squared T² PLS
- 혼동 행렬 Confusion matrix YLD
- 혼상 이온교환 mixed bed ion exchange MB INF
- 혼성 전위 mixed potential E_corr CMP
- 혼잡도 Routing congestion DSN
- 혼합 모드 시뮬레이션 Mixed-mode simulation TCD
- 홀 파라미터 Hall parameter ω_c/ν PLS
- 홀 효과 Hall effect R_H DEV
- 홀드 시간 Hold time DSN
- 홀드오프 hold-off CMP
- 홀드형 구동 Sample-and-hold DSP
- 홀수 사이클 Odd cycle DSN
- 화각 Field of view FOV OPT
- 화소 Pixel px DSP
- 화소 결함 Pixel defect DSP
- 화소 밀도 Pixels per inch PPI DSP
- 화소 정의막 Pixel definition layer PDL DSP
- 화소 크기 Pixel size YLD
- 화소 피치 Pixel pitch DSP
- 화이트 밸런스 White balance WB SOC
- 화학 기계적 연마 Chemical mechanical planarization CMP PRC
- 화학 기상 증착 Chemical vapor deposition CVD PRCFILMEM
- 화학 율속 chemically (reaction) limited regime CMP
- 화학 증폭형 레지스트 Chemically amplified resist CAR PRCLIT
- 화학 흡착 chemisorption FIL
- 화학–기계 시너지 chemo-mechanical synergy CMP
- 화학적 기계 연마 Chemical mechanical planarization CMP INDINF
- 화학적 기계적 연마 Chemical mechanical polishing CMP MEM
- 화학적 기계적 평탄화 Chemical Mechanical Planarization (Polishing) CMP CMP
- 화학적 치아 chemical tooth CMP
- 화학증폭 레지스트 Chemically Amplified Resist CAR INF
- 확률 가열 stochastic heating PLS
- 확률 결함 Stochastic defect PRC
- 확률적 결함 Stochastic defect LIT
- 확산 Diffusion DEV
- 확산 계수 Diffusion coefficient D DEVPLSDOP
- 확산 고유모드 diffusion eigenmode PLS
- 확산 공유 Diffusion sharing DSN
- 확산 길이 Diffusion length L = √(Dτ) DEVPRCFILPLSCIS
- 확산 방지막 diffusion barrier FIL
- 확산 배리어 diffusion barrier (Ta/TaN) CMP
- 확산 손실 시간 diffusion loss time τ PLS
- 확산 솔더링 transient liquid phase soldering TLP PWR
- 확산 시트 Diffuser sheet DSP
- 확산 암전류 Diffusion dark current CIS
- 확산 용량 Diffusion capacitance Cd DEV
- 확산 재방출 diffuse re-emission FIL
- 확산 전류 diffusion current PWR
- 확산 제한 Diffusion-limited ETC
- 확산 커패시턴스 Diffusion (junction) capacitance Cd DIG
- 확정 Commit (retire) SOC
- 환각 Hallucination CIS
- 환기 횟수 Air Changes per Hour ACH INF
- 환산 전기장 reduced electric field E/N PLS
- 환형 조명 Annular illumination LIT
- 활동 계수 Activity factor α SOC
- 활동도 Activity factor α DIG
- 활동률 Activity factor α DSN
- 활성 금속 브레이징 기판 active metal brazing AMB PWR
- 활성 다이아몬드 working diamonds CMP
- 활성 면적 active area PWR
- 활성 연마입자 active abrasive CMP
- 활성 영역 Active / Oxide Definition OD DSN
- 활성화 Activation PRCDOPTCD
- 활성화 에너지 Activation energy Ea CMPFALTSTCIS
- 회로 수정 Circuit edit FAL
- 회로 Q network Q Q PLS
- 회복 시험 recovery test INF
- 회생 제동 regenerative braking PWR
- 회수 reclaim INF
- 회수율 recovery r INF
- 회전 평균 rotational averaging FIL
- 회전수 비 head-to-platen speed ratio CMP
- 회절 Diffraction LIT
- 회절 격자 Diffraction grating OPT
- 회절 기반 오버레이 Diffraction-based overlay DBO LIT
- 회절 대비 Diffraction contrast FAL
- 회절 스파이크 Diffraction spikes (starburst) OPT
- 회절 차수 Diffraction order m LITOPT
- 회절 한계 Diffraction-limited OPTCIS
- 회절 한계 조리개 Diffraction-limited aperture DLA CIS
- 횡방향 도핑 변화 variation of lateral doping VLD PWR
- 횡방향 오버플로 커패시터 Lateral overflow integration capacitor LOFIC CIS
- 횡배율 Transverse magnification m OPT
- 효율 efficiency η PWR
- 효율 곡선 efficiency curve PWR
- 효율 드룹 Efficiency droop DSP
- 효율 롤오프 Efficiency roll-off DSP
- 효율 저하 Efficiency droop droop DEV
- 후경화 Post-mold cure PMC PKG
- 후공정 Back-end (assembly and test) PKGIND
- 후기 잔광 late afterglow PLS
- 후막 CMP thick-film CMP CMP
- 후면 분석 Backside analysis FAL
- 후면 전력 공급 Backside power delivery network BSPDN PRCCMP
- 후면 조사 Backside illumination BSI OPT
- 후방 산란 전자 Backscattered electron BSE YLDFAL
- 훅업 hook-up INF
- 휘도 Luminance cd/m² CISDSP
- 휘발성 Volatile MEM
- 휘발성 생성물 Volatile etch product ETC
- 휨 Warpage PKG
- 흄드 실리카 fumed silica CMP
- 흑삽입 Black frame insertion BFI DSP
- 흑체 궤적 Planckian locus DSP
- 흑화 · 차광 처리 Blackening / light baffling OPT
- 흔들림 PSF Motion Blur PSF CIS
- 흡수 계수 Absorption coefficient α DEVCIS
- 흡수 계수 · 흡수 깊이 Absorption coefficient / depth α, 1/α OPT
- 흡수 깊이 Absorption depth 1/α CIS
- 흡수 매질 경계면 Interface with absorbing medium OPT
- 흡수 전력 absorbed power P_abs PLS
- 흡수체 Absorber LIT
- 흡착 원자 adatom FIL
- 흡착형 저압 용기 Sub-atmospheric Delivery System SDS INF
- 희석 dilution PLS
- 희석 불산 Diluted HF DHF CMPINF
- 희소 행렬 Sparse matrix TCD
- 히스테리시스 hysteresis PLS
- 히스토그램 테스트 Histogram (code density) test TST
- 히트 스프레더 Integrated Heat Spreader IHS PKG
- 히트펌프 heat pump INF
- 힌지 Hinge DSP
- 힐 균열 heel crack PWR
T
- √t 외삽 square-root-t extrapolation PWR
- T-top T-topping INF
- t₅₀ time above peak minus 50 °C t50 FIL
- T90 응답 시간 T90 response time T90 INF
- T형 인버터 T-type inverter PWR
- TAP Test access port TAP TST
- TAP 제어기 TAP controller TST
- TC-NCF Thermocompression with Non-Conductive Film TC-NCF PKGMEM
- TCAD Technology CAD TCAD DEVPRC
- TDBI Test during burn-in TDBI TST
- TDDB time-dependent dielectric breakdown TDDB FILFALPWR
- Tₑ 오버슈트 electron temperature overshoot PLS
- TEOS tetraethyl orthosilicate TEOS FIL
- tFAW Four activate window tFAW MEM
- TFSF 광원 Total-field/scattered-field source TFSF OPT
- THB Temperature Humidity Bias THB PKG
- THD Total harmonic distortion THD ANATST
- TIVA Thermally induced voltage alteration TIVA FAL
- TLC Triple-level cell TLC MEM
- TMAH tetramethylammonium hydroxide TMAH CMPINF
- TN 모드 Twisted nematic TN DSP
- TPP Total processing performance TPP IND
- TR-BDF2 Trapezoidal rule / BDF2 TR-BDF2 TCD
- tRAS Row active time tRAS MEM
- tRC Row cycle time tRC MEM
- tRCD RAS-to-CAS delay tRCD MEM
- tREFI Refresh interval tREFI MEM
- tRFC Refresh cycle time tRFC MEM
- TRIM TRIM / Deallocate TRIM MEM
- tRP Row precharge time tRP MEM
- tRRD Row-to-row delay tRRD MEM
- TrustZone Arm TrustZone SOC
- TSV Through Silicon Via TSV PKG
- TSV 노출 TSV reveal CMP
- TTL Total track length TTL CIS
- TVS 다이오드 Transient Voltage Suppressor TVS DEV
- TZASC TrustZone Address Space Controller TZASC SOC
A
- A 가중 A-weighting dB(A) INF
- A-스캔 · C-스캔 A-scan / C-scan FAL
- A-PHY MIPI A-PHY A-PHY CIS
- A* 탐색 A* search DSN
- AB180 AB180 educational process ANA
- ABCD 행렬 Ray transfer matrix ABCD OPT
- ABF Ajinomoto Build-up Film ABF PKG
- ABF 필름 Ajinomoto build-up film ABF IND
- ABR 이론 Allen–Boyd–Reynolds theory ABR PLS
- AC 해석 AC (small-signal) analysis .ac ANA
- AF 행정 AF stroke CIS
- AI 가속기 AI accelerator IND
- Airy 디스크 Airy disk CIS
- ALD 온도 창 ALD window FIL
- ALE 창 ALE window ETC
- ANSI 명암비 ANSI contrast (checkerboard) DSP
- AOI 게이트 AND-OR-Invert gate AOI DIGDSN
- ARDE Aspect-ratio dependent etching ARDE ETC
- ATE Automatic Test Equipment ATE PKG
- ATPG Automatic test pattern generation ATPG TST
- AXI Advanced eXtensible Interface AXI SOC
B
- B10 수명 B10 life B10 PWR
- BCH 부호 Bose–Chaudhuri–Hocquenghem code BCH MEM
- BEOL Back End Of Line BEOL PRCFIL
- BER Bit error rate BER TST
- BF16 Brain floating point BF16 DIG
- BF₂ 주입 BF₂ implant BF₂ PRC
- BG 테이프 Backgrinding tape PKG
- BGA Ball Grid Array BGA PKG
- BISR Built-in self-repair BISR TST
- BIST Built-in self-test BIST TST
- Brent–Kung 덧셈기 Brent–Kung adder BK DIG
- BT.2020 ITU-R BT.2020 Rec.2020 DSP
- BTB Branch Target Buffer BTB SOC
- BTI bias temperature instability BTI PWR
- BTI 회복 BTI recovery DEV
- BTS bias-temperature stress BTS FIL
- BV 온도 계수 breakdown voltage temperature coefficient PWR
- BYPASS BYPASS instruction TST
C
- C-레이트 C-rate SOC
- C-PHY MIPI C-PHY C-PHY CIS
- C-V 측정 capacitance-voltage measurement C-V FIL
- C-V 특성 Capacitance–voltage characteristic C-V TCD
- C–V 측정 (1/C² 플롯) C–V profiling DEV
- C4 Controlled Collapse Chip Connection C4 PKG
- CAS 지연 CAS latency CL MEM
- CCD 방정식 CCD Equation CIS
- CCI Camera Control Interface CCI CIS
- CCM 노이즈 이득 CCM noise gain CIS
- CD 균일도 CD uniformity CDU LIT
- CD 바이어스 CD bias ETC
- CD-SEM Critical-dimension SEM CD-SEM PRCLIT
- CEC 효율 CEC weighted efficiency η_CEC PWR
- CESL Contact Etch Stop Layer CESL PRCFIL
- CFET Complementary FET CFET DEVPRC
- CFL 조건 Courant–Friedrichs–Lewy condition CFL OPT
- CFₓ 래디컬 fluorocarbon radical CFₓ PLS
- CHIPS법 CHIPS and Science Act IND
- CIE 1976 UCS Uniform chromaticity scale u′v′ DSP
- CIE 표준 관찰자 CIE standard observer 2°·10° DSP
- CIEDE2000 색차 CIEDE2000 color difference ΔE00 CIS
- CIELAB CIE 1976 L*a*b* color space Lab CISDSP
- CIPS08 모델 CIPS08 (Bayerer) lifetime model PWR
- Cl 잔류 chlorine residue FIL
- clk-to-Q 지연 Clock-to-Q delay t_cq DIG
- CLLC 컨버터 CLLC resonant converter CLLC PWR
- CMOS Complementary MOS CMOS DEVSOC
- CMOS 언더 어레이 CMOS under array CuA / PUC MEM
- CMOS 인버터 CMOS inverter DEVDIG
- CMP 헤드 압력 구역 CMP carrier pressure zones YLD
- CMP 후 세정 post-CMP clean CMP
- COG·COF Chip on glass / chip on film DSP
- COMSOL 반도체 모듈 COMSOL Semiconductor Module TCD
- cos⁴ 법칙 Cosine-fourth law OPT
- Courant 조건 Courant–Friedrichs–Lewy condition CFL CIS
- CoWoS Chip on Wafer on Substrate CoWoS PKGMEMIND
- CPI Cycles Per Instruction CPI SOC
- CPIQ Camera Perceptual Image Quality (IEEE 1858) CPIQ CIS
- Cpk Process capability index Cpk TST
- CPP Contacted Poly Pitch CPP DSN
- CPPR Common Path Pessimism Removal CPPR DSN
- CRA 곡선 CRA curve OPT
- CRA 미스매치 CRA mismatch OPT
- CRn Concentration ratio CR3 IND
- CSP Chip Scale Package CSP PKG
- CTAT Complementary to absolute temperature CTAT ANA
- CTLE Continuous-time linear equalizer CTLE CIS
- Cu 돌출 Cu protrusion CMP
- Cu 리세스 Cu recess (dishing) CIS
- CVD 다이아몬드 코팅 CVD diamond-coated conditioner CMP
- CVD 성분 parasitic CVD component FIL
D
- D 래치 D latch DIG
- D 알고리즘 D-algorithm TST
- D 플립플롭 D flip-flop DFF DSN
- D-PHY MIPI D-PHY D-PHY CIS
- D-PHY·C-PHY MIPI physical layers DSP
- D65 CIE standard illuminant D65 D65 DSP
- DAF Die Attach Film DAF PKG
- Darcy–Weisbach 식 Darcy–Weisbach equation INF
- dBFS Decibels relative to full scale dBFS ANA
- DBG Dicing Before Grinding DBG PKG
- DC 급속 충전기 DC fast charger PWR
- DC 디밍 DC (amplitude) dimming DSP
- DC 링크 커패시터 DC-link capacitor PWR
- DCI-P3 Digital Cinema Initiatives P3 P3 DSP
- Deal–Grove 모델 Deal–Grove model PRC
- DEF Design Exchange Format DEF DSN
- DEVSIM DEVSIM TCD
- DFM Design for Manufacturability DFM DSN
- DFT Design for testability DFT TST
- DisplayPort DisplayPort DP DSP
- DLVO 이론 Derjaguin–Landau–Verwey–Overbeek theory DLVO CMP
- DMOS Double-diffused MOS DMOS DEV
- DNL Differential nonlinearity DNL ANATST
- DOL-HDR Digital overlap HDR DOL CIS
- DPAT Dynamic PAT DPAT TST
- DPPM Defective parts per million DPPM TST
- DRAM Dynamic random-access memory DRAM MEMIND
- DRAM 타이밍 변수 tRCD / CL / tRP / tRAS SOC
- DRC Design Rule Check DRC DSN
- DRUPS Diesel Rotary UPS DRUPS INF
- DSC Display Stream Compression DSC DSP
- Dt diffusivity-time product Dt FIL
- DTCO Design-Technology Co-Optimization DTCO DSN
- DUT Device under test DUT TST
- Duv Delta uv Duv DSP
- DUV 액침 노광 DUV immersion lithography ArFi IND
- DVFS Dynamic Voltage and Frequency Scaling DVFS DSN
E
- E 모델 E-model PWR
- E 모드 E mode (capacitive mode) PLS
- E-H 모드 전환 E–H mode transition PLS
- E-H 전환 E-to-H transition PLS
- E×B 표류 E×B drift v_E FILPLS
- EBP 식 Emslie–Bonner–Peck equation EBP CMP
- ECO Engineering Change Order ECO DSN
- ED 윈도 Exposure-defocus window LIT
- EDA Electronic Design Automation EDA DSN
- Edge-Loc Edge-local YLD
- EDID Extended display identification data EDID DSP
- eDP Embedded DisplayPort eDP DSP
- EDS Electrical Die Sorting (wafer sort) EDS PKG
- EFEM Equipment Front End Module EFEM INF
- EFO Electronic Flame-Off EFO PKG
- eFuse Electrical fuse / One-time programmable OTP SOC
- ELVDD·ELVSS OLED supply voltages DSP
- EMC Epoxy Molding Compound EMC PKG
- EMIB Embedded Multi-die Interconnect Bridge EMIB PKG
- EMVA 1288 EMVA 1288 standard EMVA CIS
- ENEPIG Electroless Nickel Electroless Palladium Immersion Gold ENEPIG PKG
- ENIG Electroless Nickel Immersion Gold ENIG PKG
- ENOB Effective number of bits ENOB TST
- EOR 결함 End-of-range defect EOR DOP
- EOTF Electro-optical transfer function EOTF DSP
- EPE Edge Placement Error EPE DSN
- EPE 예산 EPE budget LIT
- ERC Electrical Rule Check ERC DSN
- ESD 설계 창 ESD design window DEV
- ESR 영점 ESR zero ANA
- ESS energy storage system ESS PWR
- EUV Extreme ultraviolet lithography EUV IND
- EWMA exponentially weighted moving average EWMA FILINF
- EXTEST EXTEST instruction TST
F
- F-넘버 F-number F/#, N OPTCIS
- F/C 비 F/C ratio ETC
- FAB Free Air Ball FAB PKG
- FAB-E educational reference fab INF
- FCBGA Flip Chip Ball Grid Array FCBGA PKG
- FD 비선형성 Floating diffusion nonlinearity CIS
- FDTD Finite-difference time-domain FDTD CIS
- FEOL Front End Of Line FEOL PRCFIL
- FEOL·MEOL·BEOL Front / Middle / Back End Of Line CMP
- FFS 모드 Fringe-field switching FFS DSP
- FinFET Fin field-effect transistor FinFET DEVPRC
- FinFET 유효 폭 Effective width of FinFET W_eff DSN
- FIR 필터 Finite Impulse Response filter FIR SOC
- FIT Failures in time FIT DEVDIGFALPKGTSTMEMCISPWR
- Fmax Maximum operating frequency Fmax TST
- FMCS Facility Monitoring and Control System FMCS INF
- FMEA Failure mode and effects analysis FMEA FAL
- FO4 Fanout-of-4 delay FO4 DSN
- FO4 지연 Fanout-of-4 delay FO4 DIGSOC
- foot 트랜지스터 Foot transistor DIG
- FOUP Front Opening Unified Pod FOUP PRCINF
- FOWLP Fan-Out Wafer Level Package FOWLP PKG
- FR-FCFS 스케줄링 First-ready first-come first-served FR-FCFS SOC
- FRC Frame rate control FRC DSP
- FTIR Fourier-transform infrared spectroscopy FTIR FIL
G
- Ga₂O₃ gallium oxide PWR
- GAA 나노시트 Gate-all-around nanosheet GAA PRC
- GaN HEMT GaN high-electron-mobility transistor HEMT PWR
- GaN-on-Si GaN-on-silicon PWR
- GDBN Good die in bad neighborhood GDBN TST
- GDDR Graphics DDR GDDR MEM
- GDSII Graphic Design System II GDS DSN
- GGNMOS Grounded-Gate NMOS GGNMOS DEV
- GHG 프로토콜 Greenhouse Gas Protocol INF
- gm/ID Transconductance efficiency gm/ID ANA
- gm/ID 설계표 gm/ID lookup table ANA
- GOA Gate driver on array GOA·GIP DSP
- Gordon 모델 Gordon exposure model FIL
- GST Ge₂Sb₂Te₅ GST MEM
- GTO gate turn-off thyristor GTO PWR
H
- H 모드 H mode (inductive mode) PLS
- H-트리 H-tree DSN
- H3TRB high humidity high temperature reverse bias H3TRB PWR
- HAADF High-angle annular dark field HAADF FAL
- HAST Highly Accelerated Stress Test HAST PKG
- HBM High Bandwidth Memory HBM PKGTST
- HBM4 HBM4 MEM
- HDMI High-Definition Multimedia Interface HDMI DSP
- HDR High dynamic range HDR DSP
- HDR 메타데이터 HDR metadata MaxCLL DSP
- He 후면 냉각 backside helium cooling PLS
- HEPA·ULPA 필터 High Efficiency Particulate Air / Ultra Low Penetration Air filter HEPA/ULPA INF
- HfO2 결정상 HfO2 crystal phases FIL
- HHI Herfindahl-Hirschman index HHI IND
- High-k 메탈 게이트 High-k metal gate HKMG PRC
- High-k 절연막 High-k dielectric HfO₂ DEV
- High-NA EUV High numerical aperture EUV 0.55 NA PRCLITIND
- HiP Head-in-Pillow HiP PKG
- HiPIMS high-power impulse magnetron sputtering HiPIMS PLS
- HLG Hybrid log-gamma HLG DSP
- hold 시간 Hold time t_hold DIG
- hold 조건 Hold constraint DIG
- HOMO Highest occupied molecular orbital HOMO DSP
- HPWL Half-Perimeter Wire Length HPWL DSN
- HS 모드 High-speed mode HS CIS
- HTOL High Temperature Operating Life HTOL PKG
- HTRB high-temperature reverse bias HTRB PWR
- HTS Line length (line_length_pck) HTS CIS
- HVDC high-voltage direct current transmission HVDC PWR
- HVST High-voltage stress test HVST TST
I
- I/O 일관성 I/O coherency SOC
- I²C Inter-Integrated Circuit I²C SOC
- ICC 프로파일 ICC color profile ICC DSP
- ICP-MS Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry ICP-MS INF
- IDDQ Quiescent supply current IDDQ FALTST
- IDLH Immediately Dangerous to Life or Health IDLH INF
- IDMS Information Display Measurements Standard IDMS DSP
- IE 효과 injection enhancement effect IE PWR
- IEDF 폭 IEDF width ΔE PLS
- IEEE 1500 Core test wrapper TST
- IEEE 1838 3D test access TST
- IGBT Insulated-gate bipolar transistor IGBT DEVPWR
- IGCT integrated gate-commutated thyristor IGCT PWR
- IJTAG IEEE 1687 internal JTAG IJTAG TST
- ILT Inverse Lithography Technology ILT DSN
- InGaAs 검출기 InGaAs detector InGaAs FAL
- INL Integral nonlinearity INL ANATST
- IOMMU Input-Output Memory Management Unit IOMMU SOC
- IP 블록 IP block IP SOC
- IP 코어 Intellectual Property core IP SOC
- IPS 모드 In-plane switching IPS DSP
- IR 강하 IR drop DIGSOC
- IR 드롭 IR drop DSNDSP
- IR 컷 필터 IR-cut filter IRCF OPT
- ISO 14644-1 ISO 14644-1:2015 INF
- ISO 감도 ISO sensitivity / gain ISO CIS
- ISO 등급 ISO Class N INF
- ISSG 래디컬 산화 in-situ steam generation ISSG FIL
- ITIC 곡선 Information Technology Industry Council curve ITIC INF
- ITO Indium tin oxide ITO DSP
- ΔIDDQ Delta IDDQ TST
J
K
- K 형광 K-Fluorescence CIS
- K-그루브 K-groove (concentric groove) CMP
- k₁ 계수 k₁ factor k₁ PRC
- k₁ 인자 k1 factor k₁ LIT
- keeper Keeper DIG
- KGD Known Good Die KGD PKGTST
- Kogge–Stone 덧셈기 Kogge–Stone adder KS DIG
- kT/C 잡음 kT/C noise ANA
- kTC 노이즈 kTC (reset) noise CIS
- KV 캐시 Key-value cache KV SOCMEM
- KV 캐시 오프로드 KV cache offloading MEM
L
- L2P 매핑 테이블 Logical-to-physical table L2P MEM
- L형 정합 회로 L-network PLS
- LADA Laser-assisted device alteration LADA FAL
- LC 발진기 LC oscillator ANA
- LCC line-commutated converter LCC PWR
- LCC HVDC line-commutated converter HVDC LCC PWR
- LCoS Liquid crystal on silicon LCoS DSP
- LDC low-voltage DC-DC converter LDC PWR
- LDD Lightly Doped Drain LDD PRC
- LDO 레귤레이터 Low-dropout regulator LDO ANA
- LDPC 부호 Low-density parity-check code LDPC MEM
- Lee 알고리즘 Lee maze routing DSN
- LEF Library Exchange Format LEF DSN
- LELE Litho-Etch-Litho-Etch LELE PRCLIT
- LESIT 모델 LESIT lifetime model PWR
- LFSR Linear feedback shift register LFSR TST
- Liberty 파일 Liberty (.lib) .lib DSN
- LIVA Light induced voltage alteration LIVA FAL
- LLC 공진 컨버터 LLC resonant converter PWR
- LOCOS Local Oxidation of Silicon LOCOS PRCFIL
- LP 모드 Low-power mode LP CIS
- LPCAMM Low-power compression attached memory module LPCAMM2 MEM
- LPDDR Low-power DDR LPDDR MEM
- LRU 교체 Least recently used replacement LRU MEM
- LTPO Low-temperature polycrystalline oxide LTPO DSP
- LUMO Lowest unoccupied molecular orbital LUMO DSP
- LVDS Low-voltage differential signaling LVDS DSP
- LVS Layout Versus Schematic LVS DSN
M
- M/M/c 대기열 M/M/c queue INF
- March 알고리즘 March test TST
- MBIST Memory BIST MBIST TST
- MESI 프로토콜 MESI protocol MESI SOC
- MINIMOS MINIMOS TCD
- MIPI CSI-2 Camera Serial Interface 2 CSI-2 CIS
- MIPI DSI Display Serial Interface DSI DSP
- MISR Multiple-input signature register MISR TST
- ML 높이 · 곡률 Microlens height / radius of curvature OPT
- ML 시프트 Microlens shift OPT
- ML 파동광학 한계 Wave-optics limit of microlenses OPT
- MLC Multi-level cell MLC MEM
- Mo/Si 다층막 Mo/Si multilayer LIT
- MOESI 프로토콜 MOESI protocol MOESI SOC
- MOL Middle Of Line MOL PRC
- MOS 커패시터 MOS capacitor MOS DEV
- MOSFET Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor MOSFET DEVDIGSOC
- MPRT Moving picture response time MPRT DSP
- MPS 다이오드 merged PiN Schottky diode MPS PWR
- MPW Multi-Project Wafer MPW DSN
- MR-MUF Mass Reflow Molded Underfill MR-MUF PKGMEM
- MRC Mask Rule Check MRC DSN
- MSAP Modified Semi-Additive Process mSAP PKG
- MTBF Mean time between failures MTBF DIG
- MTF50 MTF50 OPTCIS
N
- N-검출 N-detect TST
- N+/P+ 주입 레이어 NPLUS / PPLUS implant NP/PP DSN
- N+1 이중화 N+1 redundancy INF
- N−1 N−1 criterion INF
- NAND 플래시 NAND flash NAND MEMIND
- NBTI Negative Bias Temperature Instability NBTI DIG
- NEGF Non-equilibrium Green's function NEGF TCD
- NILS Normalized Image Log-Slope NILS PRC
- NIR 감도 향상 NIR sensitivity enhancement NIR OPT
- NLDM Non-Linear Delay Model NLDM DSN
- NO 어닐 nitric oxide post-oxidation anneal PWR
- non-blocking 대입 Non-blocking assignment (<=) DSN
- NOR 플래시 NOR flash NOR MEM
- NPT / PT 설계 Non-punch-through / punch-through design NPT, PT DEV
- NRE Non-Recurring Engineering NRE DSNSOCIND
- NRZ Non-return-to-zero NRZ / PAM2 MEM
- NTSC 비 NTSC area ratio DSP
- NVMe Non-Volatile Memory Express NVMe MEM
O
- OAI 게이트 OR-AND-Invert gate OAI DIG
- OASIS Open Artwork System Interchange Standard OASIS DSN
- OBIC Optical beam induced current OBIC FAL
- OBIRCH Optical beam induced resistance change OBIRCH FAL
- OCV On-Chip Variation OCV DSN
- ODF 공정 One drop filling ODF DSP
- OETF Opto-electronic transfer function OETF DSP
- ON 적층 Oxide/nitride stack ON stack ETCFIL
- OPC Optical Proximity Correction OPC DSN
- OSAT Outsourced Semiconductor Assembly and Test OSAT PKGIND
- OTA Operational transconductance amplifier OTA ANA
P
- p 차폐층 p-shield PWR
- P-F 간격 P-F interval INF
- p-GaN 게이트 p-GaN gate PWR
- P-state Performance state / OPP SOC
- P/T 비 precision-to-tolerance ratio P/T FIL
- p⁺ 다이버터 p+ diverter PWR
- p값 p-value YLD
- PAM3 3-level pulse amplitude modulation PAM3 MEM
- PAM4 4-level pulse amplitude modulation PAM4 MEM
- PAT Part average testing PAT TST
- PathFinder Negotiated congestion routing DSN
- Pb 중심 Pb center FIL
- PCB 임베디드 패키징 PCB-embedded packaging PWR
- PDK Process Design Kit PDK DSN
- PEB Post-exposure bake PEB PRC
- Peck 모델 Peck model PKG
- PECVD Plasma-enhanced CVD PECVD PRCDSP
- Pelgrom 법칙 Pelgrom's law DIG
- PFA perfluoroalkoxy alkane PFA INF
- PID 제어 Proportional–Integral–Derivative control PID INF
- PiN 다이오드 PiN diode PWR
- pin 포토다이오드 p-i-n photodiode pin DEV
- PISCES PISCES (2D device simulator) PISCES TCD
- pn 접합 pn junction DEV
- PN 접합 PN junction CIS
- PNP 전류 이득 PNP common-base current gain α_pnp PWR
- Pollack의 법칙 Pollack's rule SOC
- PoP Package on Package PoP PKG
- POU 스크러버 point-of-use abatement INF
- PPA Power, Performance, Area PPA DSNSOC
- PQ Perceptual quantizer (ST 2084) PQ DSP
- PRBS Pseudo-random binary sequence PRBS TST
- PTAT Proportional to absolute temperature PTAT ANA
- PUE power usage effectiveness PUE PWR
- PV 밴드 Process-variation band PV band DSNLIT
- PVA 브러시 PVA brush CMP
- PVT Process, voltage, temperature PVT ANA
- PVT 코너 PVT corner PVT DIGDSN
- PWM 디밍 PWM dimming PWM DSP
- PWM 화소 구동 PWM emission control EM DSP
Q
R
- RAW 이미지 RAW image RAW CIS
- RC 지연 RC delay τ = RC PRCDSP
- RCA 세정 RCA clean SC1/SC2 PRCCMP
- RCCB 필터 Red-Clear-Clear-Blue CFA RCCB CIS
- RCWA Rigorous coupled-wave analysis RCWA CIS
- RDL 퍼스트 RDL-first (chip-last) PKG
- RF 보상 탐침 RF-compensated probe PLS
- RGB 스트라이프 RGB stripe DSP
- RGB–XYZ 변환 행렬 RGB-to-XYZ matrix M DSP
- RISC-V RISC-V SOCIND
- Rk·Rvk core roughness depth / reduced valley depth Rk/Rvk CMP
- RLS 트레이드오프 Resolution-LER-sensitivity trade-off RLS LIT
- rms Root mean square rms ANA
- Rpk reduced peak height Rpk CMP
- RTA Rapid thermal anneal RTA DOP
- RTL Register-Transfer Level RTL DSN
- RTS 노이즈 Random telegraph signal noise RTS CIS
- Rule 07 Rule 07 CIS
- RYYCy 필터 Red-Yellow-Yellow-Cyan CFA RYYCy CIS
S
- S 파라미터 Scattering parameters S DEV
- s 편광 · p 편광 s- and p-polarization (TE/TM) TE, TM OPT
- SAC305 Sn-3.0Ag-0.5Cu SAC305 PKG
- SADP / SAQP Self-aligned double / quadruple patterning PRC
- SAP Semi-Additive Process SAP PKG
- SAR ADC Successive-approximation ADC SAR ANACIS
- SC 등가 저항 Switched-capacitor resistor ANA
- SC 적분기 Switched-capacitor integrator ANA
- SC1 Standard Clean 1 (APM) SC1 CMPINF
- SC2 Standard Clean 2 (HPM) SC2 CMP
- SCADA Supervisory Control and Data Acquisition SCADA INF
- Schreier 성능 지수 Schreier figure of merit FoM_S CIS
- Schreier FoM Schreier figure of merit FoMS ANA
- Scope 1 Scope 1 (direct emissions) INF
- Scope 2 Scope 2 (purchased electricity) INF
- Scope 3 Scope 3 (value chain) INF
- SCR 보호 소자 Silicon-Controlled Rectifier SCR DEV
- SDC Synopsys Design Constraints SDC DSNTST
- SECDED Single Error Correction, Double Error Detection SECDED DIGMEM
- SEED System-Efficient ESD Design SEED DEV
- SEMI E84 Enhanced Carrier Handoff Parallel I/O Interface E84 INF
- SEMI F21 Classification of Airborne Molecular Contaminant Levels in Clean Environments INF
- SEMI F47 Specification for Semiconductor Processing Equipment Voltage Sag Immunity INF
- SEMI F63 Guide for Ultrapure Water Used in Semiconductor Processing INF
- SEMI S2 Environmental, Health, and Safety Guideline for Semiconductor Manufacturing Equipment S2 INF
- SEMU SEMI mura unit SEMU DSP
- Sentaurus Synopsys Sentaurus TCAD TCD
- SerDes Serializer/Deserializer SerDes SOCCIS
- setup 시간 Setup time t_setup DIG
- setup 조건 Setup constraint DIG
- setup·hold 시간 Setup / hold time SOC
- SFDR Spurious-free dynamic range SFDR ANA
- shades-of-gray Shades of gray SoG CIS
- Si 소모 비율 silicon consumption ratio FIL
- SIB Segment insertion bit SIB TST
- SiC MOSFET silicon carbide MOSFET PWR
- SiGe HBT SiGe heterojunction bipolar transistor SiGe DEV
- SiH₃ 전구체 SiH₃ film precursor PLS
- Silvaco TCAD Silvaco Victory / ATLAS TCD
- SIMS Secondary ion mass spectrometry SIMS DOP
- SIMT Single Instruction, Multiple Threads SIMT SOC
- SiP System in Package SiP PKG
- SLC Single-level cell SLC MEM
- SLC 캐시 SLC cache MEM
- SLVS-EC Scalable Low Voltage Signaling with Embedded Clock SLVS-EC CIS
- SMIA TV 왜곡 SMIA TV distortion CIS
- SMT Surface Mount Technology SMT PKG
- SNDR Signal-to-noise-and-distortion ratio SINAD ANA
- SNR Signal-to-noise ratio SNR TST
- SNR 딥 SNR dip CIS
- SNR10 SNR10 CIS
- SOI Silicon On Insulator SOI PRC
- SOR 완화법 successive over-relaxation SOR PWR
- SPC statistical process control SPC FIL
- SPEF Standard Parasitic Exchange Format SPEF DSN
- SPICE Simulation Program with IC Emphasis SPICE ANA
- Sq root-mean-square height Sq CMP
- SQNR Signal-to-quantization-noise ratio SQNR ANA
- SR 래치 Set-Reset latch SR DIG
- SRAF Sub-Resolution Assist Feature SRAF DSNPRC
- SRAM Static random-access memory SRAM MEM
- sRGB Standard RGB sRGB DSP
- SRH 재결합 Shockley–Read–Hall recombination SRH DEVTCD
- SRIM / TRIM Stopping and Range of Ions in Matter SRIM TCD
- SRP Spreading resistance profiling SRP DOP
- SSD Solid-state drive SSD IND
- STDF Standard test data format STDF TST
- STI Shallow Trench Isolation STI PRC
- STI 갭필 STI gap fill FIL
- STI 라이너 산화 STI liner oxidation FIL
- Stoney 식 Stoney equation PRC
- SUPREM Stanford University PRocess Engineering Models SUPREM TCD
U
V
- V 수 Normalized frequency V CIS
- V_CE(sat)–E_off 트레이드오프 VCE(sat)–Eoff trade-off PWR
- V-I 탐침 V-I probe PLS
- V2G vehicle-to-grid V2G PWR
- VA 모드 Vertical alignment VA DSP
- VC 곡선 Vibration Criterion curves VC INF
- Vmin Minimum operating voltage Vmin TST
- VOC 배기 solvent / VOC exhaust VOC INF
- Vora–Trussell 품질 계수 Vora–Trussell measure ν CIS
- VRM voltage regulator module VRM PWR
- VSB 묘화 Variable Shaped Beam writing VSB DSN
- Vt 분포 Threshold voltage distribution MEM
- Vth 롤오프 Threshold voltage roll-off DEV
- VTS Frame length (frame_length_lines) VTS CIS
- VUV 손상 vacuum ultraviolet damage VUV PLS
- ΔVBE Delta VBE ΔVBE ANA
W
- W 핵생성층 tungsten nucleation layer FIL
- W2W / D2W Wafer-to-Wafer / Die-to-Wafer PKG
- Walden 성능 지수 Walden figure of merit FoM_W CIS
- Walden FoM Walden figure of merit FoMW ANA
- Weibull 분포 Weibull distribution β, η INF
- WLCSP Wafer Level Chip Scale Package WLCSP PKG
- WLTP Worldwide harmonized Light vehicles Test Procedure WLTP PWR
- WM-811K WM-811K dataset YLD
- WNS · TNS Worst / Total Negative Slack WNS DSN
- WSTS World Semiconductor Trade Statistics WSTS IND
X
Y
Z
#
- +1 모델 +1 model DOPTCD
- −3 dB 대역폭 −3 dB bandwidth f−3dB ANA
- 1/4 파장 반사 방지막 Quarter-wave AR coating QWOT OPT
- 1/4 파장 변환 quarter-wave transformer PLS
- 1/4 파장판 Quarter-wave plate QWP DSP
- 1/E 모델 1/E model PWR
- 1/f 잡음 Flicker noise DEVANA
- 1/f 코너 주파수 Flicker corner frequency f_c DEVANA
- 10배 법칙 Rule of ten TST
- 18 % 회색 18 % gray CIS
- 1차 타운센드 계수 first Townsend ionization coefficient α PLS
- 1c DRAM 1c (6th-generation 10 nm-class) DRAM 1c LIT
- 1T1C 셀 One-transistor one-capacitor cell 1T1C MEM
- 1T1C DRAM 셀 One-transistor one-capacitor cell 1T1C SOC
- 1σ 균일도 one-sigma uniformity 1σ % FIL
- 2:4 구조적 희소성 2:4 structured sparsity SOC
- 2.5D 2.5D integration PKG
- 2.5D 패키징 2.5D packaging IND
- 2.5D·3D 집적 2.5D / 3D integration CMP
- 2×2 OCL 2×2 on-chip lens OPT
- 24/7 무탄소 전력 24/7 Carbon-Free Energy CFE INF
- 2단 밀러 OTA Two-stage Miller OTA ANA
- 2단 싱글 슬로프 ADC Two-step single-slope ADC CIS
- 2단 턴오프 two-level turn-off PWR
- 2비트 포화 카운터 2-bit saturating counter SOC
- 2의 보수 Two's complement DIG
- 2차 보호 Secondary (local) protection DEV
- 2차 전자 방출 계수 secondary electron emission coefficient γ PLS
- 2차 전자 번짐 Secondary electron blur LIT
- 2차 전자 수율 secondary electron yield γ_se FIL
- 2차 전자 증배 secondary-electron multiplication G PLS
- 2차 항복 second breakdown PWR
- 2차 항복 전류 Second breakdown current I_t2 DEV
- 2차원 상태 밀도 Two-dimensional density of states DEV
- 2차원 전자 가스 Two-dimensional electron gas 2DEG DEVPWR
- 2차원 푸리에 변환 2D Fourier transform FT OPT
- 2항 근사 two-term approximation PLS
- 2N 이중화 2N redundancy INF
- 2T1C 화소 2T1C pixel circuit 2T1C DSP
- 3:2 압축기 3:2 compressor DIG
- 3고조파 주입 third-harmonic injection THI PWR
- 3단계 구리 CMP P1 bulk / P2 clear / P3 barrier P1–P3 CMP
- 3레벨 NPC 인버터 neutral-point-clamped inverter NPC PWR
- 3사분면 도통 third-quadrant conduction PWR
- 3상 2레벨 인버터 three-phase two-level inverter PWR
- 3상 능동 정류기 three-phase active rectifier PWR
- 3체 재결합 three-body recombination PLS
- 3A Auto exposure / focus / white balance AE·AF·AWB CIS
- 3C 미스 3C cache misses 3C MEM
- 3C 미스 모델 Compulsory / Capacity / Conflict misses 3C SOC
- 3D 적층 3D stacking IND
- 3D LUT 3D look-up table 3D LUT DSP
- 3D NAND 3D NAND / V-NAND V-NAND MEMIND
- 3D NAND 스테어케이스 staircase (3D NAND) CMP
- 3D TCAD 3D TCAD TCD
- 3T 픽셀 3-transistor pixel 3T APS CIS
- 4:2 압축기 4:2 compressor DIG
- 45° 열 퍼짐 45-degree heat spreading PWR
- 45° 퍼짐 근사 45-degree spreading rule PWR
- 48 V 배전 48 V power distribution PWR
- 49점 측정 49-point map FILCMP
- 4단자 측정 Four-point (Kelvin) measurement FAL
- 4단자 탐침법 Four-point probe 4PP DEV
- 4사분면 운전 four-quadrant operation PWR
- 4점 탐침 Four-point probe 4PP DOP
- 4탐침법 four-point probe FIL
- 4f 시스템 4f system OPT
- 4F² 4F² cell area MEM
- 4H-SiC 4H silicon carbide PWR
- 4T 능동 픽셀 4T active pixel sensor 4T APS CIS
- 5 Why Five whys YLDFAL
- 5트랜지스터 OTA Five-transistor OTA ANA
- 60:40 규칙 60:40 rule (GaAs/AlGaAs) DEV
- 6스텝 운전 six-step operation PWR
- 6F² 6F² cell area MEM
- 6F² 셀 6F² cell LIT
- 6T 셀 6-transistor SRAM cell 6T MEM
- 6T SRAM 셀 Six-transistor SRAM cell 6T DIGSOC
- 80 PLUS 80 PLUS certification PWR
- 800 V 플랫폼 800 V platform PWR
- 8대 공정 Eight major processes PRC
- 8D Eight disciplines 8D FAL
- 8T SRAM 셀 8T SRAM cell 8T DIG
- ωτᵢ omega tau_i ωτᵢ PLS
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