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ThinFilmBook에 나오는 용어 338개입니다. 번호는 장·절이고, 누르면 그 절의 해당 문장으로 갑니다. 굵은 번호는 용어를 설명하는 곳입니다. 정의는 용어집에 있습니다.
338개
ㄱ
- 가동 이온 전하 mobile ionic charge Qm 04·2, 04·3
- 가스 커튼 gas curtain 12
- 가장자리 롤오프 edge roll-off 14
- 가장자리 제외 edge exclusion EE 14·1
- 거시 로딩 macro-loading 14·9
- 건식 산화 dry oxidation 01·2, 03·1, 03·4, 03·7, 04·1, 04·2
- 겉보기 활성화 에너지 apparent activation energy E_app 09·3, 15·7
- 게이지 R&R gauge repeatability and reproducibility GRR 16·8
- 격막 게이지 capacitance manometer CM 02·6
- 결정립 성장 grain growth 06·8
- 경계층 boundary layer 02·9, 09·1, 09·2, 09·4, 14·9, 14·10
- 계면 트랩 interface trap Dit 01·2, 01·3, 03·5, 03·8, 04·2, 04·3, 04·4, 15·1, 17·2
- 계면층 interfacial layer IL 12·6, 17·2
- 계면층 재성장 interfacial layer regrowth 12
- 고밀도 플라즈마 CVD High Density Plasma CVD HDP-CVD 01·3, 10·7, 13·7, 17·4
- 고압 산화 high-pressure oxidation HiPOx 01·3, 03·6
- 고온계 pyrometer 05·3, 05·5, 05·7
- 고유 응력 intrinsic stress 08·5, 15·5
- 고유전율·금속 게이트 high-k metal gate HKMG 17·2
- 고정 산화막 전하 fixed oxide charge Qf 03·8, 04·2, 04·3
- 공간 분할 ALD spatial ALD 01·3, 02·7, 12·3
- 공정 순서 열 예산 thermal budget allocation 05
- 과포화도 supersaturation S 06·3
- 교체 게이트 replacement gate 17·6
- 구멍 분포 showerhead hole distribution 14·2, 14·4
- 구조 영역 모델 structure zone model SZM 06·7, 15·2
- 국소 최소 local minimum 16·2
- 그로브 모델 Grove model 03·1, 03·2, 09·2, 09·6, 10·1, 10·8, 14·3
- 글로 방전 glow discharge 07·4
- 금속 모드 metal mode 08·1
- 금속 이온화율 metal ionization fraction 08·3, 08·6
- 급속 열처리 rapid thermal processing RTP 04·9, 05·3, 05·4, 05·5, 05·6, 05·7, 14·3, 15·9, 17·2
- 기공률 porosity 15·2, 15·9
- 기상 핵생성 homogeneous gas-phase nucleation 09·7
- 기울인 서셉터 tilted susceptor 09
- 기체 수송 계수 mass transfer coefficient h_g 03·2, 09·2
- 기체 처리량 throughput (gas) Q 02·6
- 기판 바이어스 substrate bias 08·4, 08·5, 08·6
ㄷ
- 다구역 히터 multi-zone heater 05, 14·2
- 단분자층 형성 시간 monolayer formation time 02·5
- 담쾰러 수 Damköhler number Da 09·2, 09·3, 09·4, 14·3
- 더미 웨이퍼 dummy wafer 14·6
- 돔·보울 분포 dome / bowl profile 14
- 동역학 몬테카를로 kinetic Monte Carlo KMC 06·4
- 동점성 계수 kinematic viscosity ν 09·4
- 동형 온도 homologous temperature T/Tm 06·7
- 두께 균일도 thickness uniformity 10·8, 14·1
- 뒷면 보상막 backside compensation film 17
- 등가 산화막 두께 equivalent oxide thickness EOT 04·9, 12·6, 17·2
- 등가 종횡비 equivalent aspect ratio 13
- 디웨팅 dewetting 06·5
- 디클로로실레인 dichlorosilane DCS 09
- 딜 삼각형 Deal triangle 04·2
- 딜-그로브 모델 Deal-Grove model 01, 03·1, 03·2
ㄹ
- 라머 반지름 Larmor radius r_L 07·5
- 래디컬 radical 03·4, 04·9, 09·5, 10·4, 10·8, 12·1, 12·2, 13·4, 14·9, 17·2
- 래디컬 재결합 surface recombination of radicals 12·1
- 램프 등가 시간 ramp equivalent time 05
- 랭뮤어 Langmuir L 01·3, 02·5, 09·6, 10·2, 11·2, 11·3, 12·3, 13·4
- 랭뮤어 흡착 Langmuir adsorption 01·3, 11·3
- 랭뮤어-힌셜우드 모델 Langmuir–Hinshelwood model LH 09·6
- 런투런 제어 run-to-run control R2R 14·2, 16·10
- 레시피 recipe 01·5, 01·6, 03·8, 04·2, 05·2, 05·5, 07·7, 09·8, 11·4, 11·7
- 레이스트랙 racetrack 07·2, 07·5, 07·7
- 레이저 곡률 측정 laser curvature measurement 16·7
- 레이저 어닐 laser anneal LSA 05·3, 05·7
- 로드락 load lock 01·5, 01·6
- 로딩 효과 loading effect 14·9
- 로렌츠-로렌츠 식 Lorentz-Lorenz equation 15·2
- 롱스로 스퍼터링 long-throw sputtering 08
- 리간드 교환 ligand exchange 11·2, 12·5
ㅁ
- 마그네트론 magnetron 02·5, 07·2, 07·4, 07·5, 07·7, 08·3
- 마수드 모델 Massoud model 04
- 막질 film quality 01·1, 01·3, 01·8, 04·9, 06·7, 08·6, 10·4, 10·5, 10·6, 12·2
- 맥스웰-볼츠만 분포 Maxwell-Boltzmann distribution 02·2, 02·5
- 면 주입 균일 해 uniform-injection solution 14
- 면방위 효과 orientation dependence 03
- 면저항 sheet resistance Rs 12·7, 16·1, 16·5, 16·6
- 모니터 웨이퍼 monitor wafer 05·7, 14·6, 16·1, 16·9
- 모서리 얇아짐 corner oxide thinning 04·8, 04·9
- 몬테카를로 궤적 모델 ballistic Monte Carlo 13·3
- 무작위 순차 흡착 random sequential adsorption RSA 11·5
- 문자열 모델 string model 13·6
- 문턱 에너지 threshold energy E_th 07·3
- 물리 기상 증착 physical vapor deposition PVD 01·1, 01·2, 01·3, 01·4, 01·5, 01·7, 01·8, 06·1, 06·3, 06·4
- 물리 흡착 physisorption 06·1, 11·3, 11·6
- 미시 로딩 micro-loading 14·2, 14·9
ㅂ
- 바닥 피복 bottom coverage BC 01·5, 02·9, 07·7, 08·4, 08·6, 13·1, 17·4, 17·5
- 박막 thin film 01·7, 01·8, 02·1, 05·1, 05·5, 05·7, 16·1, 16·2, 16·3, 16·4
- 반사 중성자 reflected neutrals 08·5
- 반사판 공동 reflector cavity 05
- 반응 제한 reaction-limited regime 01·5, 02·9, 03·3, 09·1, 09·2, 09·3, 09·4, 09·5, 09·8, 10·2
- 반응 차수 reaction order n 09·6
- 반응 확률 reaction probability 11·3, 12·7, 13·4, 13·7
- 반응물 고갈 reactant depletion 10
- 반응물 이용률 precursor utilization 09·4, 10, 14·4
- 반응성 부착 계수 reactive sticking coefficient s 09·5
- 반응성 스퍼터 히스테리시스 reactive sputtering hysteresis 08
- 반응성 스퍼터링 reactive sputtering 08·1
- 반쪽 반응 half-reaction 01·3, 11·1, 11·2, 11·5, 11·6, 12·3, 12·5
- 방사율 emissivity ε 05·3, 05·5
- 버블러 bubbler 03·4, 12·8
- 범위 균일도 range uniformity 14
- 베르그 모델 Berg model 08·1, 08·2
- 베이스 압력 base pressure 02·1, 02·5, 02·6, 02·9
- 벽 탈착 꼬리 wall desorption tail 11
- 보산켓 식 Bosanquet relation 13
- 보이드 void 08·4, 10·7, 13·6, 13·7, 17·4
- 볼머-베버 성장 Volmer–Weber growth VW 06·5
- 부착 계수 sticking coefficient s 01·4, 02·5, 08·1, 09·5, 10·4, 10·8, 11·3, 13·1, 13·2, 13·3
- 분광 반사율 spectral reflectometry SR 16·2, 16·5
- 분압 피드백 제어 partial-pressure feedback control 08
- 분자 유동 molecular flow 02·2, 02·4
- 불균일 핵생성 heterogeneous nucleation 06·3, 09·7
- 붕소 고갈 boron depletion 04·5
- 비굴절 specific refraction 15·2
- 비정질 실리콘 amorphous silicon a-Si 09·9
- 비정질 탄소 하드마스크 amorphous carbon hardmask ACL 17·7
ㅅ
- 사이클당 성장 growth per cycle GPC 01·5, 02·7, 02·9, 11·1, 11·2, 11·4, 11·5, 11·6, 11·7, 12·1
- 산화 적층 결함 oxidation-induced stacking fault OSF 03·7, 03·8, 04·6
- 산화 증강 확산 oxidation-enhanced diffusion OED 04·5, 04·6
- 산화막 간섭색 oxide interference color 03
- 산화막 점성 흐름 viscous flow of oxide 04
- 산화막 포획 전하 oxide trapped charge Qot 04·2
- 상압 CVD Atmospheric Pressure CVD APCVD 02·9, 09·1, 09·4, 10
- 새부리 bird's beak 03·1, 04·7
- 샤워헤드 showerhead 01·5, 02·4, 02·7, 02·8, 10·3, 10·4, 11·4, 14·2, 14·4, 14·10, 16·10
- 선택도 selectivity S 12·4
- 선택적 에피 성장 selective epitaxial growth SEG 10·8
- 선형 속도 상수 linear rate constant B/A 01·2, 03·2
- 선형 영역 linear regime 03·3, 03·5, 03·6, 14·10
- 셀마이어 식 Sellmeier equation 16·2
- 소유 비용 cost of ownership CoO 17·8
- 수밀도 number density n 02, 15·2
- 수소 억제 hydrogen inhibition 09·6
- 수소 함량 hydrogen content [H] 10, 15·3, 15·9
- 수송 제한 mass-transport-limited regime 01·5, 02·9, 09·1, 09·2, 09·3, 09·4, 09·5, 10·8, 13·7, 14·3, 14·9
- 수정 진동자 두께 측정기 quartz crystal microbalance QCM 07·1, 11·1
- 수집 효율 collection efficiency 07·2, 07·5, 07·7, 08·4
- 쉬스 sheath 07·4, 07·5, 08·3, 08·4, 10·4, 10·5, 12·1, 12·2, 14·10
- 스로틀 밸브 throttle valve 01·5, 02·6
- 스텝 커버리지 step coverage SC 01·3, 01·4, 01·8, 13·1, 13·3, 13·4, 13·7
- 스토니 식 Stoney equation 08·5, 15·6, 16·7
- 스트란스키-크라스타노프 성장 Stranski–Krastanov growth SK 06
- 스파이크 어닐 spike anneal 05·3
- 스퍼터 수율 sputter yield Y 07·3, 08·1, 10·7
- 스페이서 spacer 01·1, 01·3, 05·7, 12·2, 15·4, 15·9, 17·1, 17·3
- 습식 산화 wet oxidation 01·1, 01·2, 03·1, 03·4, 03·5
- 습식 식각률 wet etch rate WER 10·6, 12·2, 13·7, 15·1, 15·2, 15·3, 15·4, 16·1, 17·4, 17·8
- 습식 식각률비 wet etch rate ratio WERR 15·1, 15·4, 15·9
- 시너지 ALE synergy 12·5
- 시드층 seed layer 08
- 시야각 view factor 01·4, 13·1, 13·2, 13·6, 13·7
- 시준기 collimator 08·4, 13·2
- 식각 보정 슈퍼사이클 deposition-etch supercycle 12
- 식각/증착 비 etch-to-deposition ratio E/D 10·7, 17·4
- 실리콘 소모 silicon consumption 01
- 심 seam 12·7, 13·6, 17·4
ㅇ
- 아레니우스 그림 Arrhenius plot 03·4, 09·3
- 아브라미 모델 Avrami (JMAK) coverage model 11·7
- 압저항 계수 piezoresistance coefficient 17·3
- 억제제 inhibitor 12·4
- 에어리 식 Airy formula 16·2
- 에지 링 edge ring 05·3, 05·4, 14·2, 14·10
- 엘립소메트리 ellipsometry SE 03·8, 15·2, 16·1, 16·3, 16·5
- 열 슬립 thermal slip 05
- 열 예산 thermal budget 01·8, 03·6, 04·9, 05·1, 05·7, 10·8, 15·9, 17·1, 17·8
- 열 응력 thermal stress 05·4, 08·5, 15·5, 15·9
- 열 확산 길이 thermal diffusion length 05·3
- 열분해 thermal decomposition 10·4, 11·6
- 열산화 thermal oxidation 01·2, 01·3, 01·4, 01·7, 01·8, 03·1, 04·2, 04·9, 12·2, 15·1
- 열평형화 thermalization 01·5, 02·9, 07·6, 07·7, 08·3, 08·5, 08·6
- 염소 첨가 산화 chlorinated oxidation 03·7
- 영역 선택 증착 area-selective deposition ASD 06·6, 12·4
- 영향 함수 influence function φ_j 14·5
- 오버행 overhang 08·4, 08·6, 09·5, 10·7, 13·1, 13·6, 13·7, 17·4, 17·5
- 온도 경사 temperature ramp (zone tilt) 10·2, 14·2
- 온도 민감도 temperature sensitivity of diffusion S_T 05·1, 09·8, 14
- 와이블 분포 Weibull distribution 15
- 원격 플라즈마 remote plasma 12·1, 13·7
- 원자 피닝 atomic peening 08·5, 10·5, 10·6, 15·5
- 원자층 식각 atomic layer etching ALE 12·5
- 원자층 증착 atomic layer deposition ALD 01·1, 01·2, 01·3, 01·4, 01·5, 01·7, 01·8, 02·1, 02·7, 02·9
- 웨이퍼 간 균일도 wafer-to-wafer uniformity WTW 14·2, 14·6
- 웨이퍼 안 균일도 within-wafer uniformity WIW 14·2, 16·1
- 웨이퍼 휨 wafer bow 05·3, 05·4, 08·5, 10·6, 15·5, 15·6, 16·1, 17·6
- 유동성 CVD flowable CVD FCVD 13·7, 15·9, 17·4
- 유효 펌핑 속도 effective pumping speed S_eff 01·5, 02·6
- 유효 Dt effective Dt 05
- 응력 반전 stress reversal 08
- 이상 기체 ideal gas 02·1
- 이온 에너지 ion energy 01·5, 06·7, 07·3, 08·3, 08·4, 08·5, 10·5, 10·6, 12·2
- 이온 에너지 분포 ion energy distribution IED 10·5
- 이온화 PVD ionized PVD iPVD 01·3, 01·4, 01·5, 06·7, 07·5, 07·7, 08·3, 08·4, 08·6, 13·2, 13·7
- 이원 확산 계수 binary diffusion coefficient D 02·8
- 이중 응력 라이너 dual stress liner DSL 17·3
- 이중 주파수 PECVD dual-frequency PECVD 10
- 임계 분해 전단 응력 critical resolved shear stress CRSS 05·4
- 임계 핵 critical nucleus r* 06·3, 06·4
- 임계각 critical angle 16·4
- 입체 장애 steric hindrance 11·2, 11·5, 12·8
- Ψ와 Δ Psi and Delta 16
ㅈ
- 자기 바이어스 DC self-bias V_dc 07·4, 10·4
- 자기 제한 self-limiting 01·3, 01·4, 11·1, 11·4, 11·7, 12·5, 12·7, 13·1, 17·4
- 자기 제한 반응 self-limiting reaction 11·1, 12·7, 17·4
- 잠복기 incubation time t_inc 06·6, 09·9
- 재결합 확률 recombination probability 12·1
- 재스퍼터 resputtering 01·5, 08·3, 08·4, 08·5, 08·6
- 저압 화학 기상 증착 low-pressure CVD LPCVD 01·2, 01·3, 01·7, 02·1, 02·9, 05·7, 09·1, 09·2, 09·4, 09·5
- 전이 영역 transition mode 02·4, 02·6, 08·1, 08·2, 13·5
- 전이 온도 transition temperature T* 09
- 전이층 interfacial transition layer 04·1
- 전자 에너지 분포 함수 electron energy distribution function EEDF 10·4
- 전자 온도 electron temperature T_e 10
- 전자 충돌 해리 electron-impact dissociation 10·4, 12·1
- 전자빔 증발 electron-beam evaporation 07·1
- 점성 유동 viscous flow 02·4
- 접촉각 contact angle θ 06·3, 06·5
- 종형 퍼니스 vertical furnace 03·3, 03·8, 05·3, 05·6, 10·2
- 종횡비 aspect ratio AR 01·3, 01·4, 01·8, 02·2, 02·9, 08·4, 10·7, 10·8, 12·1, 13·1
- 주입 담쾰러 수 injection Damköhler number Da_I 14
- 증기압 vapor pressure P_eq 07·1, 11·2, 12·8
- 증착 deposition 01·2, 01·5, 01·6, 01·7, 02·5, 02·6, 02·7, 02·9, 05·7, 06·1
외 50곳
, 06·3, 06·4, 06·5, 06·6, 06·7, 06·8, 07·1, 07·3, 07·6, 07·7, 08·1, 08·2, 08·4, 08·5, 09·1, 09·2, 09·4, 09·5, 09·6, 09·7, 09·8, 09·9, 10·2, 10·4, 10·6, 10·7, 12·1, 12·2, 12·3, 12·4, 12·7, 13·3, 13·5, 13·6, 13·7, 14·4, 14·6, 14·7, 14·8, 15·3, 15·5, 15·6, 15·9, 16·7, 16·10, 17·3, 17·4, 17·5, 17·7, 17·8 - 증착 원자당 에너지 energy per deposited atom E_p 08, 10
- 증착-식각-증착 dep-etch-dep DED 13·6, 13·7
- 직접 터널링 direct tunneling 04·9, 12·6, 17·2
- 직진 플럭스 line-of-sight flux 13·2, 13·6
- 진화적 선택 evolutionary selection 06·8
- 질량 유량 제어기 mass flow controller MFC 01·5, 02·6, 02·9
- 질화 산화막 silicon oxynitride SiON 04·9, 17·7
ㅊ
- 차등 산화 doping-enhanced oxidation 03·8
- 채널 홀 channel hole 13·7, 17·1, 17·6
- 처리량 throughput WPH 01·4, 01·6, 02·6, 02·7, 02·9, 05·3, 11·4, 12·3, 13·7, 15·9, 17·8
- 체류 시간 residence time τ 01·5, 02·7, 06·1, 06·2, 08·2, 09·1, 09·7, 10·3, 10·4, 11·4
- 초기 급성장 initial rapid growth 01·2, 03·2, 03·3, 04·1
- 초기 두께 보정 initial thickness offset xᵢ 01·2, 03
- 충돌 캐스케이드 collision cascade 07·3
- 충돌 플럭스 impingement flux Φ 02·1, 02·5, 11·3, 13·4
- 층간 절연막 interlayer dielectric ILD 01·1, 01·3, 01·7
- 치밀화 densification 13·7, 15·4, 15·5
ㅋ
- 컨덕턴스 conductance C 02·2, 02·6
- 컨포멀리티 conformality 13·1
- 켈러-시먼스 근사 Keller–Simmons approximation 07·6
- 코사인 법칙 cosine law 07·2
- 크기 효과 resistivity size effect 12·7, 16·6, 17·5
- 크누센 구 Knudsen sphere 07
- 크누센 수 Knudsen number Kn 02·1, 02·3, 02·4, 02·6, 02·8, 08·4, 10·1, 13·1, 13·5, 13·7
- 크누센 확산 Knudsen diffusion D_K 01·4, 02·2, 02·4, 02·8, 12·1, 13·4, 13·5, 14·7
- 클라우지우스-클라페이롱 식 Clausius-Clapeyron relation 07·1, 12·8
- 클라우징 투과 확률 Clausing transmission probability 13
- 클러스터 장비 cluster tool 01·6
- 키에시그 무늬 Kiessig fringes 16·4
ㅌ
- 타깃 이용률 target utilization 07·7
- 타깃 피독 target poisoning 08·1
- 탈기 outgassing 02·5, 02·6, 08·6
- 탈수산화 dehydroxylation 11·2, 11·5
- 탈착 desorption 01·5, 06·1, 06·2, 09·1, 11·4, 11·6, 15·1, 15·3, 15·9
- 톰슨 분포 Thompson distribution 07·3, 07·6
- 트라이메틸알루미늄 trimethylaluminum TMA 01·3, 02·2, 02·3, 11·1, 11·2, 11·3, 11·4, 11·5, 12·3, 12·5, 12·8, 13·7
- 틸레 계수 Thiele modulus φ 14·7
ㅍ
- 파셴 곡선 Paschen curve 07·4
- 파울러-노르트하임 터널링 Fowler-Nordheim tunneling FN 09·2, 15·7
- 파이로제닉 산화 pyrogenic oxidation 03
- 패싯 facet 10·7, 10·8
- 퍼니스 산화 레시피 furnace oxidation recipe 03·8
- 퍼지 purge 01·3, 01·5, 02·7, 02·9, 03·7, 05·4, 09·5, 11·2, 11·3, 11·4
- 펀치스루 punch-through 08·4, 08·6
- 펌프다운 pumpdown 02·6, 02·9
- 펌핑 속도 pumping speed S 01·5, 02·6, 08·1, 08·6
- 페클레 수 Péclet number Pe 02·8, 10·3, 12·3, 14·4
- 편석 계수 segregation coefficient m 04·5
- 평균 속력 mean speed 02·2
- 평균 자유 행로 mean free path MFP 01·5, 02·1, 02·3, 06·8, 07·6, 07·7, 10·1, 13·1, 13·3, 13·5, 16·6
- 평형 용해도 equilibrium oxidant solubility C* 03
- 포물선 속도 상수 parabolic rate constant B 01·2, 03·2
- 포물선 영역 parabolic regime 03·3, 03·6
- 포밍 가스 어닐 forming gas anneal FGA 04·2, 04·4, 05·7
- 포화 노출량 saturation exposure 02·9, 11·3
- 포화 섬 밀도 saturation island density N_sat 06·4
- 포화 전선 saturation front 13·3, 13·4, 13·7
- 표면 결합 에너지 surface binding energy U_s 07·3
- 표면 반응 속도 상수 surface reaction rate constant k_s 09·2
- 표면 확산 surface diffusion D 01·5, 06·2, 06·7, 09·1, 09·9, 10·8, 15·9
- 풀-프렌켈 전도 Poole-Frenkel emission PF 15·7
- 프랑크-반 데어 메르베 성장 Frank–van der Merwe growth FM 06·5
- 플라즈마 원자층 증착 plasma-enhanced ALD PEALD 04·9, 12·1, 12·2, 15·9, 17·4
- 플라즈마 화학 기상 증착 plasma-enhanced CVD PECVD 01·1, 01·3, 01·5, 01·7, 02·1, 02·4, 05·7, 09·5, 10·1, 10·3
- 플래시 램프 어닐 flash lamp anneal FLA 05
- 피독 모드 poisoned mode 08·1
- 피복 비대칭 coverage asymmetry 08·4
- 핀치오프 pinch-off 13, 17·3
ㅎ
- 합체 coalescence 06·4, 06·8, 11·7, 15·5
- 항복 전계 breakdown field E_BD 03·7, 15·1, 15·8, 15·9
- 핵생성 장벽 nucleation barrier ΔG* 06·3
- 핵생성 지연 nucleation delay 06·6, 11·7, 12·4
- 헤르츠-크누센 식 Hertz–Knudsen equation 02·5, 07
- 헤르츠-크누센 플럭스 Hertz–Knudsen flux 09·5, 11·3
- 화학 기상 증착 chemical vapor deposition CVD 01·2, 01·3, 01·4, 01·5, 01·7, 01·8, 02·9, 06·1, 06·3, 06·6
- 화학 흡착 chemisorption 06·1, 11·3
- 확산 길이 diffusion length X 04·5, 05·1, 05·3, 05·7, 06·2, 14·9
- 확산 방지막 diffusion barrier 01, 08
- 확산 재방출 diffuse re-emission 13·3
- 회전 평균 rotational averaging 14
- 흡착 원자 adatom 06·1, 06·2, 06·4, 07·7, 08·5, 15·2
A
- ALD 온도 창 ALD window 11·6
B
C
D
E
F
G
- Gordon 모델 Gordon exposure model 13
H
- HfO2 결정상 HfO2 crystal phases 12
I
J
- JMAK 모델 Johnson–Mehl–Avrami–Kolmogorov model JMAK 06·6
L
O
P
S
T
W
X
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