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ProcessBook에 나오는 용어 142개입니다. 번호는 장·절이고, 누르면 그 절의 해당 문장으로 갑니다. 굵은 번호는 용어를 설명하는 곳입니다. 정의는 용어집에 있습니다.

142개

ㄱ

감광막 Photoresist PR 01·1, 02·6, 04·1, 04·4, 04·5, 05·1, 05·2, 05·3, 05·4, 05·7
외 12곳
, 06·1, 06·2, 06·4, 08·1, 08·3, 08·4, 11·1, 12·2, 14·1, 14·3, 15·1, 15·3
개구수 Numerical aperture NA 04·1, 04·2, 04·4, 04·5, 05·6, 12·3, 15·1
건식 산화 / 습식 산화 Dry / wet oxidation 03·1, 03·2, 03·4
게이트 라스트 Replacement metal gate RMG 10·1, 12·2, 13·1
게터링 Gettering 02·2
결함 밀도 Defect density D₀ 01·5, 02·4, 09·3, 14
계면 포획 전하 Interface trapped charge Qit 03·5
고체 용해도 Solid solubility 09·2, 09·4, 09·5
공정 능력 지수 Process capability Cp/Cpk 14·4
공정 레시피 Process recipe 15
공정 창 Process window EL × DOF 04·4
공중상 Aerial image 04·2, 05·4, 15·1
과도 증속 확산 Transient enhanced diffusion TED 08·5, 09·1, 09·2, 09·5
광 근접 보정 Optical proximity correction OPC 04·3, 05·5
그림자 효과 Shadowing 04·5, 08·4
극자외선 노광 Extreme ultraviolet lithography EUV 01·5, 04·1, 04·4, 04·5, 05·6, 05·7
급속 열처리 Rapid thermal annealing RTA 09·4

ㄴ

내부 스페이서 Inner spacer 13·2, 13·3
노광 Lithography 01·1, 01·3, 01·5, 02·5, 04·1, 04·2, 04·4, 05·1, 05·2, 05·6
외 6곳
, 07·6, 12·1, 12·2, 12·4, 14·3, 15·1
노치 Notch 02·4, 02·5

ㄷ

다마신 Damascene 01·1, 01·2, 10·3, 11·1, 11·2, 12·2
단차 피복 Step coverage 07·2, 07·3
대비 곡선 Contrast curve γ 05·2
더미 필 Dummy fill 10·4
도즈 Dose Φ 01·3, 01·6, 04·2, 04·4, 05·2, 05·3, 05·4, 05·7, 08·1, 08·2
외 6곳
, 08·3, 08·5, 09·2, 12·3, 14·1, 15·1
듀얼 다마신 Dual damascene 01·2, 11·1, 11·2, 12·2
등가 산화막 두께 Equivalent oxide thickness EOT 12·3, 13·1
등방성 / 이방성 Isotropic / anisotropic 06·1, 06·2, 06·3, 06·4, 06·6, 12·2, 13·3, 15·1, 15·3
디싱 Dishing 10·1, 10·3, 11·2, 15·1

ㄹ

레일리 식 Rayleigh criterion 04

ㅁ

문턱 전압 Threshold voltage Vt 02·6, 03·5, 08·1, 12·1, 12·2, 12·3, 13·1
물리 기상 증착 Physical vapor deposition PVD 01·1, 07·2, 07·3, 11·2, 15·1, 15·3

ㅂ

반사 방지막 Bottom anti-reflective coating BARC 05·1, 05·3
반응 지배 / 물질 전달 지배 Reaction / mass-transport limited 07·1
반응성 이온 식각 Reactive ion etching RIE 06·5
배리어 / 씨드 Barrier / seed Ta/TaN 01·2, 07·2, 10·1, 10·3, 11·1, 11·2, 11·3, 11·6
버즈 빅 Bird's beak 03·4, 15·3
보쉬 공정 Bosch process DRIE 06·6
보썽 곡선 Bossung curve 04·4
보잉 Bowing 06·4
부분 결맞음 Partial coherence σ 04·2, 15·1
부착 계수 Sticking coefficient s 07·3, 15·1, 15·3
비저항 Resistivity ρ 02·2, 02·3, 02·6
비정질화 주입 Pre-amorphization implant PAI 08·1, 08·5, 09·5

ㅅ

사이클당 성장 Growth per cycle GPC 07·4
사입사 조명 Off-axis illumination OAI 04·3
산란 계측 Optical critical dimension OCD 14·1, 14·2
산화 증속 확산 Oxidation-enhanced diffusion OED 03·5, 09·1, 09·5
살리사이드 Self-aligned silicide NiSi 01·2, 12·2
선 가장자리 거칠기 Line edge roughness LER 05·7, 14·1
선택비 Selectivity S 06·1, 06·2, 06·4, 06·7, 10·1, 13·3, 15·1, 15·3
선확산 / 드라이브인 Predeposition / drive-in 09·2, 09·4
수율 Yield 01·5, 01·6, 02·5, 05·7, 13·5, 14·5
스윙 곡선 Swing curve 05·3
스캐너 Step-and-scan system 02·5, 04·1, 04·4, 05·1, 14·3
스파이크 어닐 Spike anneal 09·4
스페이서 Spacer 01·2, 05·6, 06·3, 07·2, 07·4, 09·3, 12·2, 12·4, 13·2, 13·3
슬러리 Slurry 07·3, 10·1, 10·5
시스 Sheath 06·3
식각 Etch 01·1, 01·2, 01·3, 02·4, 02·6, 05·1, 05·4, 05·6, 06·1, 06·2
외 15곳
, 06·3, 06·4, 06·5, 06·6, 06·7, 07·2, 07·5, 11·1, 11·2, 11·6, 12·2, 13·2, 13·3, 15·1, 15·3

ㅇ

액침 노광 Immersion lithography ArFi 04
언더컷 Undercut 06·1, 06·2, 06·4, 15·3
에피택시 Epitaxy Epi 02·5, 07·2, 07·5, 13·3
엘립소미터 Ellipsometer 03·3, 14·1, 14·2
열 예산 Thermal budget Dt 01·2, 09·1, 09·2, 09·3, 09·4, 09·5, 12·4, 15·1, 15·3
열산화 Thermal oxidation 03·1, 03·4, 03·5, 06·2, 12·2
오버레이 Overlay OVL 02·5, 05·1, 05·6, 07·6, 11·6, 13·5, 14·1, 14·3
오버행 / 보이드 Overhang / void 07·2, 07·3, 11·2, 11·5, 15·1, 15·3
원자층 식각 Atomic layer etching ALE 06·3
원자층 증착 Atomic layer deposition ALD 01·1, 03·5, 05·6, 07·2, 07·3, 07·4, 13·1, 13·3, 15·1, 15·3
웨이퍼당 다이 수 Dies per wafer DPW 01·5
웰 Well 12
위상 반전 마스크 Phase-shift mask PSM 04·3
음이항 수율 모델 Negative binomial yield model 14
이로전 Erosion 10·1, 10·3, 11·2
이온 주입 Ion implantation 01·1, 08·1, 08·3, 09·2, 15·1
잉곳 Ingot 02·2, 02·5

ㅈ

자기 정렬 Self-alignment 11·6, 12·2, 12·4
저유전막 Low-k dielectric low-k 01·2, 10·5, 11·2, 11·4
전자 이동 Electromigration EM 11·1, 11·2, 11·5
전해 도금 Electrochemical plating ECP 07·2, 07·3, 11·2
정재파 Standing wave 05·1, 05·3, 05·4, 15·1
종말점 검출 Endpoint detection EPD 06·7, 10·5
종횡비 의존 식각 Aspect ratio dependent etching ARDE 06·5

ㅊ

채널링 Channeling 08·2, 08·4, 08·5, 15·1
초점 심도 Depth of focus DOF 02·5, 04·3, 04·4, 12·4
초크랄스키법 Czochralski method CZ 02·2
측벽 보호막 Sidewall passivation 06·3, 06·4
칩렛 Chiplet 01·5, 13·5

ㅋ

크기 효과 Size effect 11
클린룸 Cleanroom 01·4
킬러 결함 Killer defect 01·4, 01·5

ㅌ

통계적 공정 관리 Statistical process control SPC 14·4
투사 거리 Projected range Rp 08·1, 08·2, 08·3, 09·2, 15·1
투사 거리 표준편차 Straggle ΔRp 08·2

ㅍ

패턴 밀도 Pattern density ρ 10·1, 10·2, 10·4
패턴 붕괴 Pattern collapse 02·6, 05·4
팹 Fab (fabrication facility) 01
편석 계수 Segregation coefficient k₀ 02·2
평탄화 길이 Planarization length 10·4
프레스턴 식 Preston equation 01·6, 10·1
플라즈마 Plasma 01·1, 02·6, 03·2, 03·5, 04·5, 06·1, 06·2, 06·3, 06·4, 06·6
외 6곳
, 06·7, 07·2, 08·1, 11·1, 11·4, 15·1
피치 워크 Pitch walk 05·6
픽의 법칙 Fick's laws 01·6, 09

ㅎ

하이브리드 본딩 Hybrid bonding 10·1, 11·6, 13·5
할로 주입 Halo / pocket implant 08
화학 기계적 연마 Chemical mechanical planarization CMP 01·1, 02·5, 03·4, 04·4, 07·3, 10·1, 10·5, 11·1, 11·2, 11·4
외 5곳
, 12·2, 12·4, 13·1, 13·5, 15·1
화학 기상 증착 Chemical vapor deposition CVD 01·1, 03·4, 06·2, 07·1, 07·2, 07·3
화학 증폭형 레지스트 Chemically amplified resist CAR 05·1
확률 결함 Stochastic defect 05·7
확산 길이 Diffusion length √Dt 05·1, 05·3, 09·1, 09·2, 09·4
활성화 Activation 01·1, 01·2, 03·2, 07·1, 08·2, 08·5, 09·3, 09·4, 09·5, 11·5
외 3곳
, 12·2, 12·4, 13·1
후면 전력 공급 Backside power delivery network BSPDN 11·6, 13·4

B

BEOL Back End Of Line BEOL 01·2, 07·2, 12·4
BF₂ 주입 BF₂ implant BF₂ 08·1, 08·2

C

CD-SEM Critical-dimension SEM CD-SEM 05·1, 14·1
CESL Contact Etch Stop Layer CESL 12·2
CFET Complementary FET CFET 13·2

D

Deal–Grove 모델 Deal–Grove model 03

F

FEOL Front End Of Line FEOL 01·2, 09·3, 12·4
FinFET Fin field-effect transistor FinFET 01·6, 02·4, 05·6, 13·2
FOUP Front Opening Unified Pod FOUP 01·4

G

GAA 나노시트 Gate-all-around nanosheet GAA 01·6, 02·4, 07·4, 07·5, 13·2

H

High-k 메탈 게이트 High-k metal gate HKMG 13·2
High-NA EUV High numerical aperture EUV 04·5, 05·6

K

k₁ 계수 k₁ factor k₁ 04

L

LDD Lightly Doped Drain LDD 08·2, 12·1, 12·2, 12·4
LELE Litho-Etch-Litho-Etch LELE 05·6
LOCOS Local Oxidation of Silicon LOCOS 03·4, 12·2, 15·3

M

MOL Middle Of Line MOL 01·2, 12·2

N

NILS Normalized Image Log-Slope NILS 04·2, 04·3

P

PEB Post-exposure bake PEB 05·1, 05·3, 05·4, 15·1
PECVD Plasma-enhanced CVD PECVD 07·2

R

RC 지연 RC delay 11·4
RCA 세정 RCA clean SC1/SC2 02·6

S

SADP / SAQP Self-aligned double / quadruple patterning 05·6, 07·4, 13·2
SOI Silicon On Insulator SOI 02·5
SRAF Sub-resolution assist feature SRAF 05·5
STI Shallow Trench Isolation STI 01·2, 03·4, 07·2, 10·1, 12·2, 12·4, 15·3
Stoney 식 Stoney equation 07·6

T

TCAD Technology CAD TCAD 15·1

#

8대 공정 Eight major processes 01·1