현상과 레지스트 프로파일
노광과 베이크가 끝난 레지스트에는 아직 아무 무늬도 없다. 있는 것은 "여기는 잘 녹고 저기는 안 녹는다"는 화학적 차이, 곧 잠상뿐이다. 현상은 이 보이지 않는 차이를 실제 벽으로 바꾸는 단계다. 현상액은 위에서부터 레지스트를 파고들고, 잘 녹는 곳과 안 녹는 곳의 속도 차이가 수천 배에 이르기 때문에 흐릿한 빛의 분포에서 날카로운 벽이 선다. 그리고 바로 이 단계에서 무늬는 가장 많이 망가진다. 덜 녹아 붙고, 너무 녹아 끊어지고, 바닥에 찌꺼기가 남고, 마지막에 물을 말리다가 쓰러진다. 이 장에서는 현상액이 레지스트를 먹어 들어가는 모습을 시간으로 돌려 보고, 선이 쓰러지는 조건을 직접 손으로 찾는다.
- 용해 속도가 탈보호율의 가파른 S자 함수라는 점에서 문턱 거동이 나오는 이유를 설명한다.
- 대비 곡선에서 \(E_0\)와 대비 \(\gamma\)를 읽는다.
- 현상 전선이 단면에서 전진하는 과정을 보고 측벽이 기우는 이유, 스컴과 푸팅이 생기는 조건을 말한다.
- 모세관력에 의한 패턴 붕괴의 식을 쓰고, 종횡비·간격·린스액이 한계에 주는 영향을 계산한다.
- 브리지, 넥킹, 단선, 스컴, 열리지 않은 홀을 SEM 영상에서 구분하고 원인을 댄다.
- 양성 현상과 음성 현상의 차이, 퍼들 현상의 순서와 현상액 로딩을 설명한다.
현상은 속도 경주다
8장에서 화학 증폭형 레지스트의 고분자는 산과 열을 만나 보호기가 떨어져 나간다고 했다. 보호기가 떨어진 자리는 산성기(카복실산이나 페놀)가 되어 염기성 수용액에 녹는다. 보호기가 떨어진 비율을 탈보호율(Deprotection level) \(x\)라 하자. 노광 후 베이크가 끝난 레지스트는 자리마다 \(x\)가 다른 고체 막이다. 이것이 잠상이다.
현상액은 대개 TMAH(Tetramethylammonium hydroxide) 2.38% 수용액(0.26 N)이다. 금속 이온이 없는 유기 염기라서 반도체 공정의 표준이 됐다. 현상액이 닿으면 레지스트의 모든 곳이 녹기 시작한다. 노광된 곳만 녹는 것이 아니다. 다만 속도가 다르다. 탈보호율이 높은 곳은 초당 수십~수백 nm씩 녹고, 낮은 곳은 초당 0.1 nm도 녹지 않는다. 현상은 "녹는 곳과 안 녹는 곳"을 나누는 과정이 아니라, 모든 곳이 서로 다른 속도로 달리는 경주를 정해진 시간에 멈추는 과정이다.
그러면 속도는 \(x\)에 어떻게 달려 있는가. 고분자 사슬 하나가 현상액 속으로 풀려 나가려면 사슬 위의 여러 자리가 동시에 이온화되어야 한다. 한두 자리만 풀려서는 사슬이 떨어지지 않는다. 자리 \(n\)개가 함께 필요하다면 속도는 대략 \(x^n\)에 비례한다. 맥(Mack)의 현상 모델은 이 생각에 표면 반응과 확산의 균형을 더해 다음 식을 준다.
아래 그림의 곡선이 이 식이다. 곡선 위의 점을 끌어서 탈보호율을 바꾸고, 오른쪽 기둥에서 그 속도로 30초 동안 얼마나 녹는지 본다. 그다음 선택도 \(n\)을 2까지 낮춰 본다.
용해 속도 곡선
\(n\)이 14일 때 탈보호율이 0.3에서 0.5로 오르면 속도는 약 500배 뛴다. 0.5에서 0.7로 오를 때는 두 배쯤밖에 늘지 않는다. 이미 최고 속도에 가깝기 때문이다. 곡선이 이렇게 가파르면 현상의 결과는 "\(x\)가 어떤 값을 넘었는가"만으로 거의 정해진다. 이 책이 지금까지 써 온 문턱 모델(세기가 문턱을 넘으면 녹는다)이 통하는 이유가 여기에 있다. 반대로 \(n\)이 작으면 덜 노광된 곳도 어중간하게 녹는다. 그런 레지스트는 선의 꼭대기가 깎이고 벽이 눕는다.
대비 곡선: E₀와 γ
레지스트가 얼마나 문턱답게 행동하는지를 한 장의 그래프로 재는 방법이 있다. 무늬 없이 넓은 면을 노광량만 조금씩 바꿔 가며 찍고(노광량 계단), 현상한 뒤 남은 막 두께를 잰다. 가로축을 노광량의 로그, 세로축을 남은 두께로 그린 것이 대비 곡선(Contrast curve)이다.
양성 레지스트의 대비 곡선은 낮은 노광량에서 두께가 그대로이다가 어느 구간에서 급히 떨어져 0이 된다. 막이 바닥까지 다 녹는 최소 노광량을 \(E_0\)(Dose to clear)라 한다. 떨어지는 구간의 기울기가 대비 \(\gamma\)다.
아래 그래프에서 세로 점선의 손잡이를 끌어 노광량을 바꿔 본다. 그래프 밑의 작은 막대들은 노광량 계단으로 찍은 패드의 단면이다. 선택도 \(n\)을 바꾸면 앞 절의 속도 곡선이 대비 곡선의 기울기로 그대로 옮겨 오는 것을 볼 수 있다.
대비 곡선 읽기
\(n\) = 14, 현상 30초에서 \(E_0\)는 약 11 mJ/cm², \(\gamma\)는 약 6.5다. 실제 패턴을 목표 치수로 찍는 노광량 \(E_{size}\)는 보통 \(E_0\)의 1.5~2.5배다. 공간상의 가장자리 세기가 맑은 곳의 0.3~0.5배쯤이기 때문이다. 다음 절의 단면 시뮬레이터는 같은 레지스트를 25 mJ/cm², 곧 \(E_0\)의 약 2배로 찍는다.
현상 전선: 단면에서 벌어지는 일
넓은 면이 아니라 선과 간격을 찍으면 탈보호율은 가로로도, 깊이로도 달라진다. 가로 방향의 분포는 공간상에서 온다. 깊이 방향으로는 레지스트가 빛을 흡수하므로 바닥이 꼭대기보다 덜 노광되고, 기판 반사가 있으면 정상파 무늬가 겹친다(8장).
현상액은 윗면에서 출발한다. 처음에는 간격 한가운데, 가장 많이 노광된 곳을 따라 수직으로 빠르게 내려간다. 바닥에 닿으면 이번에는 옆으로 퍼진다. 옆으로 갈수록 탈보호율이 낮아지므로 속도는 급히 떨어지고, 어느 지점에서 사실상 멈춘다. 현상액과 레지스트의 경계면을 현상 전선(Development front)이라 한다. 전선은 자기 면에 수직인 방향으로 그 자리의 용해 속도만큼 전진한다.
시간 슬라이더를 천천히 밀어 현상액이 파고드는 순서를 본다. 그다음 노광량을 낮추고, 반사 방지막을 빼 본다.
현상액이 레지스트를 파고든다
여기서 볼 것은 세 가지다. 첫째, 현상 시간의 대부분은 옆 방향에 쓰인다. 수직으로 뚫는 데는 몇 초면 충분하다. 30초, 60초씩 현상하는 것은 전선이 느린 곳에 도달해 거의 멈출 때까지 기다리기 위해서다. 전선이 멈춘 자리에서는 현상 시간이 조금 달라져도 선폭이 별로 변하지 않는다. 둘째, 벽이 수직이 아니다. 바닥은 꼭대기보다 늦게 드러났고 빛도 덜 받았으므로 덜 깎인다. 그래서 양성 레지스트의 선은 대개 아래가 넓다. 셋째, 노광량이 모자라면 전선이 바닥에 닿지 못한다. 위에서 보면 무늬가 있는 것 같지만 간격 바닥에 얇은 레지스트가 남아 있다. 이것이 스컴(Scum)이고, 다음 식각에서 그 자리가 뚫리지 않는다.
프로파일의 모양
현상이 끝난 레지스트의 단면 모양을 프로파일(Resist profile)이라 한다. 위에서 재는 선폭은 프로파일의 한 높이에서 잰 값일 뿐이다. 식각이 마스크로 쓰는 것은 벽 전체이므로 모양에 이름을 붙여 관리한다.
프로파일을 정하는 것은 잠상의 모양이고, 잠상을 정하는 것은 세 가지다.
- 상의 기울기. 가장자리에서 세기가 급하게 변할수록(NILS가 클수록) 탈보호율이 좁은 폭 안에서 바뀌고, 전선이 멈추는 자리가 높이에 따라 덜 달라진다. 벽이 선다.
- 흡수. 레지스트가 빛을 많이 흡수하면 바닥이 덜 노광된다. 벽이 눕고 푸팅이 생긴다. 흡수가 너무 적으면 감도가 떨어진다.
- 초점. 레지스트 막에는 두께가 있다. 초점면이 막의 위쪽에 있으면 바닥의 상이 흐리고, 아래쪽에 있으면 꼭대기의 상이 흐리다. 흐린 쪽이 먼저 망가진다.
아래 단면에서 가로 점선이 초점면이다. 오른쪽 손잡이를 위아래로 끌어 초점면을 레지스트 위, 안, 아래로 옮겨 본다. 노광량과 흡수 계수는 슬라이더로 바꾼다. 현상 시간은 30초로 고정했다.
초점, 노광량, 흡수가 만드는 프로파일
초점을 위로 옮겼을 때와 아래로 옮겼을 때 결과가 다르다는 점이 중요하다. 얇은 문턱 모델에서는 초점이 +50 nm 어긋나든 −50 nm 어긋나든 선폭이 같다. 실제 레지스트는 두께가 있고 위에서부터 현상되므로 대칭이 깨진다. 10장에서 볼 보성 곡선이 한쪽으로 기우는 이유 가운데 하나가 이것이다. 노광량과 초점이라는 두 손잡이가 선폭과 프로파일을 함께 움직인다는 사실은 10장에서 공정 윈도라는 그림으로 정리한다.
패턴 붕괴: 물이 선을 쓰러뜨린다
현상이 끝나면 순수(초순수 물)로 현상액을 씻어 내고 웨이퍼를 돌려 말린다. 프로파일이 아무리 좋아도 이 마지막 몇 초에 무늬가 통째로 망가질 수 있다. 범인은 물의 표면 장력이다.
마르는 도중 선과 선 사이에 물이 남으면 수면은 오목한 메니스커스를 이룬다. 오목한 수면 아래의 압력은 대기압보다 낮다. 간격이 좁을수록 수면이 더 심하게 휘므로 압력 차이가 크다.
양쪽 간격의 물이 똑같이 마르면 선은 양쪽에서 같은 힘으로 당겨져 버틴다. 그러나 건조는 고르게 진행되지 않는다. 한쪽 간격이 먼저 마르면 선은 물이 남은 쪽으로 끌려간다. 선을 바닥에 고정된 외팔보로 보면, 벽 전체에 걸린 압력이 바닥에 만드는 최대 굽힘 응력은 다음과 같다.
식이 말하는 것은 분명하다. 선폭과 간격을 줄이면서 높이를 그대로 두면 응력은 세제곱으로 커진다. 아래 그림에서 선의 꼭대기에 있는 손잡이를 잡고 위로 끌어 올려 본다. 아래쪽 띠는 같은 선을 위에서 내려다본 SEM 영상이다.
어디까지 높일 수 있는가
붕괴한 선은 대개 둘씩 짝을 지어 꼭대기가 붙는다. 한번 붙으면 물이 다 말라도 떨어지지 않는다. 위에서 보면 선이 구불구불 지퍼처럼 맞물려 있다. 붙은 자리의 간격은 사라졌으므로 식각 뒤에는 그대로 단락이나 단선이 된다.
대책은 식의 항을 하나씩 줄이는 것이다.
| 줄이는 항 | 방법 | 대가 |
|---|---|---|
| \(H/W\) | 레지스트를 얇게 쓴다 | 식각을 버틸 두께가 모자란다. 하드마스크 적층이 필요하다(15장). |
| \(\gamma\) | 계면활성제를 넣은 린스액으로 마무리한다 | 공정 단계와 약액이 는다. 계면활성제가 레지스트에 스며 선폭을 바꿀 수 있다. |
| \(\gamma \rightarrow 0\) | 초임계 CO₂ 건조. 액체와 기체의 경계가 없다 | 고압 장비가 필요하다. 주로 DRAM 커패시터 같은 식각 뒤 구조에 쓴다. |
| 레지스트 강도·접착 | 단단한 레지스트(금속 산화물계), 접착을 돕는 하부막 | 재료를 새로 개발해야 한다. |
| 액체 자체 | 건식 현상. 액체를 쓰지 않는다 | 전용 레지스트와 장비가 필요하다. |
가장 많이 쓰는 것은 첫 줄이다. 세대가 바뀔 때마다 레지스트는 얇아졌다. KrF 시절 400~500 nm이던 두께가 ArF 액침에서 약 100 nm, EUV에서는 30~40 nm까지 내려왔다. 종횡비를 2~3 안에 묶어 두기 위해서다.
결함 갤러리: 직접 망가뜨려 본다
현상 뒤 검사에서 보는 결함은 몇 가지 꼴로 나뉜다. 이름을 외우는 것보다 어느 손잡이를 어느 쪽으로 밀면 나오는지 아는 편이 낫다. 아래는 타깃 LB-28을 위에서 본 SEM 영상이다. 밝은 테두리가 레지스트 선의 가장자리, 어두운 곳이 레지스트가 녹아 드러난 바닥이다. 파란 점선은 목표 도형이다.
LB-28을 망가뜨리는 다섯 가지 방법
| 결함 | 위에서 본 모습 | 원인 | 식각 뒤 결과 |
|---|---|---|---|
| 브리지(Bridging) | 이웃한 선이 얇은 다리로 이어진다 | 간격이 덜 노광됐다. 노광량 부족, 초점 이탈, 광자 부족 | 배선 단락 |
| 스컴(Scumming) | 간격 바닥이 뿌옇다 | 바닥까지 녹지 않았다. 현상 부족, 바닥의 낮은 노광 | 식각이 막혀 무늬가 전사되지 않는다 |
| 넥킹(Necking, pinching) | 선이 군데군데 잘록하다 | 선이 과하게 노광됐다 | 저항 증가, 신뢰성 저하 |
| 단선(Line break) | 선이 끊어져 있다 | 넥킹이 더 진행됐다 | 배선 단선 |
| 패턴 붕괴(Collapse) | 선이 휘어 둘씩 붙었다 | 종횡비가 한계를 넘었다 | 단락과 단선이 함께 |
| 열리지 않은 홀(Missing contact) | 있어야 할 홀이 없다 | 홀 하나에 들어온 빛이 모자랐다 | 비아 단선 |
이 책에서 선은 레지스트가 남는 곳이므로, 노광량이 모자라면 붙고 넘치면 끊어진다. 트렌치(레지스트가 녹는 곳이 배선)라면 방향이 반대다. 어느 쪽이든 붙는 쪽과 끊어지는 쪽 사이에 쓸 수 있는 노광량 구간이 있고, 그 폭이 10장의 주제다. 선폭이 좁아지면 붕괴에도 약해진다는 점도 본다. 넥킹이 생긴 선은 그 자리의 종횡비가 높아져 먼저 쓰러진다.
열리지 않은 홀
콘택 홀은 선보다 까다롭다. 선은 길이 방향으로 빛을 모아 받지만 홀은 사방이 막힌 작은 점 하나다. 홀 하나를 여는 데 쓰이는 광자 수가 적어서 홀마다 받은 빛이 눈에 띄게 다르다. 평균 노광량이 조금만 모자라도 운 나쁜 홀 몇 개가 열리지 않는다. 아래는 20 nm 홀을 40 nm 피치로 64개 찍은 것이다. 노광량을 내리면서 닫히는 홀을 센다.
홀 64개 가운데 몇 개가 열리는가
홀 백만 개 가운데 하나만 닫혀도 칩은 죽는다. 그래서 홀 층은 평균 지름이 아니라 "가장 작은 홀"이 열리는 조건으로 노광량을 정하고, 그만큼 노광량을 넉넉히 준다. 이 문제를 광학 쪽에서 덜어 주는 방법이 다음 절의 음성 현상이다.
양성 현상과 음성 현상
지금까지의 현상은 노광된 곳이 녹는 양성 현상(Positive-tone develop, PTD)이었다. 같은 화학 증폭형 레지스트를 TMAH 수용액 대신 유기 용매(주로 n-뷰틸 아세테이트)로 현상하면 결과가 뒤집힌다. 탈보호된 고분자는 극성이 커서 유기 용매에 녹지 않고, 보호기가 남은 비노광부가 녹는다. 이것이 음성 현상(Negative-tone develop, NTD)이다. 레지스트와 노광기는 그대로 두고 현상액만 바꾼다.
무엇이 좋아지는가. 트렌치나 홀처럼 "좁게 뚫린 곳"을 만들 때를 생각하자. 양성 현상에서는 뚫릴 자리에만 빛을 보내야 하므로 마스크의 대부분이 막혀 있다(암시야 마스크). 좁은 틈을 지난 빛은 약하고 넓게 퍼진다. 음성 현상에서는 뚫릴 자리만 가리고 나머지를 모두 비춘다(명시야 마스크). 넓은 빛 속의 좁은 그림자는 좁은 빛보다 가장자리가 가파르다. 아래 그래프에서 같은 트렌치를 두 방식으로 찍은 공간상을 겹쳐 본다.
같은 트렌치, 두 가지 현상
| 양성 현상 (PTD) | 음성 현상 (NTD) | |
|---|---|---|
| 현상액 | TMAH 2.38% 수용액 | 유기 용매(n-뷰틸 아세테이트 등) |
| 녹는 곳 | 노광부(탈보호되어 산성) | 비노광부(보호기가 남아 비극성) |
| 트렌치·홀의 마스크 | 암시야. 빛이 약하다 | 명시야. 빛이 넉넉하고 기울기가 크다 |
| 남는 레지스트 | 원래 고분자 그대로 | 탈보호되어 부피가 줄고 식각 내성이 낮다 |
| 린스 | 물. 표면 장력이 크다 | 유기 용매. 표면 장력이 낮아 붕괴에 유리하다 |
| 주로 쓰는 곳 | 선, 게이트, 대부분의 층 | ArF 액침의 콘택 홀, 비아, 컷, 트렌치 |
음성 현상은 20 nm급 로직부터 ArF 액침의 홀·트렌치 층에 널리 쓰였다. 대가도 있다. 남는 레지스트가 탈보호된 부분이라 보호기가 빠져나간 만큼 막이 얇아지고(약 20~30%), 식각 내성이 떨어진다. 이것 역시 하드마스크로 보완한다. 처음부터 노광부가 굳도록 만든 음성 레지스트(가교형, 금속 산화물계)는 다른 종류이며, EUV에서 쓰임이 늘고 있다.
현상 방식: 퍼들, 린스, 회전 건조
현상은 노광기 옆에 붙은 트랙 장비에서 한다. 웨이퍼 한 장씩, 다음 순서로 진행한다.
- 도포. 웨이퍼 지름만 한 긴 노즐이 지나가며 현상액을 얹거나, 웨이퍼를 천천히 돌리며 붓는다. 중심과 가장자리에 현상액이 닿는 시각의 차이가 곧 현상 시간의 차이이므로 가능한 한 빨리, 고르게 덮는다.
- 퍼들. 멈춘 채로 30~60초 둔다. 앞에서 보았듯 대부분의 시간은 전선이 멈추기를 기다리는 데 쓰인다. 현상액을 한 번 버리고 새로 얹는 이중 퍼들도 쓴다.
- 린스. 순수를 부어 현상액을 묽히고 반응을 멈춘다. 붕괴가 걱정되는 층은 마지막에 계면활성제 린스액으로 바꾼다.
- 회전 건조. 분당 수천 회로 돌려 물을 날린다. 그 뒤 하드 베이크로 남은 수분을 빼고 레지스트를 굳힌다.
현상액 로딩
퍼들은 멈춰 있는 얇은 액체층이다. 레지스트가 녹으면 그 자리의 현상액은 염기를 소모하고 녹은 고분자를 머금는다. 넓게 노광된 영역 위의 현상액은 금방 묽어지고, 그 옆의 무늬는 약해진 현상액으로 현상된다. 그 결과 넓은 노광 영역 가까이의 선은 덜 깎여 굵게 남는다. 무늬의 밀도에 따라 현상 결과가 달라지는 이 현상을 현상액 로딩(Developer loading)이라 한다. 영향 범위는 mm 단위로, 광 근접 효과(수백 nm)보다 훨씬 넓다.
아래는 칩 한 변(26 mm)을 가로지르는 띠다. 주황색 덩어리는 통째로 노광되는 넓은 영역이다. 이것을 좌우로 끌어 주변 선폭이 어떻게 달라지는지 본다.
넓은 노광 영역 옆의 선폭
로딩은 칩 안의 선폭 균일도(11장)를 깎는 요인이다. 퍼들을 여러 번 나누고, 노즐과 회전으로 현상액을 저어 주고, 그래도 남는 차이는 OPC의 긴 범위 보정이나 노광량 보정으로 메운다. 웨이퍼 중심과 가장자리의 차이도 같은 방식으로 관리한다.
타깃 LB-28: 30 nm보다 두껍게는 못 쓴다
종횡비가 레지스트 두께를 정한다
LB-28은 선폭 14 nm, 간격 14 nm다. 레지스트 두께를 30 nm로 잡으면 종횡비는 30/14 ≈ 2.1이다. 물로 린스할 때 간격에 걸리는 모세관 압력은 약 7.9 MPa이고, 선 바닥의 최대 응력은 이 장의 식으로 약 109 MPa다. 레지스트 강도를 150 MPa로 보면 버틴다. 한계 높이는 약 35 nm(종횡비 2.5)다.
식각을 생각하면 레지스트는 두꺼울수록 좋다. 그러나 60 nm로 올리면 종횡비 4.3, 응력은 약 430 MPa로 한계의 세 배 가까이 된다. 갤러리 시뮬레이터에서 두께를 올리면 선이 둘씩 붙는 것을 볼 수 있다. 계면활성제 린스를 써도 한계는 약 55 nm다. 여유를 두면 30 nm 안팎이 쓸 수 있는 두께다.
같은 영상에서 노광량 60 mJ/cm²일 때 선폭은 약 14 nm, 끝-끝 간격은 약 26 nm로 나온다. 약 40 mJ/cm² 아래에서는 끝-끝이 메워져 브리지가 되고, 110 mJ/cm² 근처부터는 선이 10 nm 아래로 가늘어져 끊어지기 시작한다.
핵심 정리
- 현상은 모든 곳이 서로 다른 속도로 녹는 경주다. 용해 속도는 탈보호율의 가파른 S자 함수이고(맥 모델, 선택도 \(n\)), 속도 차이가 수천 배라서 문턱처럼 행동한다.
- 대비 곡선은 남은 두께를 노광량의 로그에 대해 그린 것이다. 막이 다 녹는 노광량이 \(E_0\), 떨어지는 기울기가 대비 \(\gamma\)다.
- 현상 전선은 위에서 출발해 수직으로 빠르게 내려간 뒤 옆으로 천천히 퍼진다. 현상 시간의 대부분은 전선이 멈추기를 기다리는 시간이다. 노광이 모자라면 바닥에 스컴이 남는다.
- 프로파일은 상의 기울기, 흡수, 초점이 정한다. 초점을 위로 옮길 때와 아래로 옮길 때 결과가 다르다.
- 린스 건조 때 모세관력이 선을 쓰러뜨린다. 응력은 \(6\gamma\cos\theta\,(H/W)^2/S\)다. 레지스트를 얇게 쓰고 표면 장력이 낮은 린스를 쓴다.
- 노광량이 모자라면 브리지와 스컴, 넘치면 넥킹과 단선이 생긴다. 홀은 광자 수가 적어 몇 개만 먼저 닫힌다.
- 음성 현상은 유기 용매로 비노광부를 녹인다. 트렌치와 홀을 명시야 마스크로 찍을 수 있어 상의 기울기가 좋아진다.
- 퍼들 현상에서는 넓게 노광된 영역이 현상액을 소모해 주변 선폭을 바꾼다(로딩).
확인 퀴즈
1. 표준 퍼들 현상은 30~60초 동안 한다. 그런데 노광된 곳의 레지스트는 몇 초면 바닥까지 녹는다. 나머지 시간은 왜 필요한가?
2. 선폭과 간격을 모두 절반으로 줄이면서 레지스트 높이는 그대로 두었다. 건조 때 선 바닥에 걸리는 최대 응력은 몇 배가 되는가?
3. 선(레지스트가 남는 곳)과 간격 무늬를 양성 레지스트로 찍었다. SEM으로 보니 이웃한 선들이 얇은 다리로 군데군데 이어져 있다. 가장 먼저 의심할 것은?
4. ArF 액침으로 고립된 좁은 트렌치를 찍을 때 음성 현상(NTD)이 양성 현상보다 유리한 가장 큰 이유는?