3장에서 마이크로렌즈와 크로스토크를 광선으로 그렸고, 2장에서 반사방지막을 두 반사파의 간섭으로 설명했다. 픽셀이 0.56~0.7 µm까지 작아진 지금, 광선 그림은 경향만 맞는다. 픽셀 폭이 파장과 같아지면 렌즈는 점이 아니라 회절 반점을 만들고, DTI로 둘러싸인 실리콘 기둥은 도파관이 되며, 얇은 실리콘은 공진기가 된다. 이 장은 맥스웰 방정식을 직접 푸는 도구(FDTD, 전달 행렬, 모드 해석, RCWA, 각 스펙트럼법)로 픽셀 안의 빛을 계산하고, 그 결과로 광 포획 구조와 구조색 필터, 컬러 라우터·메타표면이 어떻게 설계되는지 살펴본다.
프레넬 수와 회절 반점 크기로 광선 광학이 언제 무너지는지 판단한다.
Yee 격자, 립프로그 갱신, Courant 조건, PML로 FDTD의 원리를 설명하고, 결과를 TMM과 대조해 검증한다.
전달 행렬법으로 다층 반사방지막을 설계하고, 얇은 BSI 실리콘의 파브리–페로 QE 리플을 계산한다.
DTI로 둘러싸인 픽셀을 평판 도파로로 보고 모드 수(V 수)와 벽을 통한 결합 길이를 구한다.
피라미드·격자 광 포획과 람베르트 4n² 한계를 몬테카를로로 확인하고, 그 대가인 크로스토크를 정량화한다.
도파 모드 공진 필터와 컬러 라우터·메타표면의 원리, 흡수형 CF의 1/3 한계, 각도·공차 민감도를 이해한다.
픽셀이 파장만 해질 때: 광선에서 파동으로
광선 광학은 빛을 직진하는 선으로 다룬다. 이 근사가 맞으려면 구조의 크기가 파장보다 훨씬 커야 한다. 스마트폰 픽셀의 피치는 2010년대 1.4 µm에서 2020년대 0.56~0.7 µm로 줄었다. 공기 중 가시광 파장(0.4~0.7 µm)과 같은 크기다. 매질 안에서는 파장이 λ/n로 줄기 때문에 컬러 필터(n ≈ 1.6) 안에서는 0.25~0.44 µm, 실리콘(n ≈ 3.8~4.7) 안에서는 0.1~0.17 µm가 된다. 그래서 같은 픽셀 안에서도 렌즈와 필터 층은 "파장 몇 개" 크기의 회절 영역이고, 실리콘 안은 그보다 조금 나은 다중 모드 도파관 영역이다.
그림 18-1. 픽셀 피치와 녹색광(550 nm) 파장의 크기 비교. 0.7 µm 픽셀의 렌즈·필터 층에는 파장이 두 개 남짓 들어갈 뿐이라 빛은 회절하며 퍼진다. 실리콘 안에서는 파장이 짧아져 사정이 낫지만, DTI로 둘러싸인 0.6 µm 폭의 실리콘은 모드 몇 개만 허용하는 도파관이다(6절).
광선과 파동 중 어느 그림이 맞는지는 프레넬 수(Fresnel number)로 가늠한다. 반지름 a인 개구로 들어온 빛을 거리 z에서 볼 때
NF=λmza2,λm=nλ,Δx0≈2aλmz(1-D 개구, 첫 0점)
NF≫1이면 개구의 그림자가 또렷하게 유지되는 기하광학 영역이고, NF≲1이면 회절이 지배한다. Δx0는 폭 2a인 개구가 초점 거리 z에서 만드는 회절 반점의 중심에서 첫 0점까지 거리다. 원형 개구라면 1.22배가 되고, 이것이 5장의 Airy 반점이다.
계산 예: 피치 0.7 µm 픽셀의 갭리스 렌즈(a = 0.35 µm)가 폴리머(n = 1.6) 안에서 f = 1.2 µm에 초점을 맺는다면 λm = 0.344 µm, NF = 0.35²/(0.344 × 1.2) ≈ 0.30이다. 반점의 첫 0점은 Δx0 ≈ 0.344 × 1.2/0.7 ≈ 0.59 µm로, 픽셀 폭과 거의 같다. 광선 추적은 이 렌즈가 초점에서 빛을 한 점에 모은다고 말하지만, 실제로는 픽셀 폭만 한 얼룩이 생긴다. 같은 계산을 1.4 µm 픽셀(f = 2 µm)에 하면 NF ≈ 0.71이라 사정이 훨씬 낫다. 아래 시뮬레이터는 이 차이를 각 스펙트럼법으로 직접 보여 준다.
각 스펙트럼법(angular spectrum method)은 렌즈 바로 뒤의 장 u(x,0)을 평면파 성분으로 분해(푸리에 변환)하고, 각 성분을 정확한 전파 인자로 깊이 z까지 보낸 뒤 다시 합친다.
km=2πn/λ. ∣kx∣>km인 성분은 지수적으로 감쇠하는 에바네센트파가 된다. 균질한 매질 안의 스칼라 전파로는 근사 없는 해다. 근사는 렌즈를 얇은 위상판으로 본 것과, 정사각 개구를 x·y 방향으로 분리한 것(픽셀 안 에너지 = x 비율 × y 비율)에 있다.
SIMULATOR
마이크로렌즈의 회절 집광: 광선 대 파동
세기 표시
프레넬 수 N_F—
반점 첫 0점 λ_m f/p—
픽셀 안 에너지 (파동)—
픽셀 안 에너지 (광선)—
축상 최대 세기 깊이—
렌즈 하나(폭 p)로 들어온 빛만 따라간다. 매질 굴절률 1.6(폴리머·CF), 2048점 FFT, 깊이 64단. 왼쪽 xz 지도의 점선은 픽셀 경계, 흰 실선은 광선 추적이 예측하는 빛다발 가장자리, 가로 점선은 PD 면이다. 오른쪽 그래프는 깊이별로 자기 픽셀(정사각) 안에 남는 에너지 비율이다. 해볼 것: ① f = H로 두고 피치를 2.0 → 1.4 → 0.7 → 0.56 µm로 줄이며 (f = H = 3, 2, 1.2, 1.0 µm) 파동 값이 92 → 86 → 72 → 57%로 떨어지는 것을 보자. 광선 추적은 네 경우 모두 100%다. ② 0.7 µm에서 축상 세기가 가장 큰 깊이는 f = 1.2 µm가 아니라 0.4 µm 근처다. 프레넬 수가 작은 렌즈의 초점 이동(focal shift)이다. ③ 파장을 650 nm, H = 1.5 µm로 바꾸면 적색광은 48%만 남는다.
영역
조건
맞는 도구
픽셀에서의 예
기하광학
NF≫1, 구조 ≫ λ
광선 추적, 몬테카를로
모듈 렌즈, 3 µm 이상 픽셀의 경향 분석
스칼라 회절
NF∼1, 구조 ≳ λ, 편광 무관
각 스펙트럼법, 프레넬 적분
마이크로렌즈 반점, 메타표면 초기 설계
박막 간섭
가로로 균일한 층
전달 행렬법(TMM)
ARC, 에탈로닝, 필터 스택
엄밀 전자기 해석
구조 ≲ λ, 높은 굴절률 대비, 금속
FDTD, RCWA, FEM
DTI·그리드·피라미드·나노 기둥이 있는 픽셀 전체
맥스웰 방정식을 격자에 올리기: FDTD
구조가 파장보다 작고 굴절률 대비가 크면(Si 4 대 산화막 1.46) 근사 없이 맥스웰 방정식을 풀어야 한다. 픽셀 광학 설계에서 가장 널리 쓰는 방법이 FDTD(Finite-Difference Time-Domain, 유한차분 시간영역법)다. 공간을 격자로, 시간을 작은 스텝으로 나누고, 두 회전 방정식을 차분식으로 바꿔 전기장과 자기장을 번갈아 갱신한다.
∂t∂H=−μ01∇×E,ε∂t∂E+σE=∇×H
픽셀 단면을 2차원(x–y, 모든 것이 z 방향으로 균일)으로 보면 방정식이 두 편광으로 갈라진다. Ez,Hx,Hy만 있는 경우(전기장이 트렌치 벽과 나란한 편광)와 Hz,Ex,Ey만 있는 경우다. 이 장의 2-D 시뮬레이터는 앞의 것을 쓴다.
그림 18-2. (a) Yee 격자. 전기장과 자기장 성분을 반 칸씩 엇갈려 놓으면 각 성분의 회전이 바로 옆 성분의 차분 하나로 계산된다. (b) 립프로그 갱신. E와 H를 반 스텝씩 번갈아 갱신하며 시간을 전진한다. 둘 다 2차 정확도이고 명시적(행렬을 풀 필요가 없음)이라 큰 3-D 구조에도 쓸 수 있다.
Yee 격자(Yee lattice) 위의 1-D 갱신식은 다음과 같다(c=1로 정규화, S=cΔt/Δx).
a=σΔt/(2ε)는 전도도에 의한 손실 항이다. 손실이 없으면 a=0. 안정 조건은 1-D에서 S≤1, d차원 정사각 격자에서 S≤1/d다(Courant 조건).
이 차분식이 만드는 파동은 실제 파동과 조금 다르게 진행한다. 이산 분산 관계 sin(ωΔt/2)=(S/n)sin(k~Δx/2)에서 수치 파수 k~는 nk0보다 크고, 위상속도가 느려진다. 매질 속 파장당 셀 10개면 1~2%, 5개면 7% 늦다. 이 오차는 공진 구조에서 위상으로 쌓이므로 해상도와 계산량 사이에서 타협해야 한다. 계산 영역의 끝에는 반사 없이 빛을 삼키는 경계가 필요하다. 완전 정합층(Perfectly Matched Layer, PML)은 전기·자기 전도도를 σ∗/μ=σ/ε로 맞춘 인공 흡수층이라, 계면에서 임피던스가 같아 반사가 없고 안으로 들어간 파동만 감쇠한다.
심화: 분산성 실리콘을 한 파장에서 다루는 법
실리콘의 굴절률과 흡수는 파장에 따라 크게 변한다. 광대역 펄스 하나로 스펙트럼을 한 번에 얻으려면 Drude–Lorentz나 임계점(critical-point) 모형을 보조 미분 방정식(ADE)으로 함께 풀어야 한다. 단색 연속파(CW)만 다룬다면 훨씬 간단하다. 그 주파수에서 복소 유전율 ε~=(n+iκ)2=ε′+iε′′을 정확히 재현하도록 εr=ε′, σ=ωε0ε′′으로 두면 된다. 이 장의 2-D FDTD는 여기에 두 가지를 더했다. (1) 이산 분산 관계가 정확히 n~k0를 주도록 ε을 미리 보정해 수직 방향 위상 오차를 없앴고, (2) 경계가 셀을 가로지르면 셀 안을 4×4로 나눠 ε를 산술 평균했다(전기장이 모든 계면과 나란한 편광이라 이 평균이 맞는 유효 매질이다).
SIMULATOR
1-D FDTD 실험실: 해상도, Courant 수, 경계
오른쪽·왼쪽 끝
광원
측정 반사율 R—
프레넬 ((n−1)/(n+1))²—
측정 투과율 T—
R + T—
매질 속 위상속도 오차—
상태—
왼쪽은 공기, 오른쪽 음영은 굴절률 n인 반무한 매질이다. 입사파는 보조 격자에서 만들어 TF/SF(전체장/산란장) 경계(세로 점선)로 주입하므로, 점선 왼쪽에는 반사파만 남는다. R과 T는 감시점에서 이산 포인팅 선속 −E·H를 시간에 대해 적분해 구한다. 해볼 것: ① n = 4, 해상도 20(매질 속 셀 5개)에서 펄스가 지나간 뒤 R = 0.263이다. 프레넬 값은 0.36이다. 해상도를 40, 80으로 올리면 0.341, 0.356으로 수렴한다(오차 ∝ 1/해상도²). R + T는 해상도와 상관없이 1이다. ② S를 1.0 위로 올리면 몇 스텝 만에 장이 폭주한다. 1-D의 Courant 한계다. ③ 경계를 "완전 도체 벽"으로 바꾸면 끝에서 되돌아온 빛까지 반사로 세어져 R이 1을 넘는다. PML이 왜 필요한지 보여 준다.
FDTD로 보는 픽셀 스택
이제 같은 방법을 픽셀 단면에 적용하자. 계산 영역은 베이어 배열의 한 행(G–R 또는 G–B 두 픽셀)이 한 주기다. 가로 방향은 주기 경계로 이어 무한히 반복되는 픽셀 배열을 흉내 내고, 위아래는 PML로 닫는다. 비스듬한 평면파는 이웃 주기와 위상이 eikxL만큼 다르므로, 가로 경계에서 장에 이 위상을 곱해 넘겨준다(블로흐 주기 경계(Bloch periodic boundary)).
그림 18-3. 이 장의 2-D FDTD 계산 영역. 두 픽셀이 한 주기이고, 가로 경계는 블로흐 위상으로 이어진다. 각 픽셀 실리콘 영역의 흡수 21σ∣E~∣2를 합하면 픽셀별 QE(내부 양자효율 1 가정)가, 반사 감시선의 장에서 입사파를 빼고 회절 차수로 분해하면 반사율이 나온다. 흡수, 반사, 투과의 합이 1인지가 계산이 수렴했는지 보는 지표다.
연속파 계산에는 쓸모 있는 기법이 하나 있다. 사인 광원과 코사인 광원을 각각 실수장으로 돌리고 둘을 복소장 ψ=Ecos+iEsin으로 묶으면, 정상 상태에서 ψ(t)=E~e−iωt가 된다. 이 복소장의 크기 ∣ψ∣2가 곧 시간 평균 세기이므로 한 주기를 기다려 평균할 필요가 없고, 블로흐 경계의 복소 위상도 자연스럽게 처리된다. 계산량은 두 배다.
SIMULATOR
실시간 2-D FDTD: 픽셀 안을 흐르는 빛
프리셋
컬러 필터
DTI
CF 그리드
표시
해상도 (Si λ당 셀)
—
픽셀 A 흡수 (자기 면적 대비)—
픽셀 B 흡수—
반사 R—
CF 흡수—
에너지 수지 R+A+T—
TMM 기준 (평면일 때)—
E_z 편광, 복소장 블로흐 FDTD. 격자는 Si 속 파장당 셀 8개(또는 12개), S = 0.6, 위아래 PML 14셀. 그림은 한 주기(두 픽셀)를 가로로 두 번 이어 그렸다. 매 프레임 약 9 ms만 계산하고, 흡수가 5주기 간격으로 0.2% 안에서 변하지 않고 에너지 수지가 1 ± 1.5% 안이면 멈춘다. 그 뒤 순간장 보기는 위상자를 회전시켜 보여 준다. 흡수는 "그 픽셀 면적에 떨어진 빛" 대비라서 이웃의 빛을 끌어오면 100%를 넘을 수 있다. 해볼 것: ① "맨 Si" 550 nm에서 R ≈ 0.40, TMM은 0.43이다. 셀 8개 해상도의 오차이고 12로 올리면 줄어든다. ② "렌즈+CF" 540 nm·20°에서 G 픽셀 흡수 0.42, R 픽셀 0.23으로 녹색이 이웃으로 크게 샌다. "+그리드·DTI"로 바꾸면 0.72 대 0.04가 된다. ③ 650 nm, 20°에서 DTI를 FDTI → 없음으로 바꾸면 적색광이 G 픽셀로 넘어가는 양(픽셀 A)이 0.03에서 0.14로 는다. ④ "NIR 피라미드"(940 nm, 뒷면 산화막)에서 텍스처를 끄면 픽셀 흡수가 0.16에서 0.07로 절반 아래가 된다. 이어서 "앞면 금속 반사판"을 켜면 평탄면도 파브리–페로 공진으로 0.19까지 올라 텍스처(0.16)를 앞선다. 한 파장에서는 공진이 텍스처를 이길 수 있고, 텍스처의 장점은 파장과 두께에 둔감하다는 데 있다(5절).
앞 시뮬레이터의 엔진을 평면 구조에서 TMM(4절)과 대조한 결과를 표에 모았다. 해상도 8에서 반사율이 0.02~0.04 정도 차이 나고, 해상도를 올리면 TMM 값에 수렴한다. 실제 설계용 FDTD는 셀을 더 잘게(파장당 20~30개) 나누고 3-D로 계산하므로 몇 시간짜리 계산이 된다. 브라우저에서는 몇 초 안에 끝나도록 2-D, 단색, 저해상도로 타협했다.
구조 (수직 입사, Si 2 µm, 아래 산화막)
FDTD 해상도 8
해상도 12
해상도 16
TMM (정확)
맨 Si, 450 nm: 반사율
0.383
0.411
0.426
0.420
맨 Si, 550 nm: 반사율 / Si 흡수
0.402 / 0.461
—
—
0.425 / 0.448
HfO₂ 60 nm ARC, 550 nm: 반사율 / Si 흡수
0.020 / 0.755
—
—
0.014 / 0.769
맨 Si, 550 nm, 25° 입사: 반사율
0.479
—
—
0.503
2-D 계산이 3-D 픽셀과 다른 점
(1) 2-D 단면은 z 방향으로 무한히 긴 "줄무늬" 픽셀을 푼다. 실제 픽셀은 x와 y 두 방향으로 갇혀 있으므로, 렌즈 집광과 DTI 가둠은 3-D에서 더 강하고 크로스토크 경로는 대각선 이웃까지 넷 더 많다. (2) 한 편광(E가 트렌치와 나란한 편광)만 풀었다. 금속 그리드와 비스듬한 DTI 벽에서는 다른 편광이 꽤 다르게 반사된다. 무편광 결과는 두 편광의 평균이다. (3) 단색 계산이라 CF의 대역 평균 효과나 에탈로닝의 평균화는 파장을 바꿔 가며 따로 봐야 한다. (4) 내부 양자효율을 1로 두었다. 흡수된 위치에 따른 전기적 크로스토크와 표면 재결합은 3장과 2장의 모형을 따로 곱해야 한다.
박막 간섭과 전달 행렬법
가로로 균일한 층이 쌓인 구조라면 맥스웰 방정식은 층마다 위·아래로 진행하는 평면파 두 개로 풀린다. 각 층 경계에서 접선 성분 E와 H가 연속이라는 조건을 2×2 행렬로 쓰고 층 수만큼 곱하면 스택 전체의 반사·투과가 나온다. 이것이 전달 행렬법(Transfer-Matrix Method, TMM)이다. 2장의 단층 ARC 공식은 이 행렬 하나의 특수한 경우다.
그림 18-4. 특성 행렬(Abelès–Macleod 형식). 층마다 위상 두께 δj와 광학 어드미턴스 ηj를 갖는 2×2 행렬을 곱한다. 각 층 경계의 (Bj,Cj)에서 포인팅 선속 Ψj를 구하면 층별 흡수가 나온다. 복소 굴절률 n~=n−iκ를 그대로 넣으면 흡수층(Si, CF, 금속)도 같은 식으로 다룬다.
비스듬한 입사에서는 스넬 불변량 n0sinθ0가 모든 층에서 같고, 각 층의 n~jcosθj=n~j2−n02sin2θ0가 위상과 어드미턴스를 정한다. s(TE)와 p(TM) 편광은 어드미턴스만 다르다. p 편광에는 반사가 0이 되는 브루스터 각이 있다.
계산 예: 2장의 단층 ARC(공기 / Si₃N₄ n = 2.0, 68.75 nm / Si)를 이 엔진에 넣으면 400~1000 nm 전 구간에서 2장의 해석식과 소수점 아래 15자리까지 같다. 실제 BSI 픽셀의 ARC는 공기가 아니라 CF·평탄화층(n ≈ 1.5~1.6) 아래에 놓인다. 이때 이상적인 단층 굴절률은 1.6×4.08≈2.55로 올라가 HfO₂(≈1.95)나 Ta₂O₅(≈2.1)만으로는 모자라고, 그래서 고굴절 막 두세 장을 쌓아 넓은 대역에서 반사를 몇 % 아래로 누른다.
SIMULATOR
다층 박막 설계기 (TMM)
프리셋
입사 매질
층 (위 → 아래, 두께 nm)
기판: Si (반무한)
편광
R @ 550 nm—
가시 평균 R (420–680)—
R @ 940 nm—
막 흡수 (가시 평균)—
가시 평균 R @ 30°—
왼쪽은 반사율 R(λ)(굵은 선), 스택 안 흡수(점선), Si로 들어가는 비율 1 − R − A(옅은 채움)다. 오른쪽은 550 nm에서의 R(θ)로 s, p를 함께 그렸다. "두께 최적화"는 현재 각도·편광에서 420~680 nm 평균 반사율이 줄도록 층 두께를 하나씩 좌표 하강법으로 조정한다(층당 5~300 nm). 해볼 것: ① "맨 Si"의 R(550) ≈ 37%, "SiN λ/4"에서 0%대로 떨어지지만 450 nm와 650 nm에서는 다시 오른다. ② 입사 매질을 CF·폴리머로 바꾸면 같은 SiN 단층의 가시 평균 R이 3.7%에서 7%대로 두 배가 되고, 최적화를 눌러도 거의 줄지 않는다. 재료를 TiO₂로 바꾼 뒤 최적화하면 2% 안팎이 된다("CF 아래 ARC" 프리셋은 CF-G 층까지 넣어 CF 흡수도 함께 보여 준다). ③ "3층 광대역"을 70°까지 기울여 s와 p가 갈라지는 것을 보자.
스택 (Si 위, 공기 입사, 무편광)
R @ 550
가시 평균 R
비고
맨 Si
37%
약 38%
청색일수록 높다 (n이 크다)
Si₃N₄ λ/4 (69 nm)
0.02%
3.7%
2장의 ARC, 설계 파장에서만 0
SiO₂ 15 + HfO₂ 60 nm
0.7%
3.4%
HfO₂는 BSI 후면 패시베이션 겸용
SiO₂ 93 / Al₂O₃ 160 / TiO₂ 53 nm
3.7%
2.1%
광대역: 550 nm에선 단층보다 높고 대역 평균은 낮다
CF(n 1.6) 아래 Si₃N₄ 65 nm → TiO₂ 51 nm
5.9% → 1.0%
7.3% → 2.1%
입사 매질이 바뀌면 고굴절 재료가 필요하다
얇은 BSI 실리콘의 파브리–페로 공진
BSI 실리콘은 3~6 µm로 얇고, 그 위아래가 모두 계면이다. 위는 ARC, 아래는 산화막과 배선 금속이다. 흡수 깊이가 실리콘 두께보다 긴 적색·NIR 빛은 아래 면에서 반사되어 되돌아오고, 위아래를 오가는 빛이 간섭해 실리콘 층은 손실 있는 파브리–페로 공진기(Fabry–Pérot resonator)가 된다. 8장에서 "에탈로닝"이라 부른 QE 잔물결의 정체다.
그림 18-5. 얇은 실리콘 속 다중 반사. 가시광은 첫 통과에서 흡수되어 간섭할 빛이 남지 않는다. NIR은 위아래를 여러 번 오가며 보강과 상쇄를 반복하므로 QE가 파장에 따라 출렁이고, 넓은 대역의 빛에서는 잔물결이 평균되어 점선으로 가라앉는다.
β=2πn/λ, ϕ1,2는 두 계면 반사의 위상이다. 분모의 코사인이 리플을 만든다. 주기 Δλ에 들어가는 것은 위상 굴절률 n이 아니라 군굴절률ng=n−λdn/dλ이다. 2장 표에서 900 nm 부근의 Si는 n ≈ 3.62, ng ≈ 4.2 정도라서 8장의 근사식 λ2/(2nd)보다 주기가 15% 짧다. 아래 시뮬레이터는 같은 식을 TMM으로 정확히 풀고, 리플 주기를 곡선에서 직접 잰다.
SIMULATOR
얇은 Si의 파브리–페로 QE 리플
앞면
뒷면
QE @ λ₀—
단일 통과 대비—
측정 리플 주기—
λ²/(2nd) · λ²/(2n_g d)—
두께 편차에 따른 QE 범위—
왼쪽: Si가 흡수하는 비율(EQE, IQE = 1) 대 파장. 실선은 간섭을 모두 넣은 TMM, 점선은 위상을 평균한 비간섭 결과, 회색 점선은 반사 없는 단일 통과 1−e−αd다. 오른쪽: λ₀에서 두께를 d ± 편차만큼 바꿀 때의 QE. 웨이퍼 안 두께 편차가 만드는 프린징 무늬의 진폭이다. 해볼 것: ① 기본 상태(3 µm, SiN, 산화막+Cu)에서 940 nm 리플 주기를 측정값과 두 공식 값으로 비교하자. 측정값은 군굴절률 식 쪽에 가깝다. ② 대역폭을 20 nm 이상으로 올리면 리플이 평균되어 사라지지만, 두께 편차에 따른 QE 범위는 단색광일 때 크게 남는다. 레이저 조명 ToF·얼굴 인식에서 프린징이 문제가 되는 이유다. ③ 뒷면을 "무반사"로 바꾸면 리플과 함께 이중 통과 이득도 사라진다.
도파관으로서의 픽셀
FDTI로 둘러싸인 실리콘 기둥은 굴절률 4 안팎의 코어를 1.46짜리 산화막이 감싼 구조, 즉 광섬유와 같은 도파로다. 3장에서는 이것을 "벽에서의 전반사"로 설명했다. 파동 그림에서는 기둥 안에 허용되는 도파 모드(guided mode)가 몇 개뿐이고, 빛은 그 모드들의 합으로 내려간다. 단면을 2-D 평판 도파로(폭 w)로 보면 대칭 TE 모드의 조건은
neff=β/k0는 모드의 유효 굴절률이다. 모드 수는 V 수(normalized frequency)V=λπwn12−n22로 정해진다. 대칭 평판에서 TE 모드는 M=⌊2V/π⌋+1개다. TM은 경계 조건에 1/n2이 붙을 뿐 개수는 같다.
그림 18-6. (a) 광선 그림의 지그재그 경로는 파동 그림에서 도파 모드 하나에 해당한다. 임계각보다 비스듬히 벽에 닿는 빛만 갇힌다. (b) 모드는 산화막 속으로 에바네센트 꼬리를 낸다. (c) DTI가 얇으면 이웃 기둥의 꼬리가 겹쳐 두 픽셀이 결합 도파로가 되고, 빛이 결합 길이마다 이웃으로 넘어갔다 돌아온다. 3장의 "frustrated TIR"을 모드로 본 그림이다.
계산 예: 0.6 µm 폭 실리콘 코어(550 nm, n = 4.08)는 V = (π × 0.6/0.55) × √(4.08² − 1.46²) ≈ 13.1이라 TE 모드가 9개다. 0.4 µm 코어를 940 nm로 보면 V ≈ 4.4, 모드 3개로 줄어든다. 모드가 적을수록 빛은 "광선 다발"보다 "정해진 모양의 파동"으로 내려가며, 모드의 에바네센트 꼬리가 DTI 산화막 속으로 길게 뻗는다. 두 픽셀 사이 DTI가 얇으면 결합이 생긴다. 결합 길이는 모드마다 크게 다르다. 기본 모드는 100 µm가 넘어 사실상 결합하지 않지만, 임계각에 가까운 최고차 모드는 실리콘 두께(수 µm)보다 짧은 거리에서 이웃으로 넘어간다. 크로스토크는 대부분 이 고차 모드가 실어 나른다.
SIMULATOR
DTI 도파로 모드 풀이와 결합 길이
DTI 충전재
편광
보기
V 수—
모드 수: 풀이 / 공식—
TE0 n_eff—
TE0 코어 가둠 Γ—
결합 길이 (기본 / 최고차)—
대칭 평판의 짝·홀 해를 따로 구한다. 중심에서 출발한 (u, u′)를 층마다 전달 행렬로 넘기고, 클래딩에서 감쇠 조건 u′+γu=0을 만족하는 neff를 3,000점 스캔과 이분법으로 찾는다. 흡수(κ)는 모드 모양에 거의 영향이 없어 무시했다. "두 픽셀 결합"은 두 코어(폭 w)가 두께 g의 DTI를 사이에 둔 구조의 초모드를 풀어 짝·홀 쌍의 neff 차이로 결합 길이를 구하고, 오른쪽에 깊이에 따른 이웃 전달 sin2(πz/2Lc)를 그린다. 해볼 것: ① 폭을 0.2 → 1.6 µm로 바꾸며 모드 수가 공식과 늘 같은지 보자. ② 650 nm, 0.6 µm, g = 0.1 µm에서 기본 모드의 결합 길이는 수백 µm, 최고차 모드는 3 µm 남짓이다. g를 0.05 µm로 줄이면 최고차 모드는 1.5 µm 안에 이웃으로 넘어간다. ③ 충전재를 공기(에어갭 DTI)로 바꾸면 에바네센트 꼬리가 짧아져 같은 g에서 결합 길이가 15~20% 길어진다. 고차 모드의 결합을 막는 데는 벽 두께가 더 효과적이다.
광 포획: 피라미드, 격자, 그리고 4n² 한계
NIR(850·940 nm)에서 실리콘의 흡수 깊이는 18~55 µm인데, 모바일 BSI 실리콘은 3~6 µm다. 2장의 계산처럼 3 µm 실리콘은 940 nm 빛을 한 번 지나며 5%만 흡수한다. 두께를 늘릴 수 없다면 빛의 경로를 늘려야 한다. 실리콘 표면에 역피라미드(inverted pyramid) 텍스처나 회절 격자를 새겨 빛을 비스듬히 꺾으면, 실리콘 안에서 임계각보다 비스듬해진 빛이 위아래 면에서 전반사되어 여러 번 오간다. 태양전지가 오래 써 온 방법이고, NIR 강화 이미지 센서도 같은 원리를 쓴다.
그림 18-7. 광 포획의 세 장면. (a) 평탄면은 반사판이 있어도 경로가 2d에 그친다. (b) 역피라미드(KOH 식각의 {111} 면, 54.7°)나 회절 격자는 빛을 비스듬히 보낸다. (c) 빛이 실리콘 안에서 완전히 무작위(람베르트) 분포라면 표면에 닿을 때마다 1/n²만 빠져나가고 나머지는 갇힌다. 이것이 4n² 한계의 출발점이다.
Yablonovitch(1982)는 표면이 빛을 완전히 무작위화하고 뒷면이 완벽한 반사판일 때, 흡수가 약한 극한에서 경로가 최대 4n2d까지 늘어난다는 것을 보였다(람베르트 한계(Lambertian, 4n² limit)). 실리콘 NIR(n ≈ 3.6)에서 4n2 ≈ 52배다.
S1, S2는 람베르트 분포 광선이 한 번, 두 번 지나며 살아남는 비율이다(E3는 지수 적분). Rb는 뒷면 반사율, 1/n2은 표면에 닿을 때마다 빠져나가는 비율이다. 바깥이 공기가 아니라 산화막(n = 1.46)이면 탈출 원뿔이 넓어져 (nSi/nox)2로 바뀐다. 아래 몬테카를로는 이 모형을 광선 하나하나로 재현하고 해석식과 비교한다.
계산 예: 940 nm, 3 µm, 뒷면 반사율 1. 단일 통과 흡수 1−e−αd = 5.2%, 평탄면+반사판(이중 통과) 10.2%, 람베르트 앞면이면 73.8%다. 그러나 그 빛은 실리콘 안에서 수십 µm를 옆으로 돌아다닌다. 1 µm 픽셀이라면 DTI가 없을 때 흡수된 빛의 2%만 자기 픽셀에 남는다. 광 포획은 반드시 DTI와 함께 써야 하고, DTI 벽의 반사율이 곧 크로스토크를 정한다.
SIMULATOR
람베르트 광 포획 몬테카를로와 크로스토크
앞면
바깥 매질
DTI 벽
MC 흡수율—
해석식—
단일 통과 대비—
평균 경로 / d—
자기 픽셀에 남는 비율—
3-D 광선 추적: 입사점은 픽셀 안에서 균일, 람베르트 앞면은 cos θ 가중 무작위 방향으로 내보내고 안쪽에서 닿을 때마다 1/n²(바깥이 산화막이면 (1.46/n)²)의 확률로 탈출시킨다. 흡수 거리는 지수 분포로 뽑는다. DTI가 있으면 벽을 넘을 때마다 반사율 확률로 되돌리고, 실패하면 그 광선을 크로스토크로 센다. 프레임마다 1,500개씩 6만 개까지 쌓는다. 왼쪽: 두께에 따른 흡수율(단일 통과, 평탄+반사판, 람베르트 해석식, 약흡수 한계 4n²αd/(1+4n²αd))과 MC 점. 오른쪽: 흡수 위치의 가로 분포(픽셀 격자). 해볼 것: ① 기본값에서 MC가 해석식 73.8%와 0.5% 안에서 맞는지 보자. ② DTI 없음 → 반사 95% → 99%로 바꾸며 자기 픽셀 비율이 2% → 35% 안팎 → 72% 안팎으로 오르는 것을 확인하자. 빛이 벽에 수십 번 부딪히므로 99% 벽도 30%를 흘린다. ③ 바깥 매질을 산화막으로 바꾸면 탈출 원뿔이 넓어져 흡수율이 얼마나 줄어드는가?
실제 피라미드나 격자는 완전한 람베르트 산란이 아니라서 4n²에 못 미친다. 격자는 빛을 몇 개의 정해진 각도(회절 차수)로만 보낸다. 실리콘 표면(위는 산화막)에 새긴 주기 Λ의 격자에 수직으로 들어온 빛은
∣m∣λ/Λ>nSi인 차수는 실리콘 안에서도 에바네센트다. ∣m∣λ/Λ<nox인 차수는 위 면에 다시 닿으면 빠져나간다. 940 nm에서 갇힌 1차를 만들려면 Λ가 940/3.6 = 0.26 µm와 940/1.46 = 0.64 µm 사이여야 한다.
SIMULATOR
회절 격자의 k-공간: 어떤 차수가 갇히는가
위 매질
Si 속 전파 차수—
±1차 각도 (Si 속)—
갇힌 차수로 간 빛—
1회 왕복 흡수: 격자 / 평탄—
왼쪽은 k-공간이다(초록: 갇힌 차수, 주황: 탈출 차수, 회색: 에바네센트). 가로축 kx/k0 위에 회절 차수 mλ/Λ를 점으로 찍고, 반지름 nSi(바깥 원)과 nout(안쪽 원)을 그렸다. 두 원 사이에 떨어진 차수가 갇힌다(초록). 오른쪽은 실리콘 단면 속 차수별 진행 방향이다. 차수별 세기는 얇은 이진 위상 격자의 스칼라 근사(충전율 50%, 위상 깊이 2π(nSi−nout)h/λ)로 η0=cos2(ϕ/2), 홀수 m에 대해 ηm=(2/mπ)2sin2(ϕ/2)다. 에바네센트 차수의 몫은 전파 차수에 비례 배분했다. 흡수는 뒷면 완전 반사, 1회 왕복만 센다(갇힌 빛은 실제로는 더 돌아다니므로 하한이다). Λ가 파장 근처일 때 이 근사는 정확하지 않으며, 엄밀한 값은 3절 FDTD의 NIR 프리셋으로 비교하자. 해볼 것: Λ를 0.2 µm에서 1.6 µm까지 밀며 갇힌 차수가 생기고(0.26 µm 위) 다시 탈출 차수가 늘어나는(0.64 µm 위) 과정을 보자. h를 220 nm(위상 깊이 π)로 올리면 0차가 사라지고 빛이 모두 ±1차 이상으로 간다.
광 포획 방식
원리
NIR 이득 (3~6 µm Si)
대가
뒷면 금속·DBR 반사판
이중 통과
최대 약 2배
FP 리플, 금속 흡수
역피라미드 (BSI 입사면)
굴절로 경로 경사, 다중 반사
약 1.5~3배 (보고값 범위)
표면적 증가 → 암전류, 청색 산란, 크로스토크
서브파장 회절 격자
갇힌 회절 차수
설계에 따라 1.5~2배대
파장·각도 선택성, 패턴 공정
이론 한계 (람베르트)
완전 무작위화
약흡수에서 4n² ≈ 52배
DTI 없이는 크로스토크가 수십 %
금속 그리드, 서브파장 구조, 구조색 필터
CF 사이의 금속 그리드(W, Al)는 비스듬한 빛이 이웃 CF로 넘어가는 것을 막는다(3절 FDTD의 "+그리드·DTI"). 폭이 50~100 nm인 그리드 사이 틈은 파장보다 좁은 슬릿이라, 빛은 그리드를 "그림자"로 피해 가는 것이 아니라 회절하며 통과하고 금속 벽면에서 일부를 잃는다. 금속 대신 굴절률이 낮은 산화막이나 공기 틈을 벽으로 쓰면 CF가 도파 코어가 되어 손실 없이 빛을 가둔다(저굴절 그리드, "광 도파 그리드").
패턴의 주기가 파장보다 충분히 작으면 빛은 개별 구조를 보지 못하고 평균된 매질을 본다. 이것이 유효 매질 이론이다. 충전율 f인 1-D 격자에서 두 편광의 유효 유전율은 다르다(형태 복굴절).
주기가 파장에 가까워지면 격자는 빛을 도파 모드로 옮겨 실을 수 있다. 높은 굴절률 격자층이 도파로 역할을 하고, 격자 주기가 입사광과 모드의 위상을 맞추면(오른쪽 식) 빛이 모드로 들어갔다가 다시 방사되며 좁은 대역에서 강하게 반사된다. 이것이 도파 모드 공진(guided-mode resonance, GMR)이다.
그림 18-8. 두 종류의 구조색 필터. (a) 고굴절 유전체 격자의 도파 모드 공진은 무손실이라 공진에서 반사율이 100%에 가깝고, 주기로 색을 고른다. (b) 금속 막의 서브파장 구멍 배열은 표면 플라즈몬 공명 파장 근처에서 비정상적으로 많이 투과한다. 둘 다 한 번의 리소그래피로 여러 색을 만들 수 있지만, 공진이라 각도에 민감하다.
엄밀한 계산에는 RCWA(Rigorous Coupled-Wave Analysis, 엄밀 결합파 해석)를 쓴다. 격자층의 유전율을 푸리에 급수로 펼치면 층 안의 장은 행렬 고윳값 문제의 고유 모드 합이 되고, 위아래 경계 조건을 연립하면 각 회절 차수의 반사·투과 진폭이 나온다. 가로 주기 구조에서는 FDTD보다 훨씬 빠르고 정확해서, 격자·메타표면 설계의 표준 도구다.
SIMULATOR
도파 모드 공진 필터 (RCWA, TE)
격자 재료 (틈은 SiO₂)
조명
반사 피크 λ—
피크 반사율—
반치폭 / Q—
유효 굴절률 추정 λ—
에너지 오차 max|R+T−1|—
공기 / 격자층(고굴절 재료와 SiO₂가 번갈아, 두께 d) / SiO₂ 기판. TE(전기장이 격자 홈과 나란함), 푸리에 차수 ±7(15개), 400~800 nm를 1 nm 간격으로 프레임마다 나눠 계산한다. 유전율 행렬의 고유 모드는 야코비 대각화로, 경계 조건 60×60 복소 연립방정식은 가우스 소거로 푼다. 충전율 1이면 균일 박막이 되어 TMM과 소수점 6자리까지 같다. "유효 굴절률 추정"은 격자층을 TE 평균 유전율의 대칭 평판 도파로로 보고 λ=Λneff(λ)를 푼 값이다(공기 쪽 비대칭을 무시해 조금 길게 나온다). 해볼 것: ① 기본값에서 491 nm 근처에 반사율 ≈ 100%, 반치폭 약 20 nm의 청록색 피크가 선다. Λ를 바꾸며 구조색을 골라 보자. ② θ를 2°, 5°로 기울이면 피크가 둘로 갈라진다(±1차가 서로 다른 파장에서 위상 정합). ③ "F/2 원뿔"을 켜면 ±14° 안의 각도를 평균해 피크가 낮고 넓어진다. 카메라 렌즈 아래에 놓인 GMR 필터가 겪는 문제다.
안료 CF
유전체 GMR
플라즈모닉 필터
대역폭
넓다 (~100 nm)
좁다 (수~수십 nm)
중간 (~50–100 nm)
피크 효율
80–90%
공진에서 반사 ~100% (투과형은 노치)
30–60% (금속 손실)
각도 민감도
작다
크다 (1°에 수 nm 이동)
중간
제조
색마다 노광 3회
한 번의 패턴으로 여러 색
한 번의 패턴, CMOS 금속층 활용
쓰임
RGB 이미징 표준
분광·협대역 센서 연구
분광 픽셀, 편광 필터
컬러 라우터와 메타표면
흡수형 컬러 필터는 원하지 않는 색을 열로 버린다. 백색광이 고르게 들어온다면 베이어 배열의 R 픽셀은 적색 성분만, B 픽셀은 청색 성분만 쓰므로, 전체 빛 가운데 각 픽셀이 쓰는 몫은 평균 1/3을 넘을 수 없다. 12장에서 소개한 컬러 라우터(color router)는 이 상한을 깬다. 픽셀 위에 파장보다 작은 구조를 깔아, 녹색 픽셀 위에 떨어진 적색광은 옆 R 픽셀로, 청색광은 B 픽셀로 꺾어 보낸다. 이상적인 라우터는 버리는 빛 없이 100%를 쓴다.
라우터를 만드는 도구가 메타표면(metasurface)이다. 높이가 같고 폭이 다른 TiO₂·SiN 나노 기둥을 배열하면, 각 기둥은 짧은 도파로처럼 동작해 유효 굴절률 neff(w)에 비례하는 위상 ϕ=2πneff(w)h/λ를 빛에 준다. 기둥 폭의 분포로 원하는 위상 지도를 그리면 렌즈(메타렌즈), 프리즘, 색 분리기를 평면 한 장으로 만들 수 있다.
그림 18-9. (a) 같은 높이의 나노 기둥도 폭에 따라 유효 굴절률이 달라 위상 지도를 그릴 수 있다. (b) 위상 지연은 대략 1/λ에 비례하고 기둥의 도파 분산까지 더해지므로, 하나의 구조가 파장마다 다른 위상 지도를 갖는다. 이것을 거꾸로 이용해 각 색이 제 픽셀로 모이도록 구조를 역으로 찾는 것이 역설계다.
원하는 위상 지도가 색마다 달라야 하므로 손으로 그리기는 어렵다. 그래서 목표(색별 픽셀 도달률)를 정하고 구조를 자동으로 최적화하는 역설계(inverse design)를 쓴다. 수반(adjoint) 방법은 FDTD 두 번(정방향·수반)으로 모든 설계 변수에 대한 기울기를 한꺼번에 얻고, 직접 이진 탐색(DBS)은 설계 셀을 하나씩 바꿔 보며 좋아지면 남긴다. 아래 시뮬레이터는 2×2 베이어 주기를 2-D 각 스펙트럼법으로 전파하는 스칼라 모형에 DBS를 붙였다.
ηc=∫period∣uλ∣2dA∫pixel(c)∣uλ(x,y,z)∣2dA,uλ(x,y,0)=ei2π(np−nm)h(x,y)/λ,ηˉCF=41,21,41(R, G, B)
h(x,y)는 설계 셀(8×8, 셀 175 nm)마다 정한 기둥 높이다. 얇은 위상판 근사(기둥 하나하나의 도파 효과·결합 무시)이므로 실제 메타표면 효율보다 낙관적이거나 비관적일 수 있다. 흡수형 CF의 같은 지표는 R과 B가 1/4, G가 1/2(사분면 둘)이고, 세 색 평균이 1/3이다.
SIMULATOR
스칼라 컬러 라우터 역설계 (2×2 베이어, DBS)
기둥 재료 (주변 SiO₂)
높이 단계
설계 파장 평균 η (450/540/620)—
R / G / B—
가시 대역 평균 (400–700)—
같은 기준의 흡수형 CF—
DBS 평가 횟수—
한 주기 1.4 µm(픽셀 0.7 µm 2×2)를 32×32로 나눠 2-D FFT 각 스펙트럼 전파를 한다. 비스듬한 입사는 블로흐 위상으로 넣었다. 위 줄: 높이 지도(설계 셀 8×8)와 450·540·620 nm 빛이 PD 면에서 만드는 세기 지도(사분면 R | G / G | B). 아래: 파장별로 각 색 픽셀(R은 R 사분면, G는 두 G 사분면, B는 B 사분면)에 떨어지는 비율. 점선은 흡수형 CF의 같은 값(1/4, 1/2, 1/4)이다. 처음 화면은 Si₃N₄, h = 0.8 µm, z = 1.2 µm로 미리 DBS를 돌린 결과(설계 파장 평균 0.65, CF 0.33)다. "최적화 시작"은 셀마다 다른 높이 단계를 시도해 좋아지면 남기고, 한 바퀴 동안 개선이 없으면 멈춘다. 해볼 것: ① 평가 입사각을 10°로 올리면 평균 η가 0.43으로 떨어진다. 라우터는 CRA가 큰 화면 가장자리에서 약하다. ② 높이 오차를 ±10%로 바꿔 공차를 보자. ③ "2단(이진)"으로 바꾼 뒤 무작위 초기화와 최적화를 돌리면 대개 4단보다 낮은 값(0.4~0.5)에 머문다. 위상 단계가 적으면 색별 위상 지도를 동시에 맞추기 어렵다.
3절 FDTD의 "라우터 단면" 프리셋은 같은 생각을 엄밀한 전자기 계산으로 확인한다. 두 픽셀(G·R) 주기 위 1.0 µm 산화막 간격 위에 높이 0.8 µm의 Si₃N₄ 기둥 16칸 이진 패턴을 놓고, 540 nm는 G 픽셀로, 620 nm는 R 픽셀로 가도록 FDTD 자체로 DBS를 돌려 찾은 구조다(CF 없음). 평판일 때 두 픽셀이 같은 양(자기 면적 대비 약 0.76)을 흡수하던 540 nm 빛이, 라우터 아래에서는 G 픽셀 1.09 대 R 픽셀 0.53으로 갈린다. G 픽셀이 제 면적보다 넓은 영역의 녹색을 모은 것이다. 620 nm에서는 거꾸로 R 픽셀 0.90, G 픽셀 0.42다.
라우터는 공짜가 아니다: 에탕듀와 대역폭
수동 광학 소자는 빛의 위상 공간 부피(에탕듀)를 줄일 수 없다. 한 색의 빛을 주기 전체에서 그 색 픽셀 하나(면적 1/4)로 모으면, 그만큼 각도 분포가 넓어져야 한다. 그래서 라우터는 입사각 범위가 좁을수록, 즉 F-넘버가 크고 CRA가 작을수록 잘 동작하고, F/1.8 렌즈의 넓은 원뿔과 화면 가장자리의 30° 넘는 CRA에서는 효율이 떨어진다. 또 하나의 구조로 세 색을 동시에 맞추므로 각 색 대역 안에서도 파장에 따라 효율이 출렁인다. 실제 제품이 라우터 아래에 CF를 남겨 색 순도를 보장하는 이유다. 라우터의 몫은 "CF를 통과할 빛을 미리 제 픽셀로 보내 주는 것"이다.
제조 공차, 각도 응답, 최신 동향
파동 광학 구조는 공진과 간섭에 기대므로 치수 오차에 민감하다. 공차는 주로 다음에서 나온다.
막 두께: ARC 다층의 ±5% 두께 오차는 가시 평균 반사를 몇 %p 바꾼다(4절 시뮬레이터에서 직접 확인). BSI 실리콘의 수십 nm 두께 편차는 NIR 단색광에서 프린징 무늬를 만든다(5절).
패턴 폭(CD)과 높이: 나노 기둥의 폭이 10 nm 달라지면 국소 위상이 수십 도 바뀐다. 9절의 스칼라 라우터에서 높이 오차 ±10%는 효율을 0.65에서 0.63으로, ±20%는 0.58로 낮춘다. 모든 셀이 같은 비율로 틀리는 오차는 위상 지도의 모양을 지키므로 비교적 너그럽고, 셀마다 다른 무작위 CD 오차가 더 해롭다.
정렬(오버레이): 라우터·렌즈와 아래 픽셀의 어긋남은 그대로 색 혼합이 된다. 픽셀이 0.6 µm면 20 nm 어긋남도 3%다.
각도: 센서 가장자리의 CRA(30° 이상)와 렌즈 원뿔(F/1.8에서 ±15°)이 겹친다. 같은 라우터의 효율은 5°에서 0.53, 10°에서 0.43, 20°에서 0.31로 흡수형 CF(0.33) 아래까지 떨어진다. 마이크로렌즈·CF·라우터를 광축 쪽으로 밀어 배치하는 시프트(5장)를 위치마다 다르게 설계한다.
그림 18-10. 이 장의 엔진으로 계산한 각도·공차 민감도. 왼쪽: Si₃N₄ λ/4 단층(공기 입사)과 3층 광대역 ARC의 가시 평균 반사율 대 입사각(무편광, TMM). 오른쪽: 9절 스칼라 라우터(미리 최적화한 설계)의 설계 파장 평균 효율 대 입사각, 높이 오차 0과 ±10%. 흡수형 CF의 같은 지표(1/3)는 각도와 무관하다.
상용화 현황 (2026년 기준)
메타표면이 처음 대량 생산된 곳은 이미지 센서가 아니라 ToF 근접·거리 센서 모듈의 광학계다. 2022년 STMicroelectronics의 다중 영역 dToF 센서가 Metalenz의 메타표면 렌즈를 채택해 양산에 들어갔다. 이미지 센서 픽셀에서는 삼성전자가 2025년 양산한 ISOCELL JNP(50 MP, 0.64 µm 픽셀, 1/2.76″)가 첫 사례다. 유기 마이크로렌즈 자리에 다층 나노 기둥 구조 '나노프리즘'을 넣어 빛을 색별로 이웃 픽셀에 나누고, CF는 그대로 둔다. 삼성은 같은 사양의 이전 제품(JN5) 대비 감도가 약 25% 높다고 밝혔다(자사 측정). 흡수형 CF의 상한 1/3과 이상적 라우터의 1 사이에서 실제 이득은 아직 수십 % 수준이며, 각도 허용 범위와 공정 비용이 확산의 관건이다.
기술
원리
상태 (2026)
남은 과제
다층 ARC + 후면 패시베이션
박막 간섭
모든 BSI 센서의 표준
광대역·광각 동시 최적화
FDTI + 금속·저굴절 그리드
도파 가둠
1 µm 이하 픽셀의 표준
DTI 계면 암전류, 고차 모드 누설
NIR 광 포획 (피라미드·격자)
경로 연장
NIR 강화 센서에 적용
크로스토크, 표면 결함
컬러 라우터 / 나노프리즘
메타표면 색 분리
모바일 센서 양산 시작 (2025)
각도·대역 효율, 공정 비용
메타렌즈 (모듈 광학)
평면 위상 렌즈
ToF·근접 센서 모듈 양산
가시광 색수차, 결상 품질
GMR·플라즈모닉 분광 픽셀
공진 필터
연구·특수 분광 센서
각도 민감도, 효율
핵심 정리
0.56~0.7 µm 픽셀은 파장과 크기가 같아 마이크로렌즈의 프레넬 수가 1보다 작다. 렌즈는 점이 아니라 픽셀 폭만 한 회절 반점을 만들고, 광선 추적이 말하는 100% 집광은 70%대로 떨어진다.
FDTD는 Yee 격자와 립프로그 갱신으로 맥스웰 방정식을 직접 푼다. 안정성(Courant, 2-D S ≤ 0.707), 해상도(매질 속 파장당 셀 수), PML이 정확도를 정하며, 평면 구조에서 TMM과 대조해 검증한다.
TMM은 층마다 2×2 특성 행렬을 곱해 다층 스택의 R, T, 층별 흡수를 정확히 준다. 실제 ARC는 CF 아래에 놓이므로 공기 기준 설계와 다르다.
얇은 BSI 실리콘은 NIR에서 파브리–페로 공진기다. 리플 주기는 λ²/(2n_g d)로 군굴절률이 정하고, 단색광과 두께 편차가 만나면 프린징이 된다.
DTI로 둘러싸인 실리콘은 V 수만큼 모드를 가진 도파로다. 얇은 DTI를 통한 결합은 임계각 근처의 고차 모드가 주로 실어 나른다.
람베르트 광 포획은 약흡수에서 경로를 4n²(Si NIR에서 약 52)배까지 늘리지만, 빛이 옆으로 수십 µm를 돌아다니므로 반사율 높은 DTI 없이는 크로스토크가 된다.
서브파장 격자는 유효 매질로, 파장 근처 주기에서는 도파 모드 공진으로 동작한다. GMR·플라즈모닉 필터는 한 번의 패턴으로 색을 고르지만 각도에 민감하다.
흡수형 CF는 백색광의 1/3만 쓴다. 메타표면 컬러 라우터는 이 한계를 넘을 수 있지만 에탕듀, 대역, 각도, 공차가 실제 이득을 제한한다. 2025년 첫 양산 센서가 CF와 함께 라우터를 쓰기 시작했다.
확인 퀴즈
Q1. 피치 0.7 µm 갭리스 마이크로렌즈(n = 1.6 매질, 초점 거리 1.2 µm)의 550 nm 프레넬 수에 가장 가까운 값과 그 의미는?
NF=a2/(λmf)=0.352/(0.344×1.2)≈0.30. 1보다 작으므로 회절 영역이고, 반점 첫 0점이 약 0.59 µm로 픽셀 폭에 가깝다.
Q2. 2-D FDTD에서 정사각 격자 Δx = 10 nm를 쓸 때, 안정성을 보장하는 시간 스텝의 상한에 가장 가까운 것은? (c = 3×10⁸ m/s)
2-D Courant 조건 cΔt/Δx≤1/2. Δt ≤ 10⁻⁸ m × 0.707 / 3×10⁸ m/s ≈ 2.4×10⁻¹⁷ s = 24 as. 1/4도 안정하지만 상한은 아니다.
Q3. 반무한 매질의 반사율을 1-D FDTD로 재는데, 매질 속 파장당 셀이 5개뿐이다. 무엇을 기대해야 하는가?
이산 포인팅 정리가 성립하므로 에너지는 보존되지만, 계면과 수치 분산의 이산화 오차는 2차 정확도라서 해상도의 제곱에 반비례해 준다. 시간 스텝이나 PML은 이 오차를 고치지 않는다.
Q4. 공기에서 실리콘으로 바로 들어가는 대신 CF(n = 1.6) 아래에서 실리콘(n = 4.08)으로 들어갈 때, 이상적인 단층 ARC의 굴절률은?
사분의 일 파장 막의 무반사 조건은 n1=n0ns. 1.6×4.08≈2.55. 공기 기준이면 4.08≈2.02다. HfO₂(≈1.95)만으로는 부족해 다층을 쓴다.
Q5. 3 µm BSI 실리콘의 900 nm 부근 QE 리플을 측정했더니 주기가 λ²/(2nd)(n = 3.62)로 계산한 값보다 짧았다. 가장 그럴듯한 이유는?
공진 조건 2nd=mλ를 파장으로 미분하면 Δλ=λ2/(2d(n−λdn/dλ))=λ2/(2ngd). Si는 정상 분산(dn/dλ<0)이라 ng>n이고 주기가 짧아진다. 대역폭은 리플을 평균할 뿐 주기를 바꾸지 않는다.
Q6. 폭 0.4 µm의 실리콘 코어를 산화막 DTI가 둘러쌌다. 940 nm(n_Si ≈ 3.6)에서 V 수와 TE 모드 수는?
V=(π×0.4/0.94)3.62−1.462≈1.34×3.29≈4.4. 모드 수 ⌊2V/π⌋+1=⌊2.8⌋+1=3.
Q7. 940 nm, 3 µm 실리콘에 완벽한 람베르트 앞면과 완전 반사 뒷면을 만들었다. 흡수율과 그 부작용으로 옳은 것은?
단일 통과 5.2%, 이중 통과 10.2%에서 람베르트 모형은 약 74%로 오른다. 평균 경로가 d의 수십 배이므로 1 µm 픽셀이라면 DTI 없이는 흡수의 98%가 다른 픽셀에서 일어난다.
Q8. 940 nm 빛을 위한 실리콘 표면 회절 격자(위는 산화막 n = 1.46)에서 1차 회절광이 실리콘 안에 갇히려면 주기 Λ는?
1차가 실리콘에서 전파하려면 λ/Λ<nSi, 즉 Λ > 0.94/3.6 ≈ 0.26 µm. 위 면에서 전반사되려면 λ/Λ>nox, 즉 Λ < 0.94/1.46 ≈ 0.64 µm.
Q9. 컬러 라우터가 흡수형 CF의 "1/3 한계"를 넘을 수 있는 이유와 한계로 가장 옳은 것은?
라우터는 위상 구조로 색별 진행 방향을 바꿀 뿐 빛을 버리거나 만들지 않는다. 한 색을 작은 픽셀로 모으면 각도 분포가 넓어져야 하므로(에탕듀), 넓은 원뿔·큰 CRA에서는 효율이 떨어진다.