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MemoryBook에 나오는 용어 223개입니다. 번호는 장·절이고, 누르면 그 절의 해당 문장으로 갑니다. 굵은 번호는 용어를 설명하는 곳입니다. 정의는 용어집에 있습니다.
223개
ㄱ
- 가비지 컬렉션 Garbage collection GC 08·1, 10·1, 10·2, 10·4, 10·5, 10·7, 10·9
- 감가상각 Depreciation 16·5
- 강유전체 메모리 Ferroelectric RAM FeRAM 01·7, 12·1, 12·5, 12·6
- 강유전체 트랜지스터 Ferroelectric FET FeFET 01·7, 12·1, 12·5, 12·6, 12·8, 12·9
- 게이트 대체 공정 Replacement gate 09·2
- 게이트 유도 드레인 누설 Gate-induced drain leakage GIDL 02·3, 02·4, 02·9, 04·1, 04·6, 05·7, 09·8, 11·2, 14·6, 15·2
- 결정 궤환 등화기 Decision feedback equalizer DFE 06·3, 06·5, 06·6
- 결함 밀도 Defect density D0 15·6, 15·8
- 결합 고장 Coupling fault CF 15·3
- 계단 구조 Staircase 08·8, 09·3, 09·7
- 고대역폭 메모리 High Bandwidth Memory HBM 01·5, 01·6, 01·7, 03·1, 04·8, 05·6, 05·9, 06·1, 06·8, 06·9
- 고대역폭 플래시 High Bandwidth Flash HBF 10·10
- 고유전율 게이트 절연막 High-k dielectric HKMG 02·5, 04·8, 12·2, 12·5
- 고장 모델 Fault model 15·2
- 고정거래가격 Contract price 16·1, 16·6
- 고착 고장 Stuck-at fault SAF 15·2, 15·3
- 공간 지역성 Spatial locality 01·3, 03·9, 05·6
- 극자외선 노광 Extreme ultraviolet lithography EUV 02·9, 03·7, 04·8, 14·1, 14·2, 14·3, 14·7, 14·8, 16·3, 16·5, 16·9
ㄴ
ㄷ
- 단차 피복성 Step coverage 14·5
- 대상 로우 리프레시 Target row refresh TRR 04·6, 05·7, 11·1, 11·3
- 대역폭 Bandwidth BW 01·2, 01·5, 01·6, 01·7, 04·8, 05·1, 05·4, 05·5, 05·6, 05·7
- 대역폭 대 용량 비 Bandwidth-to-capacity ratio 13
- 더블 데이터 레이트 Double data rate DDR 01·7, 05·4, 06·2, 06·3, 06·8, 12·7, 12·8, 13·4
- 데이터 스트로브 Data strobe DQS 06·1, 06·2, 06·6
- 드레인 유도 장벽 감소 Drain-induced barrier lowering DIBL 02·4, 02·9
- 등가 산화막 두께 Equivalent oxide thickness EOT 02·5, 04·7, 14·5, 14·7
ㄹ
- 라이트백 Write-back 03·9, 12·5
- 라이트스루 Write-through 03·9
- 라이트의 법칙 Wright's law 16·4
- 레일리 식 Rayleigh criterion 14·2
- 레지스터드 DIMM Registered DIMM RDIMM 06·3, 06·8, 11·7, 13·4, 13·6, 13·7, 16·8
- 로우 미스 Row miss 05, 06·3
- 로우 버퍼 Row buffer 04·4, 05·1, 05·2, 05·5, 05·6, 07·4
- 로우 충돌 Row conflict 05
- 로우 해머 RowHammer 04·6, 04·8, 05·7, 11·1, 11·3, 16·3
- 로우 히트 Row hit 05·2, 05·6, 05·8, 05·9
- 로우별 활성화 카운팅 Per-row activation counting PRAC 04·6, 05·7, 11·1, 11·3
- 루프라인 모델 Roofline model 01·6, 07·1, 07·9, 13
- 리던던시 Redundancy 03·8, 15·4, 15·5, 15·6, 15·8
- 리드 리트라이 Read retry 08·7, 10·1, 11·4
- 리텐션 Data retention 02·1, 02·4, 02·6, 02·8, 06·8, 08·7, 08·8, 11·1, 11·2, 11·4
- 리프레시 Refresh REF 01·1, 01·7, 02·1, 02·4, 02·6, 03·1, 04·1, 04·2, 05·2, 05·3
- 릿지 포인트 Ridge point 13·2
ㅁ
- 마이크로범프 Microbump µbump 07·1, 07·2, 07·3
- 마치 테스트 March test 15
- 매립 채널 어레이 트랜지스터 Buried channel array transistor BCAT 02·2, 02·4, 04·6
- 멀티 데크 Multi-deck stacking 09·4, 09·5, 14·8
- 멀티 패터닝 Multi-patterning SADP / SAQP 04·8, 08·8, 14·1, 14·2, 14·3, 14·7, 14·8
- 멀티플렉스드 랭크 DIMM Multiplexed rank DIMM MRDIMM 06·8, 13·4, 13·7
- 메모리 계층 Memory hierarchy 01·2, 01·7, 03·1, 03·9, 05·9, 10·10, 12·1, 12·7, 13·1, 13·8
- 메모리 바운드 Memory-bound 01·6, 12·8, 12·9, 13·2
- 메모리 사이클 Memory cycle 16·6
- 메모리 월 Memory wall 01·6, 05·4, 06·1, 07·1, 13·2
- 멤리스터 Memristor 12·4, 12·8, 12·9
- 모스펫 Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor MOSFET 01·7, 02·1, 02·2, 02·3, 02·9, 08·1, 14·6
- 문턱 전압 Threshold voltage Vt 02·1, 02·2, 02·3, 02·4, 02·8, 02·9, 03·3, 03·5, 03·6, 03·7
- 미스율 Miss rate 01·4
ㅂ
- 배스터브 곡선 Bathtub curve 11·1, 15·7
- 백만 개당 불량 수 Defective parts per million DPPM 15·7
- 뱅크 Bank 02·6, 03·7, 04·4, 05·1, 05·2, 05·3, 05·4, 05·5, 05·6, 05·7
- 뱅크 그룹 Bank group BG 05·1, 05·3, 05·6, 05·7, 06·2, 06·3, 15·5
- 버스트 길이 Burst length BL 01·3, 03·1, 03·2, 03·3, 03·4, 03·6, 04·1, 04·3, 04·4, 04·5
- 버터플라이 곡선 Butterfly curve 03·5
- 번인 Burn-in 11·1, 11·5, 11·8, 15·1, 15·4, 15·5, 15·7, 15·8
- 범용품 Commodity 16·1, 16·2, 16·3, 16·7
- 베이스 다이 Base (logic) die 07·2, 07·7, 07·9, 10·10, 12·8, 13·4, 16·7, 16·9
- 블록 Block 01·1, 01·3, 03·9, 08·1, 08·4, 08·5, 08·7, 08·8, 09·3, 09·7
- 비트 그로스 Bit growth 16·3, 16·4
- 비트당 에너지 Energy per bit pJ/bit 05·9, 06·9, 07·1, 12·3, 12·6, 12·8, 13·1, 13·4, 13·5, 13·8
- 비트당 원가 Cost per bit 16·1, 16·3, 16·4, 16·10
- 비트라인 Bitline BL 01·4, 01·6, 01·7, 02·5, 02·6, 02·9, 03·1, 03·2, 03·3, 03·4
- 비휘발성 Non-volatile 01·1, 01·7, 02·1, 02·8, 08·1, 10·8, 12·1, 12·9
ㅅ
- 산술 강도 Arithmetic intensity 12·8, 13·1, 13·2, 13·3
- 상변화 메모리 Phase-change memory PCM 01·7, 02·1, 12·1, 12·3, 12·4, 12·6, 12·8, 12·9
- 서브스레숄드 스윙 Subthreshold swing SS 02·3, 02·4, 02·9, 15·3
- 서브어레이 / 매트 Subarray / Mat 03·7, 04·4
- 서브채널 Sub-channel 01·3, 05·1, 05·5, 05·6, 05·7, 06·2, 06·3, 11·7
- 센스 앰프 Sense amplifier SA 02·5, 02·6, 03·2, 03·3, 03·6, 03·7, 03·9, 04·1, 04·2, 04·3
- 셀 간 간섭 Cell-to-cell interference 08·3, 08·8, 09·1, 10·3
- 셀 비율 Cell ratio CR 03·3
- 소프트 에러 Soft error SER 11·1, 11·7
- 솔리드 스테이트 드라이브 Solid-state drive SSD 01·1, 01·2, 01·7, 08·7, 08·8, 10·1, 10·2, 10·3, 10·4, 10·5
- 수율 Yield 03·8, 07·8, 09·5, 09·6, 11·7, 12·2, 14·1, 14·6, 15·1, 15·4
- 수직 채널 트랜지스터 Vertical channel transistor VCT 02·9, 04·8, 14·6, 14·7
- 스닉 경로 Sneak path 12·4
- 스토리지 클래스 메모리 Storage-class memory SCM 01·7, 12·1, 12·4
- 스트링 선택 트랜지스터 String select transistor SSL / GSL 08·5, 09·3, 09·7
- 스핀 궤도 토크 Spin-orbit torque SOT 12·2
- 스핀 전달 토크 Spin-transfer torque STT 01·7, 12·2, 12·6
- 시간 지역성 Temporal locality 01·3, 03·9
- 식각 선택비 Etch selectivity 14
- 실리콘 관통 전극 Through-silicon via TSV 01·2, 04·8, 07·2, 07·3, 07·6, 07·7, 07·8, 07·9, 10·10, 11·1
- 실린더 커패시터 Cylinder capacitor 04·5, 11·1
- 쓰기 명령 Write command WR 05·2, 05·3, 05·8, 10·9
- 쓰기 정책 Cache write policy 03·9
- 쓰기 증폭 계수 Write amplification factor WAF 10·5, 10·6, 10·7, 10·9
ㅇ
- 아레니우스 모델 Arrhenius model 11, 15·7
- 아이 다이어그램 Eye diagram 06·5
- 액티브 명령 Activate ACT 04·3, 04·4, 05·1, 05·2, 05·3, 05·4, 05·5, 05·7, 05·8, 05·9
- 양자 터널링 Quantum tunneling 02·1, 02·7
- 오버 프로비저닝 Over-provisioning OP 10·5, 10·6, 10·7, 10·9, 15·8
- 오보닉 임계 스위치 Ovonic threshold switch OTS 12·1, 12·3, 12·4
- 오픈 비트라인 Open bitline 04·4
- 오픈 페이지 Open-page 05·2, 05·9
- 온다이 터미네이션 On-die termination ODT 05·9, 06·4, 06·6, 13·5
- 온다이 ECC On-die ECC ODECC 06·8, 11·7, 13·4, 15·2, 15·8
- 워드라인 Wordline WL 01·4, 01·7, 02·3, 02·4, 02·9, 03·2, 03·3, 03·4, 03·5, 03·7
- 원시 비트 오류율 Raw bit error rate RBER 08·7, 11·4, 11·7, 11·8, 15·8
- 원자층 증착 Atomic layer deposition ALD 04·7, 04·8, 09·3, 12·9, 14·1, 14·5, 14·7, 14·8
- 웨어 레벨링 Wear leveling 10·1, 10·5, 10·6, 11·1, 11·4, 12·6
- 웨이퍼 테스트 Wafer test / Electrical die sorting EDS 15·1, 15·4, 15·6, 15·8
- 유연한 데이터 배치 Flexible data placement FDP 10·9
- 의사 채널 Pseudo channel 05·6, 07·4
- 인터포저 Interposer 06·9, 07·1, 07·2, 07·3, 07·5, 07·7, 07·9, 10·10, 13·4, 13·6, 13·7
- 일일 전체 쓰기 횟수 Drive writes per day DWPD 10·6
- 읽기 디스터브 Read disturb 03·3, 08·6, 08·8, 09·8, 11·4, 15·3
- 읽기 명령 Read command RD 04·3, 05·1, 05·2, 05·3, 05·4, 05·5, 05·8
ㅈ
- 자기 저항 메모리 Magnetoresistive RAM MRAM 01·1, 01·7, 02·1, 12·1, 12·2, 12·3, 12·6
- 자기 터널 접합 Magnetic tunnel junction MTJ 12·2
- 저항 변화 메모리 Resistive RAM ReRAM 01·7, 02·1, 12·1, 12·4, 12·6, 12·8, 12·9
- 적중률 Hit rate 01
- 전하 공유 Charge sharing 02·6, 03·1, 03·6, 04·2, 04·3, 04·4, 05·2, 05·3, 12·8
- 정적 잡음 여유 Static noise margin SNM 03·5, 03·8
- 정정 불가 비트 오류율 Uncorrectable bit error rate UBER 11·4, 11·5, 11·8
- 존드 네임스페이스 Zoned namespace ZNS 10·9
- 종합 반도체 회사 Integrated device manufacturer IDM 16·1, 16·9, 16·10
- 종횡비 Aspect ratio AR 02·5, 02·9, 04·2, 04·5, 04·7, 04·8, 09·3, 09·5, 09·8, 14·1
- 종횡비 의존 식각 Aspect ratio dependent etching ARDE 09·5, 14·4
- 증분 스텝 펄스 프로그래밍 Incremental step pulse programming ISPP 08·4, 08·5, 08·7, 09·5, 10·7, 12·4
- 지연 시간 Latency 01·5, 05·3, 10·9, 12·1, 13·1
- 직접 터널링 Direct tunneling 02·7
ㅊ
- 차지 트랩 플래시 Charge trap flash CTF 08·1, 08·2, 08·4, 08·8, 09·2
- 채널 홀 Channel hole 08·2, 09·1, 09·2, 09·3, 09·5, 09·7, 09·8, 14·1, 14·4, 14·5
- 채찍 효과 Bullwhip effect 16·6
- 초점 심도 Depth of focus DOF 14·2, 14·6
- 총 기록 가능 용량 Terabytes written TBW 10·6, 11·5
- 총 소유 비용 Total cost of ownership TCO 13
- 칩킬 Chipkill SDDC 11·1, 11·7
ㅋ
- 캐시 라인 Cache line 01·1, 01·3, 03·9, 05·1, 05·4, 05·6, 06·2, 07·4
- 캐시 연관도 Cache associativity 03
- 컴퓨트 익스프레스 링크 Compute Express Link CXL 01·1, 01·6, 10·9, 10·10, 12·1, 12·7, 12·8, 12·9, 13·1, 13·3, 13·4, 13·7
- 컴퓨팅 인 메모리 Computing-in-memory CIM 01·7, 12·4, 12·8, 12·9
- 코어 다이 Core (DRAM) die 01·2, 02·9, 07·2, 07·3, 07·5, 07·6, 07·7, 07·8, 16·3, 16·7
- 크로스포인트 어레이 Cross-point array 12
- 클로즈 페이지 Close-page 05·2
ㅌ
ㅍ
- 파울러-노드하임 터널링 Fowler–Nordheim tunneling FN 02·1, 02·4, 02·7, 02·8, 08·3, 08·4, 08·5, 08·6, 08·8, 09·2, 10·3, 11·4
- 패스 전압 Pass voltage Vpass 08·5, 08·8, 11·4
- 패키지 후 리페어 Post-package repair PPR 11·1, 11·7, 15·5, 15·8
- 페이지 Page 01·7, 03·9, 04·4, 05·1, 05·2, 05·3, 05·5, 05·6, 05·9, 08·4
- 페이지 정책 DRAM page policy 05·2, 05·5
- 평균 메모리 접근 시간 Average memory access time AMAT 01·3, 01·4, 03·9
- 폴디드 비트라인 Folded bitline 04·4
- 풀업 비율 Pull-up ratio PR 03·3, 03·4, 03·5
- 프로그램 디스터브 Program disturb 08·5, 08·8, 11·1, 11·4
- 프로그램/소거 사이클 Program/erase cycle P/E 08
- 프로세싱 니어 메모리 Processing-near-memory PNM 12·8
- 프로세싱 인 메모리 Processing-in-memory PIM 01·6, 01·7, 07·9, 10·9, 12·8, 12·9, 13·2, 13·5
- 프리차지 명령 Precharge PRE 04·3, 05·2, 05·3, 05·5, 05·7, 05·8, 05·9, 06·3, 11·3
- 프리페치 Prefetch n-prefetch 01·2, 03·9, 06·1, 06·2, 06·3
- 플라즈마 식각 Plasma etch 09·5, 14·4, 14·8
- 플래시 변환 계층 Flash translation layer FTL 08·1, 10·1, 10·2, 10·3, 10·4, 10·5, 10·7, 10·9, 10·10, 15·8, 16·10
- 플로팅 게이트 Floating gate FG 02·1, 02·8, 08·1, 08·2, 08·3, 08·4, 08·8, 09·1, 09·2, 10·3, 11·4, 12·2
ㅎ
- 하이브리드 본딩 Hybrid bonding HCB 03·1, 07·3, 07·6, 07·8, 07·9, 09·6, 09·8, 14·6
- 하프 VDD 프리차지 Half-VDD precharge VBLP 04·2, 04·3
- 해밍 코드 Hamming code 11·6
- 현물가격 Spot price 16·1
- 화학 기상 증착 Chemical vapor deposition CVD 09·3, 14·1, 14·5, 14·8, 16·9
- 화학적 기계적 연마 Chemical mechanical polishing CMP 09·8, 14·1, 14·2, 14·6, 14·8, 16·9
- 휘발성 Volatile 01·1, 01·7, 02·1, 02·8, 08·1, 10·8, 12·1, 12·9, 15·5
B
C
D
- DRAM Dynamic random-access memory DRAM 01·1, 01·2, 01·4, 01·5, 01·6, 01·7, 02·1, 02·2, 02·3, 02·4
외 83곳
, 02·5, 02·6, 02·7, 02·9, 03·1, 03·6, 03·7, 03·9, 04·1, 04·2, 04·3, 04·4, 04·5, 04·7, 04·8, 05·1, 05·2, 05·3, 05·5, 05·7, 05·9, 06·1, 06·2, 06·3, 06·4, 06·5, 06·6, 06·8, 06·9, 07·1, 07·2, 07·4, 07·5, 07·6, 07·8, 07·9, 09·8, 10·1, 10·3, 10·4, 10·9, 10·10, 11·1, 11·2, 11·3, 11·5, 11·7, 11·8, 12·1, 12·2, 12·5, 12·6, 12·7, 12·8, 12·9, 13·1, 13·2, 13·3, 13·4, 13·5, 14·1, 14·2, 14·3, 14·4, 14·5, 14·6, 14·7, 14·8, 15·2, 15·4, 15·5, 15·6, 15·7, 15·8, 16·1, 16·2, 16·3, 16·4, 16·5, 16·6, 16·7, 16·8, 16·9
F
G
H
K
L
- L2P 매핑 테이블 Logical-to-physical table L2P 10·4
- LDPC 부호 Low-density parity-check code LDPC 10·1, 11·6, 11·7, 11·8, 15·8
- LPCAMM Low-power compression attached memory module LPCAMM2 06·8, 13·4, 13·7
- LPDDR Low-power DDR LPDDR 01·7, 05·7, 05·9, 06·3, 06·8, 06·9, 11·7, 13·4, 13·5, 13·7, 16·8
- LRU 교체 Least recently used replacement LRU 03·9
M
N
- NAND 플래시 NAND flash NAND 01·1, 01·2, 01·7, 02·1, 02·5, 02·7, 02·8, 02·9, 04·8, 08·1
외 50곳
, 08·2, 08·4, 08·5, 08·6, 08·7, 08·8, 09·1, 09·2, 09·3, 09·4, 09·6, 09·7, 09·8, 10·1, 10·2, 10·3, 10·4, 10·5, 10·6, 10·7, 10·8, 10·9, 10·10, 11·1, 11·4, 11·5, 11·7, 11·8, 12·1, 12·2, 12·4, 12·5, 12·6, 12·7, 14·1, 14·2, 14·3, 14·4, 14·5, 14·6, 14·7, 14·8, 15·4, 15·8, 16·1, 16·2, 16·3, 16·8, 16·9, 16·10 - NOR 플래시 NOR flash NOR 01·7, 04·8, 08·4, 08·5, 12·9, 16·8
- NRZ Non-return-to-zero NRZ / PAM2 06·1, 06·3, 06·7, 10·8
- NVMe Non-Volatile Memory Express NVMe 01·2, 10·1, 10·6, 10·7, 10·8, 10·9, 12·7
P
Q
S
T
- TC-NCF Thermal compression with non-conductive film TC-NCF 07·6
- tFAW Four activate window tFAW 05·3, 05·5, 05·7, 07·4
- TLC Triple-level cell TLC 01·2, 01·7, 02·8, 08·4, 08·5, 08·7, 08·8, 09·1, 09·4, 09·7
- tRAS Row active time tRAS 04·3, 05·2, 05·3, 05·4, 05·9
- tRC Row cycle time tRC 05·3, 05·5, 05·9, 11·3
- tRCD RAS-to-CAS delay tRCD 03·1, 04·3, 05·2, 05·3, 05·4, 05·5, 05·8, 13·1
- tREFI Refresh interval tREFI 05·7, 11·2
- tRFC Refresh cycle time tRFC 02·6, 05·3, 05·7, 05·9, 06·3
- TRIM TRIM / Deallocate TRIM 09·3, 10·7
- tRP Row precharge time tRP 04·3, 05·2, 05·3, 05·4, 05·5, 11·3
- tRRD Row-to-row delay tRRD 05·5, 07·4
V
#
- 1T1C 셀 One-transistor one-capacitor cell 1T1C 04, 11·2, 12·5
- 3C 미스 3C cache misses 3C 03
- 3D NAND 3D NAND / V-NAND V-NAND 01·2, 01·7, 02·8, 04·8, 08·2, 08·7, 08·8, 09·1, 09·2, 09·3
- 4F² 4F² cell area 01·7, 02·1, 02·9, 04·8, 08·5, 12·4, 12·9, 14·7, 14·8, 15·2, 16·3
- 6F² 6F² cell area 01·7, 02·1, 02·9, 04·5, 04·8, 14·7, 15·2, 16·3
- 6T 셀 6-transistor SRAM cell 6T 03·2, 03·4, 03·5, 03·7, 03·8
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