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PowerBook에 나오는 용어 469개입니다. 번호는 장·절이고, 누르면 그 절의 해당 문장으로 갑니다. 굵은 번호는 용어를 설명하는 곳입니다. 정의는 용어집에 있습니다.
469개
ㄱ
- 가상 게이트 virtual gate 09·6
- 가속 계수 acceleration factor AF 16·7
- 가중 효율 weighted efficiency 17·1, 17·6
- 간접 수냉 indirect liquid cooling 14·7
- 감쇠비 damping ratio ζ 09·4, 10
- 감지 전류 measurement (sense) current IM 14·8
- 강제 연속 모드 forced continuous conduction mode FCCM 12·3
- 게이트 드라이버 gate driver 01·9, 06·5, 08·7, 09·10, 10·3, 10·4, 11·1, 11·11, 12·4, 13·5, 16·5, 17·5
- 게이트 루프 링잉 gate-loop ringing 09·4
- 게이트 루프 인덕턴스 gate loop inductance 09·10, 11·2, 11·10
- 게이트 스위칭 불안정 gate switching instability GSI 08·4
- 게이트 저항 gate resistance R_G 01·7, 06·5, 09·4, 10·3, 10·5, 10·8, 11·1, 11·2, 11·4, 11·10, 11·11, 13·9
- 게이트 전력 gate drive power P_G 11·4, 11·9, 11·11
- 게이트 전압 스크리닝 gate voltage screening 08·5
- 게이트 전압 창 gate voltage window 08·4, 09, 11·3
- 게이트 전하 gate charge Q_G 01·3, 06·2, 06·4, 06·5, 06·6, 10·3, 10·10, 11·1, 11·4, 11·10, 17·8
- 게이트-드레인 거리 gate-to-drain spacing L_gd 09
- 계단 흐름 성장 step-flow growth 02·7
- 계단형 필드 플레이트 stepped field plate 04·4
- 계면 고정 전하 fixed oxide charge Qf 04
- 계면 트랩 밀도 interface trap density D_it 08·2, 08·3
- 고수준 주입 high-level injection 05·2, 05·3
- 고온 게이트 바이어스 시험 high-temperature gate bias HTGB 08·4, 16·1, 16·7
- 고온 고습 역바이어스 시험 high-humidity high-temperature reverse bias H3TRB 04·8, 16·1, 16·7
- 고온 역바이어스 시험 high-temperature reverse bias HTRB 04·8, 14·6, 16·1, 16·7, 16·10
- 고전자 이동도 트랜지스터 high-electron-mobility transistor HEMT 01·6, 01·7, 01·11, 02·4, 02·8, 02·9, 04·4, 04·7, 06·8, 06·9
- 공간 벡터 PWM space vector PWM SVPWM 13·4, 17·10
- 공간 변조 JTE space-modulated JTE 04·7
- 공통 모드 과도 내성 common-mode transient immunity CMTI 11·6
- 공통 모드 전류 common-mode current 11·6, 13·9
- 공통 모드 전압 common-mode voltage 13·3, 13·9
- 공통 소스 인덕턴스 common-source inductance CSI 06·5, 07·8, 09·4, 09·10, 10·7, 10·8, 11·2, 11·11, 15·6
- 공핍층 depletion region 02·1, 02·5, 03·1, 03·2, 03·3, 03·4, 03·5, 03·6, 03·9, 04·2
- 공핍형 depletion-mode (normally-on) D-mode 09·2, 09·3, 09·10
- 과도 열 임피던스 transient thermal impedance Zth 06·9, 14·3, 14·4, 14·5, 14·8, 14·9, 15·1, 16·10
- 과변조 overmodulation 13·2
- 관통 shoot-through 02·8, 08·6, 08·8, 11·5, 11·6, 13·1
- 관통 나사 전위 threading screw dislocation TSD 08·8
- 구 접합 spherical junction 04·1, 04·2, 04·9
- 구조 함수 structure function 14·3
- 국부 수명 제어 local lifetime control 05·6
- 근계면 산화막 트랩 near-interface oxide traps NIT 08·3, 08·4
- 금속화 재구성 metallization reconstruction 16·1
- 기둥 전하 pillar charge 06·6
- 기본파 근사 first harmonic approximation FHA 12·8
- 기생 BJT parasitic bipolar transistor 03·8, 06·8, 06·9
- 기저면 전위 basal plane dislocation BPD 02·7, 02·10, 08·6, 08·8
- 꼬리 전류 tail current 01·7, 05·5, 07·1, 07·2, 07·3, 08·1, 10·1, 10·4, 10·11, 13·6, 17·1
ㄴ
- 내부 게이트 저항 internal gate resistance R_G,int 09·4, 11
- 냉각 곡선 cooling curve 14·8
- 냉각수 온도 상승 coolant temperature rise ΔTf 01·9, 14
- 넓은 밴드갭 wide bandgap WBG 01·8, 01·11, 02·1, 03·2, 12·6, 12·10, 17·1
- 넓은 밴드갭 반도체 wide bandgap semiconductor WBG 01·8, 02·1
- 능동 게이트 구동 active gate driving AGD 11·10
- 능동 클램프 플라이백 active-clamp flyback ACF 01·11, 09·9, 10·11, 11·7, 12·8, 17·8
ㄷ
- 다단 JTE multi-zone JTE 04·7
- 다이당 웨이퍼 수 dies per wafer DPW 04·9
- 다중 에피 multi-epitaxy 06·6
- 단극 소자 unipolar device 01·6, 01·7, 01·8, 02·4, 03·7, 05·1, 10·4, 17·1
- 단극 한계 unipolar limit 02·4, 02·10, 03·7, 05·7, 06·6, 08·1, 09·7, 17·4, 17·10
- 단락 내량 short-circuit withstand time t_sc 07·6, 07·8, 08·7, 09·1, 09·10, 11·5, 11·8, 16·5, 17·4
- 단락 Type I hard-switching fault 11
- 단락 Type II fault under load 11
- 단일 사건 소손 single-event burnout SEB 03·10, 16·6
- 대류 열전달 계수 convective heat transfer coefficient h 14·7
- 더미 트렌치 dummy trench 07·4, 07·6
- 데드 타임 dead time t_dt 01·4, 01·9, 01·10, 05·3, 05·9, 06·4, 06·8, 08·6, 09·5, 10·11
- 데드 타임 손실 dead-time loss 05·9, 09·5
- 데드 타임 전압 오차 dead-time voltage error 13·5
- 도즈 창 dose window 04·6, 04·7
- 동기 정류 synchronous rectification 01·2, 01·4, 05·1, 05·9, 06·9, 08·6, 08·9, 12·3, 12·4, 12·10
- 동적 공간 전하 dynamic space charge 07
- 동적 애벌런치 dynamic avalanche 05·5, 07
- 동적 온저항 dynamic on-resistance dynamic R_on 09·1, 09·6, 16·7
- 듀티 duty cycle D 01·2, 11·7, 12·1, 12·3, 12·7, 12·9, 13·1, 13·6, 14·4, 14·5
- 듀티비 duty ratio D 01·2
- 드리프트 저항 drift resistance Rdrift 03·4, 03·6, 03·7, 03·10, 05·1, 05·7, 05·8, 06·2, 06·3, 08·1
- 드리프트층 drift layer 01·3, 01·7, 01·8, 01·11, 02·3, 02·4, 02·5, 02·10, 03·1, 03·4
- 디스크리트 패키지 discrete package 15
- 디지털 아이솔레이터 digital isolator 11
ㄹ
ㅁ
- 마이너 법칙 Miner's rule 16·4
- 마이크로파이프 micropipe MP 02·10, 08·8
- 머피 수율 모델 Murphy yield model 08
- 면저항 sheet resistance R_sh 07·7, 09·2, 09·3
- 면적 곱 area product A_p 17·8
- 모놀리식 집적 monolithic integration 09·10
- 모듈형 멀티레벨 컨버터 modular multilevel converter MMC 07·10, 17·1, 17·9, 17·10
- 무릎 전압 knee voltage V_0 01·3, 01·4, 01·7, 07·1, 07·2, 08·2, 17·2, 17·4, 17·6
- 미션 프로파일 mission profile 14·9, 16·4, 16·10
- 밀러 식 Miller formula 03·3
- 밀러 유도 턴온 Miller-induced turn-on 08·4, 11·5
- 밀러 전하 Miller charge Q_gd 10·3
- 밀러 클램프 active Miller clamp 09·4, 11·1, 11·5, 11·11
- 밀러 플래토 Miller plateau V_pl 06·5, 07·3, 10·3, 11·1, 11·10, 15·6
ㅂ
- 바디 다이오드 body diode 02·9, 02·10, 05·3, 05·8, 05·9, 06·6, 06·8, 07·1, 08·6, 09·1
- 바르시니 식 Varshni equation 02·5
- 바리가 성능 지수 Baliga figure of merit BFOM 01·8, 02·4, 02·9, 03·7, 03·10, 17·10
- 바이폴라 열화 bipolar degradation 02·10, 08·6, 08·8, 17·10
- 박스 이산화 box discretization 04·3
- 반사파 reflected wave 13·9, 17·9
- 반송파 비 frequency modulation ratio m_f 01·10, 13·2
- 반송파 비교 carrier-based PWM 01·10, 13·2
- 방출 시정수 emission time constant τ_e 09·6
- 벅 변환기 buck converter 01·2
- 벅 컨버터 buck converter 01·2, 12·2
- 벅-부스트 컨버터 buck-boost converter 12
- 베벨 bevel 04·7
- 베어링 전류 bearing current 13·9
- 변조 지수 modulation index M 01·4, 13·1, 13·2, 13·8, 17·9
- 병렬 다이 구동 paralleled die driving 11·11
- 병렬 다이 전류 분배 current sharing of paralleled dies 15·6
- 본드 와이어 heavy wire bond 05·3, 06·2, 10·7, 15·1, 15·4, 16·2
- 볼트-초 균형 volt-second balance 12·1, 12·2
- 부문턱 기울기 subthreshold swing SS 08·3
- 부분 방전 partial discharge PD 13·6, 13·9, 15·1, 15·8, 17·10
- 부분 방전 개시 전압 partial discharge inception voltage PDIV 13·9, 15·8
- 부분 인덕턴스 partial inductance 15·4
- 부분 ZVS partial ZVS 10·11
- 부스트 컨버터 boost converter 12·9
- 부트스트랩 bootstrap supply 11·7
- 부트스트랩 과충전 bootstrap overcharge 11
- 분극 전하 polarization charge σ 09·2
- 불연속 전도 모드 discontinuous conduction mode DCM 12·3, 12·9
- 불연속 PWM discontinuous PWM DPWM 13·4, 13·6
- 브리지리스 PFC bridgeless PFC 12
- 블랭킹 시간 blanking time 11
- 비온저항 specific on-resistance R_on,sp 01·8, 02·4, 03, 06·2, 08·2, 09·7, 17·4
- 비클램프 유도성 스위칭 unclamped inductive switching UIS 03·8, 06·9, 16·1, 16·5
- 비펀치스루 non-punch-through NPT 02·2, 03·2, 03·4, 03·5, 03·6, 03·7, 03·10, 06·2, 06·7, 07·4, 07·5, 07·8
- 비펀치스루 IGBT non-punch-through IGBT NPT 03·2, 03·4, 03·5, 03·6, 03·7, 03·10, 07·4, 07·5, 07·8
ㅅ
- 사이리스터 thyristor SCR 01·3, 01·6, 01·7, 01·8, 04·7, 07·1, 07·7, 07·9, 07·10, 10·11, 17·1, 17·9
- 사인파 PWM sinusoidal pulse-width modulation SPWM 01·9, 01·10, 13·3, 13·4, 13·6
- 산화갈륨 beta gallium oxide β-Ga₂O₃ 02
- 산화막 전계 oxide electric field Eox 04·4, 08·1, 08·4, 08·5, 11·3, 11·9, 17·10
- 삼각형 전계 분포 triangular field profile 02
- 삼중점 triple point 15·8
- 상 줄이기 phase shedding 12·5
- 상동 온도 homologous temperature 15·3
- 상태 감시 condition monitoring 16·10
- 생성 누설 전류 generation leakage current J_gen 02
- 생성 수명 generation lifetime τ_g 03·9, 05·6
- 생성 전류 generation current 02·5, 03·9, 05·6
- 서멀 인터페이스 재료 thermal interface material TIM 14·1, 14·2, 14·6, 14·7, 15·9
- 서브모듈 submodule SM 17·9
- 서지 전류 surge current I_FSM 05·8
- 선간 전압 line-to-line voltage 13·2, 13·3, 13·4
- 선형 레귤레이터 linear regulator LDO 01·2, 11·11, 12·1
- 선형 모드 linear mode operation 06·3
- 성능 지수 figure of merit FOM 01·8, 02·4, 02·9, 03·7, 06·5, 09, 10·10, 17·10
- 성능 지수 (R·Q) figure of merit FOM 10·10
- 셀 피치 cell pitch 06·1, 06·2, 07·6, 07·7, 08·1, 09·7
- 소프트 계수 softness factor S 05·4, 05·5
- 소프트 스위칭 soft switching 10
- 소프트 턴오프 soft turn-off 07·8, 08·7, 11·1, 11·8, 11·9, 11·11
- 손익 분기 배수 break-even cost ratio 17
- 쇼클리형 적층 결함 Shockley-type stacking fault SSF 08·6
- 쇼트키 다이오드 Schottky diode SBD 02·4, 05·8, 05·9, 06·8, 09·4
- 수명 제어 lifetime control 05·1, 05·5, 05·6, 06·8, 07·4, 07·5, 07·8
- 수명 종료 기준 end-of-life criterion EOL 16·2, 16·10
- 수직 GaN vertical GaN 02·8, 09·7, 09·10, 17·10
- 순방향 전압 forward voltage V_F 05·4, 14·8, 16·2
- 슈타인메츠 식 Steinmetz equation 17·8
- 슈퍼정션 superjunction SJ 01·6, 02·4, 05·8, 06·1, 06·2, 06·3, 06·4, 06·5, 06·6, 06·7
- 슛스루 shoot-through 13·1, 13·5
- 스냅 회복 snappy recovery 05·5
- 스냅백 snapback 05·8, 07·6
- 스위칭 궤적 switching trajectory 10·1
- 스위칭 변환기 switching converter 01·2, 01·3
- 스위칭 손실 switching loss P_sw 01·3, 01·4, 01·7, 02·9, 06·5, 08·9, 10·2, 10·5, 10·8, 10·10
- 스위칭 주파수 switching frequency f_sw 01·6, 01·7, 01·9, 05·9, 06·4, 06·5, 07·4, 07·10, 08·4, 09·5
- 스지–기번스 근사 Sze–Gibbons approximation 04
- 스토니 식 Stoney equation 02·8, 09·8
- 승화 성장 physical vapor transport PVT 02·10, 08·8
- 시간 등가 출력 커패시턴스 time-related output capacitance C_o(tr) 10
- 시간 의존 절연 파괴 time-dependent dielectric breakdown TDDB 08·5, 16·1, 16·8
- 시스템 비용 system cost 17
- 실리콘 젤 silicone gel 04·8, 15·1, 15·10
- 실리콘 한계 silicon limit 03·7
ㅇ
- 아레니우스 모델 Arrhenius model 16
- 안정 지수 thermal stability factor S 14·6
- 압전 분극 piezoelectric polarization P_pz 09·2
- 애벌런치 견고성 avalanche ruggedness 03·2, 08·7
- 애벌런치 에너지 single-pulse avalanche energy E_AS 06, 09·10, 16·5
- 애벌런치 항복 avalanche breakdown 02·1, 03·8
- 앰비폴라 확산 길이 ambipolar diffusion length L_a 05
- 양극성 소자 bipolar device 01·7
- 양면 냉각 double-sided cooling DSC 14·7, 15·4, 15·9
- 에너지 등가 출력 커패시턴스 energy-related output capacitance C_o(er) 10
- 에지 종단 edge termination 03·1, 03·7, 04, 06·1, 08·2, 08·8
- 엥겔마이어 식 Engelmaier model 15·7
- 역도통 전압 reverse conduction voltage V_SD 12·4
- 역도통 IGBT reverse-conducting IGBT RC-IGBT 07·1, 07·6
- 역률 power factor PF 01·4, 07·2, 12·9, 12·10, 13·4, 13·6, 14·1, 17·2
- 역률 보정 power factor correction PFC 01·1, 01·11, 05·1, 05·8, 05·9, 06·6, 12·8, 12·9, 12·10, 17·1, 17·3
- 역전달 커패시턴스 reverse transfer capacitance C_rss 06
- 역회복 reverse recovery 01·3, 01·7, 05·1, 05·4, 05·7, 05·8, 05·9, 06·8, 07·4, 07·6
- 역회복 시간 reverse recovery time t_rr 05
- 역회복 에너지 reverse recovery energy E_rr 05, 10·5
- 역회복 전하 reverse recovery charge Q_rr 05, 09·5
- 연속 전도 모드 continuous conduction mode CCM 05·8, 06·6, 12·3, 12·10, 17·3
- 열 사이클링 thermal cycling TC 16·1, 16·3, 16·7
- 열 시간 상수 thermal time constant τth 14·5
- 열 퍼짐 heat spreading 14·2, 15·1, 17·10
- 열 폭주 thermal runaway 02·5, 02·6, 06·3, 06·9, 07·8, 08·7, 08·9, 14·6
- 열 확산 거리 thermal diffusion length 08·7
- 열용량 heat capacity Cth 07·8, 14·1, 14·2, 14·3
- 열유속 heat flux q'' 02·6, 02·10, 14·2, 14·9, 16·5, 17·4
- 열저항 thermal resistance Rth 01·4, 01·9, 02·6, 07·8, 08·9, 13·6, 13·7, 14·1, 14·2, 14·3
- 열전도도 thermal conductivity k 02·1, 02·6, 15·3
- 열전도율 thermal conductivity k 14·2
- 열전자 방출 thermionic emission 05·1, 05·7
- 열팽창 계수 coefficient of thermal expansion CTE 02·8, 09·8, 15·1, 15·2, 15·4, 15·7, 16·2
- 열팽창 불일치 thermal expansion mismatch 09·1, 15·7
- 열팽창 불일치 응력 thermal mismatch stress 02
- 영 온도 계수점 zero temperature coefficient point ZTC 06·3
- 영벡터 zero vector 13·3, 13·4
- 영상력 장벽 저하 image-force barrier lowering Δφ 05·7
- 영전류 스위칭 zero-current switching ZCS 10·11, 12·8
- 영전압 스위칭 zero-voltage switching ZVS 06·4, 06·6, 09·9, 10·1, 10·9, 10·11, 12·4, 12·8, 12·10, 17·3, 17·8
- 옆 공핍 전압 lateral depletion voltage V_dep 06
- 오프컷 off-cut 02·7, 02·10, 08·6
- 온도 교차점 zero temperature coefficient point ZTC 06·3, 07·2
- 온도 민감 전기 변수 temperature-sensitive electrical parameter TSEP 14·8, 16·2, 16·10
- 온보드 충전기 on-board charger OBC 01·11, 05·1, 05·8, 12·8, 13·1, 17·1, 17·2, 17·3
- 온저항 on-resistance R_DS(on) 01·3, 01·4, 01·7, 01·8, 01·11, 02·2, 02·4, 02·10, 06·2, 06·6
- 온저항 온도 계수 temperature coefficient of on-resistance 14·6
- 와이블 분포 Weibull distribution 16·9
- 와이어 들뜸 bond wire lift-off 16·1, 16·2
- 왕복 효율 round-trip efficiency 17·6
- 외부 게이트 저항 external gate resistor R_G 10·5, 11·2
- 외인성 결함 extrinsic defect 08·5
- 욕조 곡선 bathtub curve 16·9
- 용량성 전하 capacitive charge Q_c 05
- 원통 접합 cylindrical junction 04·1
- 웨이퍼 휨 wafer bow δ 02·8, 09·8
- 웨이퍼당 다이 수 dies per wafer DPW 02·10, 04·9, 08, 17·10
- 유도성 부하 inductive load 03·8, 05·1, 06·5, 06·9, 07·3, 10·1
- 유럽 효율 European efficiency η_EU 17·6
- 유지 전류 holding current I_H 07·9
- 육방형 비율 hexagonality 02·7
- 은 소결 silver sintering 14·1, 14·2, 14·9, 15·1, 15·3, 15·7, 15·10, 16·2, 16·3
- 음 바이어스 negative gate bias 09·4, 09·5, 11·3, 11·5, 11·9, 14·8
- 응력 완화 버퍼 strain-relief buffer 02
- 이동 이온 mobile ions 04·8
- 이상 스위치 ideal switch 01·3
- 이온화 계수 impact ionization coefficient α 02·2, 02·4, 03·1, 03·2, 03·8, 04·1, 06·6, 16·6
- 이온화 적분 ionization integral 02·2, 03·4, 03·6, 04·1, 04·2, 05·5, 07·5
- 이종 에피 heteroepitaxy 02·8
- 이중 펄스 시험 double-pulse test DPT 10·1, 10·2, 10·5, 17·10
- 인덕터 전류 리플 inductor current ripple Δi_L 12
- 인버터 inverter 01·1, 01·4, 01·5, 01·6, 01·9, 01·10, 01·11, 02·10, 03·1, 03·10
- 인터리빙 interleaving 12·2, 12·7
- 임계 장벽 두께 critical barrier thickness d_c 09
- 임계 전계 critical electric field E_c 01·3, 01·8, 02·1, 02·2, 02·3, 02·4, 02·9, 02·10, 03·1, 03·5
- 임계 전도 모드 critical conduction mode CrM 12·9, 12·10
- 입력 커패시턴스 input capacitance C_iss 06, 09·4, 10·3, 11·2
ㅈ
- 자발 분극 spontaneous polarization P_sp 09·2
- 재결합 버퍼층 recombination-enhancing buffer layer 08·6
- 재생 래치 regenerative latching 07·9
- 저장 전하 stored charge Q_s 01·3, 01·7, 05·1, 05·2, 05·3, 05·6, 05·7, 06·8, 07·2, 07·4
- 저전압 차단 under-voltage lockout UVLO 11·1, 11·9
- 적층 버스바 laminated busbar 01
- 전계 효과 이동도 field-effect mobility μ_FE 08·3
- 전고조파 왜곡 total harmonic distortion THD 01·10, 12·9, 12·10, 13·3, 13·5, 17·9
- 전기-열 결합 electro-thermal coupling 14·6
- 전기-열 자기 일치 electro-thermal self-consistency 08
- 전기력선 이온화 적분 ionization integral along field line 04
- 전단 지연 모델 shear-lag model 15·7
- 전달 컨덕턴스 transconductance g_fs 10·3
- 전도 손실 conduction loss 01·3, 01·4, 01·7, 06·5, 06·9, 08·2, 09·6, 10·3, 10·5, 10·10
- 전도도 변조 conductivity modulation 01·7, 05·1, 05·2, 05·8, 07·1, 07·10, 08·1, 09·3, 17·1
- 전력 모듈 power module 07·8, 15·3, 16·1, 16·3, 16·9
- 전력 밀도 power density 01·1, 07·8, 08·7, 09·9, 11·8, 12·6, 15·9, 17·1, 17·8
- 전력 변환 power conversion 01·1, 09·3, 09·9, 10·1
- 전력 전자 power electronics 01·1, 01·5, 17·2
- 전력 MOSFET power MOSFET 06·1, 06·3, 08·5
- 전류 리플 current ripple 01·10, 13·3, 13·8, 14·9
- 전류 붕괴 current collapse 09·2, 09·6, 09·7, 16·7
- 전류 필라멘트 current filament 03·8
- 전비 energy consumption per distance Wh/km 17·2
- 전압 디레이팅 voltage derating 03·7, 16, 17·1, 17·9
- 전압 오버슈트 voltage overshoot 01·10, 05·4, 10·4, 12·10
- 전압형 인버터 voltage-source inverter VSI 13·1, 13·3, 13·7
- 전이층 transition layer 09·1, 09·7, 09·8
- 전하 균형 charge balance 06·2, 06·6, 12·1
- 전하 제어 모델 charge-control model 05·4, 07, 09·2, 10·5
- 점증 간격 progressive ring spacing 04·5
- 접합 곡률 반지름 junction radius of curvature rj 04
- 접합 온도 junction temperature Tj 01·4, 01·7, 02·10, 03·10, 05·4, 05·5, 05·7, 05·9, 06·9, 07·2
- 접합 온도 리플 junction temperature swing ΔTj 14
- 접합 온도 변동 junction temperature swing ΔTj 16·2
- 접합 종단 확장 junction termination extension JTE 04·4, 04·6, 04·7, 04·8, 17·10
- 접합-냉각수 열저항 junction-to-fluid thermal resistance Rth,j-f 01·4, 01·9, 02·6, 07·8, 08·9, 13·6, 14·1, 14·3, 14·4, 14·6
- 접합-케이스 열저항 junction-to-case thermal resistance Rth,j-c 01·4, 01·9, 02·6, 07·8, 08·9, 13·6, 14·1, 14·3, 14·4, 14·6
- 정류 commutation 01·1, 01·2, 01·4, 01·6, 01·9, 01·10, 05·1, 05·3, 05·4, 05·5
- 정류 루프 commutation loop 01·9, 01·10, 05·4, 10·6, 11·10, 15·5, 15·10
- 정류 루프 인덕턴스 commutation loop inductance L_σ 01·9, 10·6, 15·5
- 정지 토크 stall torque 14·5, 16·4
- 존슨 성능 지수 Johnson figure of merit JFOM 02·9
- 종단 효율 termination efficiency η 03·7, 03·10, 04·1, 04·2, 04·3
- 주행 사이클 driving cycle 07·2, 17·1, 17·2, 17·10
- 중간 버스 컨버터 intermediate bus converter IBC 12, 17·1, 17·7
- 중첩 원리 superposition 14
- 증강형 enhancement-mode (normally-off) E-mode 01·11, 02·8, 09·1, 09·3, 09·9, 09·10, 11·1
- 증배율 multiplication factor M 03·3, 03·9
- 직렬 균압 series voltage sharing 17·1, 17·9
- 직접 접합 구리 기판 direct bonded copper DBC 14·1, 14·2, 14·4, 15·1, 15·2
- 진성 온도 intrinsic temperature 01·8, 02·5, 02·10, 06·9
- 진성 캐리어 밀도 intrinsic carrier density n_i 02·5, 03·9
- 질화규소 세라믹 silicon nitride ceramic Si₃N₄ 14·2, 14·9, 15·1, 15·2, 15·7, 15·8, 15·10, 16·7
- 질화알루미늄 세라믹 aluminum nitride ceramic AlN 02·9, 09·1, 09·8, 14·2, 15·1, 15·2, 17·10
ㅊ
- 차폐 게이트 트렌치 shielded-gate trench MOSFET SGT 06·1, 06·2
- 채널 스토퍼 channel stopper 04·5, 04·6, 04·9
- 채널 이동도 channel mobility μ_ch 07·8, 08·1, 08·2, 11·3
- 체류 시간 dwell time 13·4
- 체이노웨스 식 Chynoweth law 02·2, 03·2
- 초광대역 밴드갭 ultra-wide bandgap UWBG 02·1
- 총 고조파 왜곡 total harmonic distortion THD 01·10, 12·9, 12·10, 13·3, 13·5, 17·9
- 최대 전력점 추종 maximum power point tracking MPPT 17·6
- 최적 다이 면적 optimum die area 17
- 최적 스위칭 주파수 optimum switching frequency 12·6
- 최적 칩 면적 optimum die area a_opt 10
- 축적층 저항 accumulation resistance R_acc 06
- 출력 저장 에너지 output stored energy E_oss 06
- 출력 전하 output charge Q_oss 06, 10, 17·4
- 출력 주파수 output (fundamental) frequency fo 14·5
- 출력 커패시턴스 output capacitance C_oss 06·4, 09·9, 17·4
- 출력 커패시턴스 에너지 output capacitance stored energy E_oss 10
- 충돌 이온화 impact ionization 01·8, 02·1, 02·2, 03·2, 03·8, 05·5, 16·6
- 측면 소자 lateral device 01·7, 09·7, 17·1, 17·10
- 측정 대역폭 measurement bandwidth BW 10·12
- 치명 결함 밀도 killer defect density D₀ 02·10, 08·8
ㅋ
- 카우어 열 회로 Cauer thermal network 14
- 캐리어 저장층 carrier stored layer CS 07·2, 07·4, 07·6
- 캐리어-캐리어 산란 carrier-carrier scattering 05·2
- 캐스코드 cascode 09·3
- 켈빈 소스 Kelvin source 09·4, 10, 11·2, 11·11, 15·6, 15·9
- 코어 손실 core loss 12·5, 12·6, 17·8
- 코핀-맨슨 법칙 Coffin–Manson law 16·3
- 클립 연결 clip bonding 15
- 킬러 결함 밀도 killer defect density D₀ 02·10, 08·8
ㅌ
- 탄소 도핑 버퍼 carbon-doped buffer 09·6
- 탈포화 감지 desaturation detection DESAT 07·8, 08·7, 11·1, 11·8, 11·9, 11·11, 16·5
- 턴오프 에너지 turn-off energy E_off 01, 07, 10
- 턴오프 오버슈트 turn-off voltage overshoot 03·7, 03·10, 10·6, 15·5, 17·1
- 턴온 에너지 turn-on energy E_on 01, 10, 15·6
- 턴온 지연 turn-on delay t_d(on) 10·3
- 턴온·턴오프 저항 분리 split gate resistors 09·4, 11
- 토템폴 PFC totem-pole PFC 01·11, 05·8, 06·6, 12·10, 17·3
- 투명 컬렉터 transparent collector 07·2, 07·4, 07·5
- 트랙션 인버터 traction inverter 01·4, 01·6, 01·9, 01·11, 03·1, 03·10, 10·5, 13·3, 13·6, 14·5
- 트렌치 게이트 trench gate 06·2, 07
- 트렌치 충전 deep trench refill 06·6
- 트렌치 MOSFET trench MOSFET UMOS 01·6, 03·5, 04·7, 06·1, 06·2, 06·7, 08·1, 09·10, 17·1
ㅍ
- 파워 사이클링 power cycling PC 16·1, 16·2, 16·7
- 패시베이션 passivation 04·3, 04·8, 09·1, 09·6, 09·7, 09·10, 16·7
- 펀치스루 punch-through PT 02·2, 02·4, 03·1, 03·4, 03·5, 03·6, 03·7, 03·10, 04·5, 05·2
- 펀치스루 전압 punch-through voltage Vpt 03·4, 03·6, 04·5
- 펀치스루 IGBT punch-through IGBT PT 03·4, 03·5, 03·6, 03·7, 03·10, 07·4, 07·5, 07·8, 13·6
- 펄스 열 임피던스 pulsed thermal impedance Zth(tp,D) 14
- 펄스 폭 변조 pulse-width modulation PWM 01·9, 01·10, 11·1, 12·8, 12·11, 13·1, 13·2, 13·3, 13·4, 13·6
- 펙 모델 Peck model 16·7
- 평균 전류 모드 제어 average current-mode control 12·9
- 평면 DMOS planar double-diffused MOS VDMOS 06·1, 06·2, 08·1
- 평면 DMOSFET planar DMOSFET 08·1
- 평행 평면 접합 parallel-plane junction 03·1
- 포스터 열 회로 Foster thermal network 14
- 포아송 수율 모델 Poisson yield model 08
- 포화 전압 collector-emitter saturation voltage V_CE(sat) 07
- 폴리타입 polytype 02·7
- 표면 도너 surface donor state 09
- 푸아송 수율 모델 Poisson yield model 02
- 풀 브리지 full bridge (H-bridge) 12·8, 13·1, 17·3
- 풀롭 멱법칙 Fulop power law 03
- 프로브 지연 차이 probe skew Δt 10·12
- 프리휠 다이오드 freewheeling diode FWD 05·1, 05·3, 05·9, 06·9, 07·1, 07·3, 07·6, 10·1, 10·2, 13·1
- 플로팅 가드 링 floating field limiting ring FLR 04·5, 04·7, 04·8
- 피크 역회복 전류 peak reverse recovery current I_rrm 05
- 핀치오프 전압 pinch-off voltage V_po 05·8
- 핀핀 베이스판 pin-fin baseplate 15·10
- 핀핀 직접 냉각 pin-fin direct cooling 01·9, 14·7, 14·9
- 필드 스톱 field stop FS 03·5, 03·6, 05·5, 05·9, 07·1, 07·3, 07·4, 07·5, 07·8
- 필드 플레이트 field plate FP 04·4, 04·7, 04·8, 06·1, 09·1, 09·6, 09·7, 09·11
ㅎ
- 하드 스위칭 hard switching 01·3, 05·1, 05·8, 06·4, 09·6, 09·9, 10·1, 10·9, 10·11, 11·8
- 하프 브리지 half bridge 01·9, 01·10, 05·1, 05·3, 06·8, 07·8, 08·7, 09·3, 09·4, 09·5
- 하프 브리지 모듈 half-bridge module 01·9, 05·3, 07·8, 15·1, 15·9, 15·10
- 한쪽 계단 접합 one-sided abrupt junction 03·4
- 현수선 분포 catenary carrier profile 05
- 확산 솔더링 transient liquid phase soldering TLP 15·3
- 확산 전류 diffusion current 03·9
- 활성 금속 브레이징 기판 active metal brazing AMB 14·1, 14·2, 15·1, 15·2, 15·7, 15·10, 16·7
- 활성 면적 active area 02·10, 04·9, 06·2, 06·4, 08·8, 14·9, 17·10
- 회생 제동 regenerative braking 13·7, 17·2
- 횡방향 도핑 변화 variation of lateral doping VLD 04·7
- 효율 efficiency η 01·1, 01·2, 01·3, 01·4, 01·5, 01·9, 01·11, 03·7, 03·10, 04·1
- 효율 곡선 efficiency curve 01·2, 12·5, 17·6
- 힐 균열 heel crack 15·4, 16·1
T
B
C
D
E
F
G
H
I
J
L
M
N
P
S
V
W
- WLTP Worldwide harmonized Light vehicles Test Procedure WLTP 17·2
#
- 1/E 모델 1/E model 16·1, 16·8
- 2단 턴오프 two-level turn-off 11·8
- 2차 항복 second breakdown 06·8
- 2차원 전자 가스 two-dimensional electron gas 2DEG 09
- 3고조파 주입 third-harmonic injection THI 13·4
- 3레벨 NPC 인버터 neutral-point-clamped inverter NPC 13·8
- 3사분면 도통 third-quadrant conduction 09·5
- 3상 2레벨 인버터 three-phase two-level inverter 13·3
- 3상 능동 정류기 three-phase active rectifier 12·11
- 45° 열 퍼짐 45-degree heat spreading 14·2, 15
- 45° 퍼짐 근사 45-degree spreading rule 14
- 48 V 배전 48 V power distribution 17
- 4사분면 운전 four-quadrant operation 13
- 4H-SiC 4H silicon carbide 01·8, 02·1, 02·2, 02·3, 02·4, 02·5, 02·8, 02·10, 03·2, 03·5
- 6스텝 운전 six-step operation 13
- 80 PLUS 80 PLUS certification 12·5, 17·1, 17·7
- 800 V 플랫폼 800 V platform 17·3
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