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CMPBook에 나오는 용어 338개입니다. 번호는 장·절이고, 누르면 그 절의 해당 문장으로 갑니다. 굵은 번호는 용어를 설명하는 곳입니다. 정의는 용어집에 있습니다.
338개
ㄱ
- 가동 이온 mobile ion 14·1
- 가상 계측 Virtual Metrology VM 12, 17·8, 17·9
- 가장자리 제외 Edge Exclusion EE 01·9, 02·3, 03·3, 03·4, 03·5, 03·6, 16·4, 17·4
- 가장자리 처짐 edge roll-off 03, 17
- 가장자리 트리밍 edge trimming 17·4
- 가장자리 효과 edge effect 03·5, 03·6, 04·10
- 가중 함수 weighting function, kernel 08·3
- 갈바닉 부식 galvanic corrosion 10·7, 11·6, 13·6, 15·4
- 감산 공정 subtractive patterning 10·1
- 개기공 open pore 04·1, 04·3, 05
- 갭필 gap fill (HDP-CVD, HARP) 09·3
- 건식 투입·건식 배출 dry-in / dry-out 01·8, 15
- 게이트 산화막 신뢰성 Gate Oxide Integrity GOI 14·1
- 게이트 올 어라운드 Gate-All-Around GAA 09·6, 11, 17·6
- 결함 지도 defect map, spatial signature 13·5
- 경계 윤활 boundary lubrication 07·2, 07·4
- 경계층 boundary layer 14·4, 14·8, 15·5, 15·8, 16·7
- 경질 세그먼트 hard segment 04·2, 04·10
- 고유전·금속 게이트 High-k / Metal Gate HKMG 11·4
- 고장 감지·분류 Fault Detection and Classification FDC 07·9, 12
- 고정 연마입자 fixed abrasive 09·7
- 공정 비용 Cost of Ownership CoO 01·9, 17·7
- 과요오드산칼륨 potassium periodate KIO₄ 11·6
- 광부식 photo-corrosion 10·7, 13·1, 13·6, 13·8, 15·4
- 교차 오염 cross-contamination 16·1, 16·3
- 구리 리세스 Cu recess 17·1, 17·2
- 국부 평탄화 local planarization 01·3, 08·1
- 굽힘 길이 bending (elastic) length 04·4, 08·5, 17·2
- 궤적 trajectory (epitrochoid) 01·7, 03·1, 03·2, 03·8, 05·7, 05·9, 12·1, 12·2, 12·4, 13·3
- 그루브 groove (concentric, XY, radial, spiral) 01·7, 01·10, 03·1, 03·7, 04·1, 04·6, 04·7, 04·8, 04·9, 04·10
- 그린우드–윌리엄슨 모델 Greenwood–Williamson model GW 02·7, 04·5, 04·9, 04·10, 05·3
- 그릿 grit size 05·3
- 극저온 에어로졸 cryogenic aerosol 16·7
- 글레이징 glazing 01·7, 04·7, 04·8, 04·9, 05·1, 05·6, 07·1, 07·9, 13·2, 13·8, 17·8
- 금속 간 절연막 Inter-Metal Dielectric IMD 09·1, 10
- 금속 오염 metallic contamination 14·2, 15·1, 15·4, 16·4
- 금속 전 절연막 Pre-Metal Dielectric PMD 01·4, 01·6, 09·1, 09·2
- 기계 율속 mechanically limited regime 02·5, 02·6, 11·2
- 기공률 porosity 04·2, 04·9, 04·10, 10·10
- 기상 HF vapor HF VHF 16·7
- 깊이형 필터 depth filter (POU filter) 06·6, 13
ㄴ
ㄷ
- 다마신 damascene 01·4, 01·6, 08·5, 09·1, 10·1, 10·2, 10·4, 10·8, 10·12, 15·1, 17·6
- 다이 내 불균일 Within-Die Non-Uniformity WIDNU 08·1, 08·4, 08·6, 09·1
- 다이아몬드 디스크 diamond disk (conditioner) 01·7, 01·10, 05·1
- 다이아몬드 탈락 diamond pull-out 05·9, 13·1, 13·2
- 다중 구역 멤브레인 헤드 multi-zone membrane head 01, 03, 12
- 단차 Step Height SH 01·1, 01·2, 01·3, 01·4, 01·6, 01·9, 04·4, 06·8, 07·2, 08·1
- 대기 시간 queue time Q-time 01·8, 10·11, 13·1, 13·6, 13·8, 14·1, 14·8, 15·7, 16·6
- 대체 금속 게이트 Replacement Metal Gate RMG 01·6, 11·4, 11·5, 17·6
- 더미 필 dummy fill 08·4, 08·6
- 도금 범프·딥 plating bump / dip 10
- 돌기 asperity 01·5, 01·7, 02·1, 02·2, 02·7, 04·1, 04·3, 04·5, 04·7, 04·8
- 돌출 높이 diamond protrusion height 05·3
- 동적 기계 분석 Dynamic Mechanical Analysis DMA 04·2, 04·8, 04·10
- 듀얼 다마신 dual damascene 10·2, 10·12
- 드래그아웃 drag-out 16·2, 16·3
- 들어온 두께 incoming thickness 12·1, 12·7
- 등전점 IsoElectric Point IEP 06·3, 06·4, 06·5, 09·4, 14·5
- 디바이 길이 Debye length κ⁻¹ 06·3, 06·4, 14·5
- 디봇 divot 09·6
- 디싱 dishing 01·2, 01·6, 01·9, 01·10, 02·5, 04·10, 06·8, 07·7, 08·1, 08·5
- 디지털 트윈 digital twin 17·8, 17·9
ㄹ
- 라이너 liner (Ti/TiN) 09·3, 10·7, 11·1, 11·2, 11·6
- 라플라스 압력 Laplace pressure 16·5, 16·6
- 란다우–레비치 막 Landau–Levich film 15
- 런투런 제어 Run-to-Run control R2R 02·3, 03·6, 12·7, 17·8
- 레이놀즈 방정식 Reynolds equation 04, 07·3
- 레이저 세정 laser cleaning 16·7
- 레일리 산란 Rayleigh scattering 13
- 레일리–플레셋 방정식 Rayleigh–Plesset equation 15
- 로타고니 Rotagoni drying 15·6
- 루오–돈펠드 모델 Luo–Dornfeld model 02
- 루테늄 ruthenium (Ru) Ru 10·7, 11·6, 17·9
- 리뷰 SEM defect review SEM 13·4
- 리테이너 링 retaining ring 01·5, 01·7, 01·9, 03·5, 03·6, 03·7, 03·8, 04·6, 07·5, 07·9
- 리프트오프 lift-off (sensor gap) 12·2, 12·5, 12·6, 14·6
- 리플로 reflow (PSG/BPSG) 01·3, 01·4, 08·1
ㅁ
- 마랑고니 건조 Marangoni drying 10·11, 15·6, 15·8, 16·6
- 마모 계수 wear coefficient K 02·2
- 마이크로 스크래치 micro-scratch 05·9, 06·6, 13·1
- 마이크로범프 micro-bump 17·1
- 마찰 계수 Coefficient Of Friction COF, μ 01·10, 02·6, 04·1, 04·7, 07·1, 07·2, 07·4, 07·5, 07·6, 07·9
- 마찰 발열 frictional heating q 02·6, 07
- 마찰 일률 모델 frictional power model 02, 07·4
- 매엽 스핀 세정기 single-wafer spin processor 16·1
- 메가소닉 megasonic cleaning 01·7, 10·11, 14·1, 14·4, 14·7, 14·8, 15·2, 15·4, 15·5, 15·8
- 명시야·암시야 검사 brightfield / darkfield inspection BF/DF 13·4
- 모세관력 capillary force 14·3, 15·1
- 모터 전류 종점 motor current (torque) endpoint 07, 12
- 몰리브덴 molybdenum (Mo) Mo 11·6, 17·9
- 무전해 치환 석출 electroless displacement deposition 14
- 문턱 압력 threshold pressure P_th 02·4, 05·4, 09
- 물반점 watermark 13·1, 13·7, 14·6, 15·6, 16·5, 16·6, 17·2
- 미세 구 hollow polymeric microsphere 04·3
- 미세상 분리 microphase separation 04·2
- 밀도 규칙 density rule (min / max, window) 08·6
ㅂ
- 박리 delamination 10·10, 13·1, 13·8
- 박막 간섭 thin-film interference 12
- 반데르발스 힘 van der Waals force 14·3, 16·7
- 배치 습식 벤치 batch wet bench 16·1
- 번인 conditioner burn-in 05·9
- 베벨 세정 bevel clean 16·1, 16·4
- 벤조트리아졸 benzotriazole BTA 02·1, 02·5, 06·1, 06·8, 06·9, 10·5, 10·6, 10·11, 11·6, 11·7
- 부동태·면역·부식 영역 passivation / immunity / corrosion regions 06, 11
- 부분 윤활 mixed (partial) lubrication 07·2, 07·4, 07·5
- 부식 방지제 corrosion inhibitor 06·8, 10·5, 11·6, 13·6, 15, 17·7
- 부식 전류 corrosion current density i_corr 10·6, 11·6
- 부식 피트 corrosion pit 10, 13·6
- 분자 오염 Airborne Molecular Contamination AMC 14·1
- 브러시 길들이기 brush break-in 15·3
- 브러시 로딩 brush loading 15
- 브러시 압입 brush compression 15
- 브레이징 디스크 brazed disk 05·3
- 블랭킷 웨이퍼 blanket wafer 02·3, 12·8, 13·4
- 블레이크 문턱 Blake threshold 15·5
- 비저항 resistivity 10·8, 11·6, 16·2, 16·8
- 비프레스턴 거동 non-Prestonian behavior 02, 09·4
ㅅ
- 사산화루테늄 ruthenium tetroxide RuO₄ 11·6
- 사용 가능 시간 pot life 06·9, 11·2
- 사용 지점 블렌딩 Point-Of-Use (POU) blending 06·9
- 산화제 oxidizer 01·5, 01·10, 02·5, 06·4, 06·5, 06·8, 06·9, 07·8, 10·4, 10·5
- 상대 속도 relative velocity v_rel 01·5, 01·7, 02·1, 02·2, 03·1, 04·7, 05·4, 05·5, 05·7, 07·1, 09·2, 15·3
- 선택비 selectivity 01·4, 01·6, 01·10, 02·1, 06·1, 06·7, 08·5, 09·1, 09·4, 09·5
- 섬광 온도 flash temperature 07·6, 07·7
- 세리아 ceria (CeO₂) CeO₂ 02·1, 06·1, 06·2, 06·3, 06·7, 06·9, 09·1, 09·3, 09·4, 09·5
- 세묘노프 도표 Semenov diagram 07·8
- 소수 캐리어 수명 minority-carrier lifetime τ 14·2
- 속도 약화 velocity weakening 07·5
- 쇼어 경도 Shore hardness (D/A) 04
- 수소 종단 hydrogen termination 14·6
- 수화층 모델 hydrated layer model 02, 09·2
- 슈퍼필 superfill (bottom-up fill) 10·2, 10·3
- 스윕 sweep, oscillation 01·7, 01·10, 03·1, 03·2, 03·4, 03·8, 05·4, 05·5, 05·7, 05·8
- 스타인·오우마 밀도 모델 Stine–Ouma pattern density model 08
- 스토니 식 Stoney equation 17·5
- 스트리벡 곡선 Stribeck curve 02·4, 04·7, 07·2, 07·5
- 스틱-슬립 stick-slip 07·5, 13
- 스파이킹 spiking 16·3
- 스펙트럼 라이브러리 spectral library fitting 12·4
- 스핀 건조 spin dry 15·6
- 스핀 온 글라스 Spin-On Glass SOG 01·3, 01·4, 08·1
- 슬러리 slurry 01·4, 01·5, 01·6, 01·7, 01·8, 01·9, 01·10, 02·1, 02·2, 02·3
외 69곳
, 02·4, 02·5, 02·6, 02·7, 03·7, 03·8, 04·1, 04·3, 04·6, 04·7, 04·8, 04·10, 05·1, 05·7, 05·8, 05·9, 06·1, 06·2, 06·4, 06·5, 06·6, 06·7, 06·8, 06·9, 07·1, 07·2, 07·3, 07·6, 07·7, 07·9, 09·1, 09·2, 09·3, 09·4, 09·5, 09·7, 10·4, 10·5, 10·6, 10·7, 10·9, 10·10, 11·1, 11·2, 11·4, 11·5, 11·6, 11·7, 11·8, 12·1, 12·2, 12·3, 12·4, 12·6, 13·1, 13·2, 13·5, 13·6, 13·8, 14·1, 14·5, 15·1, 15·7, 16·4, 16·8, 17·2, 17·7, 17·8, 17·9 - 슬러리 공급 계통 Slurry Delivery System SDS 06·6, 06·9, 13·8
- 슬러리 이용률 slurry utilization 03, 04
- 슬러리 체류 시간 slurry residence time 04
- 슬로팅 slotting, cheesing 08·6
- 승화 건조 sublimation drying 16·6
- 시간 연마 timed polish 12·1, 12·7
- 시간당 처리량 Wafers Per Hour WPH 01·8, 10·4, 11·8, 14·7, 15·2, 15·8, 16·1, 16·4, 16·8, 17·7
- 시드층 seed layer 10
- 시트르산 citric acid 10·5, 14·7, 15·1, 15·4, 15·8
- 식각 정지막 etch stop layer 17·4, 17·6
- 실릴화 silylation (surface modification) 16·6
- 실접촉 면적 real contact area A_r 02·7, 04·5, 04·9, 07·3
- 심 seam 11·1
ㅇ
- 아레니우스 식 Arrhenius equation 02, 07
- 아카드 마모식 Archard wear equation 02·2, 05
- 안정성 비 stability ratio W 06·4
- 압축률 compressibility 04·4, 04·10
- 애벗–파이어스톤 곡선 Abbott–Firestone (bearing area) curve 05·6
- 약액 교체 bath change 16·3
- 얕은 트렌치 소자 분리 Shallow Trench Isolation STI 01·6, 01·10, 02·1, 04·1, 04·4, 06·1, 06·7, 07·9, 08·1, 08·4
- 언더컷 리프트오프 undercut lift-off 14
- 업·다운 영역 up / down area 08·1
- 에반스 다이어그램 Evans diagram 10·6
- 에어리 식 Airy formula 12·4
- 에치백 etch-back 01·4, 11·8
- 역마스크 에치백 reverse-mask etch-back 11·8
- 연마 패드 polishing pad 01·5, 01·10, 04, 17·2
- 연마 헤드 polishing head, carrier 01, 03
- 연마입자 abrasive 01·5, 02·1, 02·2, 02·4, 02·5, 02·7, 04·1, 04·5, 04·8, 06·1
- 연질 세그먼트 soft segment 04·2
- 연화층 chemically softened (hydrated) layer 02·5, 02·6, 02·7, 09
- 열 폭주 thermal runaway 07·8
- 열수지 heat balance 07·7
- 열팽창 접합 thermal-expansion closure 17
- 영향 행렬 influence matrix (function) 03·6, 12
- 오버버든 overburden 09·5, 10·2, 10·3, 10·4, 10·9, 10·12, 11
- 오버폴리시 over-polish 08·5, 08·7, 09·3, 09·4, 09·5, 09·6, 09·8, 10·4, 10·5, 10·8
- 오버플로 린스 overflow rinse 16·2
- 오버행 overhang 03·2, 03·3
- 오존수 ozonated DIW DIO₃ 14·1, 14·6, 14·8
- 와전류 센서 eddy current sensor 01·7, 10, 12·5
- 웨이퍼 간 불균일도 Wafer-To-Wafer Non-Uniformity WTWNU 01·9, 03·4, 12
- 웨이퍼 내 불균일도 Within-Wafer Non-Uniformity WIWNU 01·9, 02·3, 03·3, 03·4, 03·6, 08·1, 09·1, 12·1, 12·3, 12·8
- 웨이퍼 박화 wafer thinning, backgrinding 17
- 웨이퍼 휨 wafer bow / warp 17·5
- 윙클러·파스테르나크 기초 Winkler / Pasternak foundation 03, 04
- 유기 오염 organic contamination 14
- 유리 전이 온도 glass transition temperature Tg 04·2, 07
- 유체 윤활 hydrodynamic lubrication 04, 07·2
- 유효 밀도 effective density ρ_eff 08·3, 08·4, 08·6
- 유효 탄성률 effective (reduced) modulus E* 02·7, 04, 14·4
- 음이온성 첨가제 anionic additive (PAA) 09·1, 09·4
- 음이항 수율 모델 negative binomial yield model 13
- 음향 경계층 acoustic boundary layer 15·5
- 음향 방출 Acoustic Emission AE 12·2, 12·6
- 음향 흐름 acoustic streaming 15·5
- 응집 agglomeration, aggregation 04·8, 05·1, 06·2, 06·3, 06·4, 06·5, 06·6, 06·9, 13·1, 13·2
- 응집체 agglomerate 06·2, 06·5, 06·6, 13·1, 13·2, 13·3
- 이격 거리 keep-off distance 08·6
- 이로전 erosion 01·6, 01·9, 01·10, 04·10, 08·1, 08·5, 08·7, 09·5, 10·4, 10·8
- 인시투 광학 측정 in-situ spectral reflectometry 12·4
- 인시투·엑스시투 컨디셔닝 in-situ / ex-situ conditioning 05
- 일함수 금속 Work-Function metal WFM 11·4
- 임계 면적 critical area A_c 13·7
- 임계 종횡비 critical aspect ratio 16·5, 16·6
- 입자 오염 particle contamination 14
- 입자 제거 효율 Particle Removal Efficiency PRE 14·6, 14·8, 15, 16·7
ㅈ
- 자기 정렬 콘택 Self-Aligned Contact SAC 11·4
- 자기 정지 self-stopping 09·4, 09·7
- 자동 결함 분류 Automatic Defect Classification ADC 13·4
- 자연 산화막 native oxide 14·1, 14·6, 14·8, 16·7
- 잔류 산화막 oxide residue 09·1, 09·5
- 잔류 입자 residual particle 01·9, 13·1, 13·7, 15
- 장비 전단 모듈 Equipment Front End Module EFEM 01·7
- 쟁기질·절삭 plowing / cutting 05
- 저유전막 low-k dielectric low-k 01·6, 02·5, 10·10, 10·11, 13·1, 13·3, 13·8, 15·1, 16·7, 17·2
- 저장 탄성률 storage modulus E′ 04·2
- 적층 패드 stacked pad 04·4, 05·5, 08·3
- 전기 이중층 Electrical Double Layer EDL 06·3, 06·4, 14·5
- 전역 평탄화 global planarization 01·3, 08·1
- 전착 디스크 electroplated Ni-bond disk 05
- 전해 도금 ElectroChemical Deposition ECD 10·1, 10·2, 10·3, 13·3
- 접촉 높이 contact height 08·2, 08·4
- 접촉각 contact angle θ 14·6, 16·5, 16·6
- 접합 보이드 bonding void (Tong–Gösele) 17
- 접합파 bond wave 17·2, 17·3, 17·5
- 정반 platen 01·5, 01·7, 01·9, 02·1, 03·1, 03·2, 03·7, 03·8, 04·1, 04·4
- 정적 식각률 Static Etch Rate SER 02·4, 02·5, 10·5, 11·3, 11·6
- 정지막 stop layer 01·6, 02·1, 09·1, 09·3, 11·7, 17·4, 17·6, 17·9
- 제거비 removal ratio (moment ratio) 14·4, 15·5
- 제거율 Removal Rate RR 01·5, 01·6, 01·7, 01·9, 01·10, 02·1, 02·2, 02·3, 02·4, 02·5
외 56곳
, 02·6, 02·7, 03·3, 03·4, 03·5, 03·6, 03·7, 04·3, 04·5, 04·7, 04·8, 04·10, 05·1, 05·2, 05·6, 06·1, 06·3, 06·6, 06·7, 06·8, 07·2, 07·4, 07·7, 07·9, 08·2, 08·4, 08·5, 09·2, 09·4, 09·5, 09·7, 10·3, 10·4, 10·5, 10·6, 10·9, 11·2, 11·3, 11·5, 11·6, 11·7, 11·8, 12·1, 12·4, 12·7, 12·8, 13·3, 14·4, 14·6, 14·8, 15·1, 15·3, 15·5, 16·7, 17·7, 17·8 - 제거율 표류 removal rate drift 12
- 제조성 고려 설계 Design For Manufacturability DFM 08·4, 08·7
- 제타 전위 zeta potential ζ 06·3, 06·4, 09·4, 14·5, 14·6
- 좀머펠트 수 Sommerfeld number So 07·2
- 종점 검출 EndPoint Detection EPD 07·9, 08·5, 09·1, 09·8, 10, 12·1, 12·7
- 지수 가중 이동 평균 Exponentially Weighted Moving Average EWMA 12·7, 17·8
- 질화막 손실 nitride loss 09·5
ㅊ
- 착화제 complexing agent 06·8, 10·4, 10·5, 11·6, 15·4
- 채터 마크 chatter mark 05·9, 06·6, 07, 13·1, 13·3
- 첨단 공정 제어 Advanced Process Control APC 12·7, 17
- 초순수 Ultrapure Water UPW 01·9, 14, 15·8, 16·1, 16·2, 16·8, 17·7
- 초임계 CO₂ 건조 supercritical CO₂ drying SCF 16·6, 16·7
- 초점 심도 Depth of Focus DOF 01·1, 01·2, 08·1, 08·7, 17·9
- 총 두께 변동 Total Thickness Variation TTV 17·4, 17·6, 17·9
- 층간 절연막 Inter-Layer Dielectric ILD 01·1, 01·6, 06·1, 08·1, 08·2, 08·5, 09·1, 09·2, 10·1, 10·2
ㅋ
- 캐비테이션 cavitation (stable / transient) 15·5, 15·8
- 컨디셔너 체류 시간 conditioner dwell time 05
- 컨포멀 증착 conformal deposition 01·1, 01·3, 08
- 코발트 cobalt (Co) Co 10·7, 11·6, 13·1, 17·9
- 콘택 플러그 contact plug 11·1
- 콜로이달 실리카 colloidal silica 01·4, 02·1, 06·1, 06·2, 06·9, 10, 15·1
- 퀵 덤프 린스 Quick Dump Rinse QDR 16·2, 16·8
- 크로스해치 cross-hatch pattern 05
- 큰 입자 수 Large Particle Count LPC 02·7, 06·2, 06·5, 06·6, 06·9, 13·2, 13·3, 13·8
- 클러스터 인자 clustering factor α 13·7
- 키홀 keyhole 11·1, 11·3
- 킬러 결함 killer defect, kill ratio 13·7
- 킬레이트제 chelating agent 14·1, 14·7, 15·1
ㅌ
ㅍ
- 파레토 차트 Pareto chart 13·7
- 패드 두께 센서 pad thickness sensor 05
- 패드 마모 프로파일 pad wear profile 03·6, 05
- 패드 반발 pad rebound 01·9, 03·5
- 패드 브레이크인 pad break-in 04, 05
- 패드 산화막·패드 질화막 pad oxide / pad nitride 09
- 패드 잔해 pad debris 05, 13·1, 13·7
- 패드 절삭률 Pad Cut Rate PCR 05
- 패드 컨디셔닝 pad conditioning, dressing 01·10, 04·10, 05·1
- 패턴 밀도 pattern density ρ 01·3, 01·10, 08·2, 09·5, 10·8, 12·1, 12·8, 13·1, 17·8, 17·9
- 패턴 붕괴 pattern collapse (stiction) 16·5, 16·6
- 페클레 수 Péclet number Pe 07·6
- 펜톤 반응 Fenton reaction 11
- 평탄화 길이 Planarization Length PL 01·3, 01·4, 04·4, 04·10, 08·3, 08·4, 08·5, 08·7, 11·8
- 평탄화 효율 planarization efficiency PE 04·10, 08·2, 09·7
- 평탄화도 Degree of Planarization DP 01·3, 01·4, 08
- 평활화 smoothing 01·3
- 폴리 개방 연마 Poly Open Polish POP 11·4, 11·5
- 폴리실리콘 CMP polysilicon CMP 11·5
- 폴리우레탄 polyurethane PU 01·4, 01·5, 01·7, 02·6, 04·1, 04·2, 04·3, 04·4, 05·2, 05·3, 07·6, 07·7
- 표피 깊이 skin depth δ 12·5
- 푸르베 도표 Pourbaix diagram 06·8, 10, 11·6, 15·4
- 프레스턴 계수 Preston coefficient k_p 01·5, 01·6, 02·1, 02·7, 09·2
- 프레스턴 식 Preston equation 01·5, 02·1, 02·2, 02·3, 02·4, 02·5, 02·7, 04·5, 05·4, 07·4
- 플라스마 애싱 plasma ashing 16·7
- 플러그 리세스 plug recess 01·6, 11·3
- 피드포워드·피드백 feedforward / feedback 12
- 피라냐 용액 Sulfuric–Peroxide Mixture SPM 14·1, 14·6, 14·8, 15·1, 16·1
- 피브릴 fibril, burr 05·2
- 필드 산화막 높이 Field Oxide Height FOH 09·3, 09·6
ㅎ
- 하마커 상수 Hamaker constant A 06·4, 14·3, 16·7
- 하부 패드 subpad 01·7, 04·1, 04·4, 08·3
- 하이드로플레이닝 hydroplaning 04·6, 04·7, 04·10, 07·2
- 하이브리드 본딩 hybrid bonding 01·6, 01·10, 17·1, 17·2, 17·3, 17·5, 17·9
- 핫스팟 hotspot 08·4, 08·7, 16·4
- 허시 수 Hersey number H 07·2
- 헤르츠 접촉 Hertzian contact 02·4, 02·7, 04·5, 13
- 헤이즈 haze 13·4, 14·1
- 혼성 전위 mixed potential E_corr 10·6, 11
- 홀드오프 hold-off 12·3, 12·6
- 화학 율속 chemically (reaction) limited regime 02·5, 02·6, 11·2
- 화학–기계 시너지 chemo-mechanical synergy 02·5
- 화학적 기계적 평탄화 Chemical Mechanical Planarization (Polishing) CMP 01·1, 01·2, 01·3, 01·4, 01·5, 01·6, 01·7, 01·8, 01·9, 01·10
외 74곳
, 02·1, 02·2, 02·5, 02·7, 03·1, 03·7, 04·1, 04·2, 06·2, 06·3, 06·6, 06·7, 06·8, 07·1, 07·2, 07·5, 07·6, 07·7, 07·9, 08·1, 08·3, 08·4, 08·5, 08·6, 08·7, 09·1, 09·3, 09·5, 09·6, 09·7, 10·1, 10·2, 10·3, 10·4, 10·5, 10·7, 10·8, 10·10, 10·11, 11·1, 11·2, 11·3, 11·4, 11·5, 11·6, 11·8, 12·1, 12·4, 12·7, 13·1, 13·3, 13·4, 13·6, 13·7, 13·8, 14·1, 14·3, 14·8, 15·1, 15·2, 15·3, 15·4, 15·7, 15·8, 16·1, 16·4, 16·8, 17·1, 17·2, 17·4, 17·6, 17·7, 17·8, 17·9 - 화학적 치아 chemical tooth 06·7, 09·4
- 확산 배리어 diffusion barrier (Ta/TaN) 10·1
- 활성 다이아몬드 working diamonds 05·3, 05·9
- 활성 연마입자 active abrasive 02·7, 06
- 활성화 에너지 activation energy E_a 02·6, 04·8, 07
- 회전수 비 head-to-platen speed ratio 01·10, 03·2, 03·8, 05·7
- 후막 CMP thick-film CMP 08, 11·8
- 후면 전력 공급 BackSide Power Delivery Network BSPDN 17·4, 17·6, 17·9
- 흄드 실리카 fumed silica 02·1, 06·1, 06·2, 09·1, 09·2, 15·1
- 희석 불산 Diluted HF DHF 14·1, 14·6, 14·8, 16
C
D
E
- EBP 식 Emslie–Bonner–Peck equation EBP 16·4
F
- FEOL·MEOL·BEOL Front / Middle / Back End Of Line 01
K
- K-그루브 K-groove (concentric groove) 04
P
R
S
T
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