Index

찾아보기

DopingBook에 나오는 용어 82개입니다. 번호는 장·절이고, 누르면 그 절의 해당 문장으로 갑니다. 굵은 번호는 용어를 설명하는 곳입니다. 정의는 용어집에 있습니다.

82개

ㄱ

감속 모드 Deceleration mode 05·1, 05·2, 05·4, 06·4, 07·2, 07·4, 13·4, 15·2, 15·6
고에너지 주입기 High-energy implanter 07·2
고온 주입 Hot implant 16·3
고용 한계 Solid solubility 01·4, 01·6, 10·3, 11·3, 11·4, 11·5, 11·6, 12·3, 13·2, 13·3, 16·2
고전류 주입기 High-current implanter 07·2, 07·4
고체상 에피 재성장 Solid phase epitaxial regrowth SPER 10·3, 11·4, 13·3
공간 전하 중화 Space-charge neutralization 05·2
과도 확산 Transient enhanced diffusion TED 10·3, 11·5, 11·6, 12·1, 12·4, 12·5, 13·1, 13·2, 13·3, 13·4, 14·1, 16·4
교차 오염 Cross contamination 15·1, 15·3
깊이 분해능 Depth resolution 14·2

면저항 Sheet resistance Rs 01·6, 11·5, 11·6, 12·4, 12·5, 13·2, 13·3, 13·4, 14·1, 14·3
외 5곳
, 14·4, 15·1, 15·2, 15·6, 16·4
몬테카를로 Monte Carlo (binary collision) MC 08·2, 08·3, 08·4, 10·2
무작위 도펀트 요동 Random dopant fluctuation RDF 01, 16·3

사전 비정질화 Pre-amorphization implant PAI 09·3, 09·4, 10·3, 10·4, 11·4, 11·5, 11·6, 12·4, 12·5, 13·3
외 7곳
, 13·4, 14·1, 14·4, 15·2, 15·4, 15·6, 16·4
섀도잉 Shadowing 15·1
스크린 산화막 Screen oxide 09·2, 09·3, 09·4
스파이크 어닐 Spike anneal 11, 13·1
스폿 빔 Spot beam 05·3, 07·2
써멀 웨이브 Thermal wave (modulated reflectance) TW 10·3, 14·3, 14·4, 15·1

아웃개싱 Outgassing 06·2, 06·4, 15·1, 15·5
아크 방전 Arc discharge 03·2
안테나 비 Antenna ratio 06·3
압력 보정 Pressure compensation 06·2, 06·4
어닐 Anneal 01·1, 01·2, 02·3, 02·4, 02·5, 08·4, 09·4, 10·3, 10·4, 11·1
외 17곳
, 11·2, 11·3, 11·5, 11·6, 12·3, 12·4, 12·5, 13·1, 13·2, 13·3, 14·1, 14·3, 14·4, 15·2, 16·2, 16·3, 16·4
에너지 오염 Energy contamination 04·4, 05·2, 05·4, 06·4, 07·4, 15·1, 15·2, 15·6, 16·4
열 예산 Thermal budget Dt 11·2, 11·5, 12·1, 12·4, 12·5, 13·1, 13·2, 13·3, 16·2, 16·4
외인성 확산 Extrinsic diffusion 11·5, 12
웰 Well 02·2
이온 소스 Ion source 03·1, 03·2
익스텐션 Source/drain extension SDE 01·4, 01·6, 02·2, 02·3, 02·4, 02·5, 07·2, 13·4, 15·6, 16·1, 16·2, 16·4
인시추 도핑 In-situ doping 16·2
임계각 Critical angle ψ 09·1, 09·2, 09·4

자기 강성 Magnetic rigidity Bρ 04·1
자기 정렬 Self-alignment 02·3, 02·5
저온 주입 Cryogenic implant 16·3
전자 저지 Electronic stopping Sₑ 08·1, 08·2, 09·1, 10·1
접합 깊이 Junction depth xⱼ 01·6, 02·3, 02·4, 02·5, 05·4, 08·3, 08·4, 09·1, 09·4, 10·3
외 10곳
, 10·4, 12·3, 12·4, 13·3, 14·1, 14·2, 14·3, 14·4, 15·2, 15·6
주개 Donor 01·2, 01·3
준안정 활성화 Metastable activation 11·3, 13·2
중전류 주입기 Medium-current implanter 07·2
진성 캐리어 농도 Intrinsic carrier concentration nᵢ 01·1, 12·3
질량 분석 자석 Analyzer magnet 04, 15·3
질량 작용 법칙 Mass action law 01·3

차일드-랭뮤어 법칙 Child–Langmuir law 03·4
채널링 Channeling 02·3, 08·3, 08·4, 09·1, 09·2, 09·3, 09·4, 10·3, 10·4, 13·3
외 6곳
, 13·4, 15·1, 15·2, 15·4, 15·5, 15·6
측면 퍼짐 Lateral straggle ΔR⊥ 02·3, 08·2, 15·4

EOR 결함 End-of-range defect EOR 10·3, 10·4, 11·4, 12·4, 12·5, 13·4, 14·3, 15·6, 16·3

SIMS Secondary ion mass spectrometry SIMS 13·4, 14·2, 14·3, 14·4, 15·1, 15·2, 15·6, 16·4
SRP Spreading resistance profiling SRP 14·3