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TCADBook에 나오는 용어 170개입니다. 번호는 장·절이고, 누르면 그 절의 해당 문장으로 갑니다. 굵은 번호는 용어를 설명하는 곳입니다. 정의는 용어집에 있습니다.
170개
ㄱ
- 감쇠 뉴턴 Damped Newton 05
- 거멜 반복 Gummel iteration 02·10, 04·11, 05·5
- 게이트 공핍 Poly-gate depletion 03·6, 03·7, 11·6, 11·10, 12·6, 15·9, 17·6
- 게이트 올 어라운드 Gate-all-around nanosheet GAA 04·6, 13·9, 16·11, 17·3, 17·8, 17·10
- 게이트 용량 Gate capacitance Cgg 01·7, 14·9, 15·4, 15·5, 15·6, 15·8, 15·9, 17·2
- 게이트 유도 드레인 누설 Gate-induced drain leakage GIDL 10·6, 13·5, 13·7, 13·10
- 게이트 접촉 Gate contact 03·6, 05·10
- 격자 Mesh / grid 01·1, 01·2, 01·3, 01·6, 01·7, 02·1, 02·10, 02·11, 03·1, 03·5
외 84곳
, 03·7, 04·1, 04·2, 04·3, 04·4, 04·5, 04·6, 04·7, 04·8, 04·9, 04·10, 04·11, 05·1, 05·2, 05·3, 05·4, 05·5, 05·6, 05·8, 05·9, 05·10, 06·1, 06·2, 06·11, 06·12, 06·13, 07·1, 07·2, 07·5, 07·6, 07·7, 07·9, 07·11, 08·1, 08·3, 08·4, 08·7, 08·9, 09·1, 09·2, 09·3, 10·1, 10·2, 10·3, 10·4, 10·5, 10·7, 11·1, 11·2, 12·1, 12·2, 12·4, 12·5, 12·8, 12·10, 13·6, 13·9, 13·10, 14·1, 14·2, 14·6, 14·8, 15·1, 15·2, 15·3, 15·5, 15·7, 15·9, 16·1, 16·4, 16·7, 16·8, 16·9, 16·10, 16·11, 17·1, 17·4, 17·8, 17·9, 17·10, 18·1, 18·2, 18·3, 18·5 - 격자 세분화 Mesh refinement 04
- 격자 손상 Implant damage 06
- 격자 수렴 Mesh convergence 04·9, 12·4, 13·10
- 격자 페클레 수 Grid Péclet number 05
- 계면 전하 Interface charge Qf, Qit 03·6, 10·3
- 고용 한계 Solid solubility 07·3, 07·4, 07·9
- 공핍 근사 Depletion approximation 03·2, 09·2, 09·4, 09·13, 11·3, 12·6, 13·2, 15·4
- 공핍층 Depletion region 01·3, 04·2, 04·7, 05·2, 06·10, 09·13, 11·3, 11·6, 12·6
- 과도 증속 확산 Transient enhanced diffusion TED 06·11, 06·13, 07·5, 07·6, 07·7, 07·8, 07·11, 16·1, 18·1, 18·5
- 기판 전류 Substrate current Isub 04·9, 12·10, 13·4, 13·7, 13·8, 13·10
- 꺼짐 전류 Off-current Ioff 01·1, 01·2, 01·4, 01·7, 09·13, 12·4, 12·8, 12·9, 12·10, 16·3
ㄴ
ㄷ
- 도핑 의존 이동도 Doping-dependent mobility 07·9, 10·3
- 둔각 삼각형 문제 Obtuse-triangle problem 04
- 드레인 유도 장벽 낮춤 Drain-induced barrier lowering DIBL 01·7, 12·3, 12·4, 12·5, 12·8, 12·10, 14·6, 16·10, 16·11, 17·5
- 드리프트-확산 모델 Drift-diffusion model DD 02·10, 03·1, 03·4, 03·6, 13·2, 13·3, 13·5, 14·4, 14·5, 14·6, 14·9
- 들로네 삼각 분할 Delaunay triangulation 04·4, 04·6
- 등가 산화막 두께 Equivalent oxide thickness EOT 01·7, 04·7, 08·2, 10·7, 11·6, 11·9, 11·10, 12·6, 13·5, 13·6
- 등각 증착 Conformal deposition 07·11, 08·8, 08·9
- 디리클레 경계 조건 Dirichlet boundary condition 03
- 디바이 길이 Debye length LD 02·10, 03·2, 03·5, 03·7, 04·2, 04·7, 09·1, 09·4, 09·9, 11·2, 11·3
- 딜-그로브 모델 Deal–Grove model 08
ㄹ
ㅁ
- 마티센 규칙 Matthiessen's rule 10·2, 10·3
- 몬테카를로 수송 Monte Carlo transport MC 06·6, 06·8, 06·12, 14·4, 16·9
- 무작위 도펀트 변동 Random dopant fluctuation RDF 16·11, 17·1, 17·3, 17·4, 17·8, 17·10
- 무차원화 Scaling (normalization) 02·10, 03·5, 05
- 문턱 아래 기울기 Subthreshold swing SS 01·1, 01·7, 04·9, 04·11, 12·4, 12·6, 12·8, 12·10, 14·8, 14·9
- 문턱 전압 Threshold voltage Vt 01·1, 01·2, 01·5, 01·7, 02·2, 02·5, 02·9, 02·10, 03·2, 03·4
외 61곳
, 03·5, 03·6, 03·7, 04·3, 04·5, 04·7, 04·8, 04·9, 04·11, 05·1, 05·2, 05·3, 05·4, 05·7, 05·8, 05·9, 05·10, 06·10, 07·8, 08·3, 09·5, 09·6, 09·7, 11·1, 11·2, 11·3, 11·4, 11·7, 11·10, 12·1, 12·2, 12·4, 12·5, 12·6, 12·7, 12·8, 12·9, 12·10, 13·6, 13·8, 14·7, 14·9, 16·2, 16·3, 16·4, 16·6, 16·8, 16·9, 16·10, 16·11, 17·2, 17·3, 17·4, 17·5, 17·6, 17·7, 17·8, 17·10, 18·2, 18·3, 18·5 - 민감도 분석 Sensitivity analysis 01·5, 16·4
- 밀도 기울기 모델 Density-gradient model DG 08·2, 11·8, 11·9, 11·10, 14·7, 14·9
ㅂ
- 바이어스 램프 Bias ramping 01·7, 04·11, 05·10, 11·1
- 바이어스 온도 불안정 Bias temperature instability BTI 13·8, 13·9
- 박스 방법 Box integration method 04·3, 07·2
- 반 루스브룩 방정식계 Van Roosbroeck system 03
- 반 오버스트라에텐-데 만 모델 van Overstraeten–de Man model 13
- 반복 풀이기 Iterative linear solver 05·6, 17·9
- 반응 표면 Response surface RSM 01·5, 12·8, 16·1, 16·4, 16·7, 16·8, 16·9, 16·11
- 밴드 간 터널링 Band-to-band tunneling BTBT 09·8, 09·13, 10·6, 13·5, 13·7, 13·10
- 밴드갭 Band gap Eg 02·1, 02·2, 02·3, 02·4, 02·5, 02·8, 02·11, 09·2, 09·7, 09·10
- 밴드갭 좁아짐 Band-gap narrowing BGN 02·1, 02·4, 02·5, 02·8, 02·11, 09·2, 18·1
- 베르누이 함수 Bernoulli function B(x) 03·4, 04·3, 04·5, 05·2
- 보로노이 셀 Voronoi cell 04·3, 04·4
- 보정 Calibration 01·1, 01·2, 01·4, 01·5, 01·7, 02·1, 02·6, 04·1, 04·8, 05·1
- 복사 재결합 Radiative recombination 10·6
- 볼츠만 근사 Boltzmann approximation 02·2, 02·3, 02·4, 02·6
- 볼츠만 수송 방정식 Boltzmann transport equation BTE 14·1, 14·2, 14·3, 14·8
- 분포 모멘트 Distribution moments γ, β 06
- 불완전 이온화 Incomplete ionization 02·1
- 비정질화 Amorphization 06·6, 06·11, 06·13
ㅅ
- 상태 밀도 Density of states DOS 02·1, 02·3, 11·7
- 상호 컨덕턴스 Transconductance gm 12
- 새부리 Bird's beak 08·1, 08·4
- 샤페터-거멜 이산화 Scharfetter–Gummel discretization SG 03·4, 04·11, 05·2, 05·5, 05·10, 09·1
- 선 가장자리 거칠기 Line-edge roughness LER 16·9, 16·11, 17·1, 17·5, 17·10
- 설계-기술 공동 최적화 Design-technology co-optimization DTCO 16
- 소스/드레인 확장부 Source/drain extension SDE 01·7, 06, 15·5
- 소신호 AC 해석 Small-signal AC analysis 09·9, 15·3
- 속도 과도 Velocity overshoot 01·5, 10·7, 12·7, 13·10, 14·1, 14·4, 14·5, 14·9, 16·1
- 속도 포화 Velocity saturation vsat 01·5, 05·9, 09·13, 10·1, 10·4, 10·5, 10·7, 12·1, 12·7, 14·2, 14·3, 18·1
- 쇼트키 접촉 Schottky contact 03·6
- 수렴 기준 Convergence criterion 05
- 슈뢰딩거-포아송 Schrödinger–Poisson SP 11·7, 11·8, 11·10, 14·7, 14·9
- 스트링 방법 String method 08·7
- 스파이크 어닐 Spike anneal RTA 01·4, 01·7, 06·13, 07·7, 07·8, 07·11, 08·9, 12·1, 12·10
- 슬롯붐 변수 Slotboom variables 03·5, 05
- 시간 적분 Time integration 03·3, 05·1, 08·3, 15
- 실험 계획법 Design of experiments DOE 16·7
ㅇ
- 아레니우스 확산 계수 Arrhenius diffusivity 07
- 아인슈타인 관계 Einstein relation 02·6, 03·4, 05·2, 10·1
- 아크 길이 연속법 Arc-length continuation 13·3
- 애벌랜치 항복 Avalanche breakdown 13·1, 13·2, 13·10
- 야코비 행렬 Jacobian matrix 05
- 에너지 밴드 Energy band 02
- 에너지 이완 시간 Energy relaxation time τw 14·1, 14·9
- 에치백 Etch-back 07·11, 08·6, 08·8, 08·9
- 연속 방정식 Continuity equation 01·1, 01·3, 02·1, 02·10, 03·1, 03·3, 03·4, 04·3, 04·5, 05·1
- 연속법 Continuation method 05·8, 05·9, 12·1, 13·3
- 열 방정식 Lattice heat equation 13·9, 13·10
- 열 예산 Thermal budget Dt 07·1, 07·2, 07·3, 07·4, 07·8, 08·3, 08·9
- 열 전압 Thermal voltage Vt 01·2, 01·7, 02·2, 02·5, 02·9, 02·10, 03·2, 03·4, 03·5, 03·6
외 49곳
, 04·3, 04·5, 04·7, 04·9, 04·11, 05·1, 05·2, 05·3, 05·4, 05·7, 05·8, 05·9, 05·10, 09·5, 09·6, 09·7, 11·1, 11·2, 11·3, 11·4, 11·10, 12·1, 12·2, 12·4, 12·5, 12·6, 12·7, 12·8, 12·9, 12·10, 13·6, 13·8, 16·2, 16·3, 16·4, 16·6, 16·8, 16·9, 16·11, 17·2, 17·3, 17·4, 17·5, 17·6, 17·7, 17·10, 18·2, 18·3, 18·5 - 열전자 방출 Thermionic emission 03·6
- 오믹 접촉 Ohmic contact 01·3, 02·5, 03·6, 10·6, 11·1
- 오제 재결합 Auger recombination 03·4, 10·6
- 용량 등가 두께 Capacitance equivalent thickness CET 10·7, 11·8, 11·9, 11·10
- 유전율 Permittivity ε 01·3, 03·1, 03·6, 04·1, 04·3, 04·7, 09·1, 10·3, 10·7, 14·7, 17·3, 17·6
- 유체역학 모델 Hydrodynamic model HD 14
- 유한 요소법 Finite element method FEM 04·5
- 유한 차분법 Finite difference method FDM 04
- 유한 체적법 Finite volume method FVM 04·3
- 유효 상태 밀도 Effective density of states Nc, Nv 02·1, 02·2, 02·3, 02·4, 03·6, 09·2, 09·10, 11·8
- 이동도 Mobility μ 01·1, 01·3, 01·4, 01·5, 01·6, 01·7, 02·5, 03·1, 03·4, 05·9
- 이산화 오차 Discretization error 04, 05·9
- 이상 계수 Ideality factor n 09·6, 09·7, 09·12, 10·6
- 이온 주입 Ion implantation 01·1, 06·1, 08·8, 18·1
- 이중 피어슨 Dual Pearson 06·6, 06·12, 06·13, 07·10
- 이진 충돌 근사 Binary collision approximation BCA 06·8, 06·12
- 이차 수렴 Quadratic convergence 05
- 일함수 Work function Φ 03·6, 03·7, 11·4, 11·6, 12·6, 16·2, 17·1, 17·6, 17·8
- 일함수 변동 Work-function variation WFV 17·1, 17·6, 17·8, 17·10
- 임피던스 장 방법 Impedance field method IFM 17·4
ㅈ
- 자기 발열 Self-heating 10·2, 12·10, 13·9, 13·10, 18·1
- 잔차 Residual 05·4, 05·7, 05·8, 05·9, 05·10, 09·3, 16·3, 16·5, 16·6
- 적응 격자 Adaptive meshing 04
- 전자 친화도 Electron affinity χ 02·2
- 전처리 Preconditioning ILU 04·10, 05·6, 17·9
- 전파 지연 Propagation delay tpd 15
- 전하 중성 Charge neutrality 02·8, 03·6, 03·7, 05·3, 05·4, 09·1, 09·2, 09·4, 12·1, 15·4
- 점결함 Point defects I, V 01·6, 07·5, 07·6
- 접합 용량 Junction capacitance Cj 09·9, 09·11, 09·12, 09·13, 15·4, 15·8
- 정전 전위 Electrostatic potential ψ 01·3, 02·1, 02·2, 03·1, 03·2, 04·1, 12·1
- 준페르미 준위 Quasi-Fermi level EFn, EFp 02·9, 03·4, 05·5, 09·2, 09·4, 09·5, 10·4, 11·3, 12·1
- 직접 풀이기 Direct solver LU 04·10, 05·6, 05·10, 17·9
- 진성 캐리어 농도 Intrinsic carrier concentration ni 02·4
- 질량 작용 법칙 Mass-action law 02·3
- 짧은 채널 효과 Short-channel effect SCE 07·10, 07·11, 12·8
ㅊ
- 채널링 Channeling 06·6, 06·7, 06·11, 06·12
- 초기 추정 Initial guess 05
- 최소 제곱 맞춤 Least-squares fitting LM 16·5, 16·6, 16·10, 16·11
- 축적·공핍·반전 Accumulation / depletion / inversion 11
- 축퇴 반도체 Degenerate semiconductor 02, 03·4, 09·2
- 충돌 이온화 Impact ionization II 01·1, 04·7, 05·9, 12·1, 12·10, 13·1, 13·2, 13·3, 13·5, 13·7
ㅋ
ㅌ
ㅍ
- 파라미터 추출 Parameter extraction 16
- 펀치스루 Punch-through 06·5, 12·2, 12·9, 16·8, 18·3
- 페르미 준위 Fermi level EF 01·7, 02·2, 02·3, 02·5, 02·6, 02·8, 02·9, 02·11, 03·4, 05·5
- 페르미-디랙 통계 Fermi–Dirac statistics FD 02·6, 02·8, 09·2, 17·8
- 펠그롬 관계 Pelgrom's law 16·11, 17·3
- 편석 Segregation m 08·3, 16·1
- 평탄 띠 전압 Flat-band voltage VFB 11·4, 11·10
- 포아송 방정식 Poisson equation 01·1, 01·3, 02·1, 02·11, 03·1, 03·2, 03·5, 03·6, 04·1, 04·5
- 피어슨 IV 분포 Pearson IV distribution 06
- 픽의 법칙 Fick's laws 07·3, 07·5
- 핀펫 FinFET 04·6, 06·10, 13·9, 16·10, 16·11, 17·3, 17·8, 17·9, 17·10
ㅎ
C
D
M
- MINIMOS MINIMOS 01·6
N
P
- PISCES PISCES (2D device simulator) PISCES 01·6
S
- Sentaurus Synopsys Sentaurus TCAD 01·6, 17·9
- Silvaco TCAD Silvaco Victory / ATLAS 01
- SRH 재결합 Shockley–Read–Hall recombination SRH 03·4, 05·5, 09·1, 09·6, 09·7, 09·8, 09·12, 09·13, 10·1, 10·6
- SRIM / TRIM Stopping and Range of Ions in Matter SRIM 06·8
- SUPREM Stanford University PRocess Engineering Models SUPREM 01·6
T
- TR-BDF2 Trapezoidal rule / BDF2 TR-BDF2 15·2
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