Index
찾아보기
DeviceBook에 나오는 용어 342개입니다. 번호는 장·절이고, 누르면 그 절의 해당 문장으로 갑니다. 굵은 번호는 용어를 설명하는 곳입니다. 정의는 용어집에 있습니다.
342개
ㄱ
- 가동 이온 Mobile ionic charge Qm 08·7
- 가드 링 Guard ring 14·2, 17·8
- 가드밴드 Guard band 16·7, 16·8, 16·9
- 가속 계수 Acceleration factor AF 16·5
- 간접 밴드갭 Indirect band gap 01·8, 04·2, 12·2
- 강반전 Strong inversion ψs = 2φF 08·2, 08·4, 08·5, 09·1, 09·2, 09·4, 09·5, 15·4
- 개방 전압 Open-circuit voltage Voc 04·10, 12·4, 18·1
- 거멜 반복법 Gummel iteration 18·3
- 거멜 수 Gummel number Q_B 11·2
- 거멜 플롯 Gummel plot 11·5
- 게이트 누설 Gate leakage Ig 08, 16·4
- 게이트 올 어라운드 Gate-all-around GAA 07·7, 10·2, 10·3, 10·7, 13·5, 16·7, 16·9, 17·10
- 게이트 유도 드레인 누설 Gate-induced drain leakage GIDL 10·5
- 게이트 저항 Gate resistance R_g 14·9, 15·2, 15·5, 15·6, 15·7, 15·8
- 격자 (메시) Mesh 18·3
- 격자 산란 Lattice (phonon) scattering 03·8
- 격자 상수 Lattice constant a 01·3, 01·9, 02·5, 13·1, 13·5, 14·8
- 격자 정합 Lattice matching 13·1
- 결정 격자 Crystal lattice 01
- 경사 접합 Linearly graded junction 05·6
- 경시 절연 파괴 Time-Dependent Dielectric Breakdown TDDB 16·4, 16·5, 16·7, 16·9
- 계면 트랩 Interface traps Qit 08·7, 14·8, 15·6, 16·2, 16·3
- 계면 트랩 밀도 Interface trap density Dit 04·8, 07·4, 08·7, 08·8
- 고온 동작 수명 시험 High-Temperature Operating Life HTOL 16·5, 16·9, 17·11
- 고장률 Failure rate (hazard rate) h(t) 16·1, 16·5
- 고전자 이동도 트랜지스터 High-electron-mobility transistor HEMT 13·1, 13·3, 13·6, 14·1, 14·8, 15·2, 15·8
- 고정 산화막 전하 Fixed oxide charge Qf 08·7
- 고주입 High-level injection 06·5, 06·6, 11·5, 14·7
- 골짜기 분리 Valley splitting 13·5
- 공통 베이스 전류 이득 Common-base current gain α 11·4
- 공통 이미터 전류 이득 Common-emitter current gain β (h_FE) 11
- 공핍 (MOS) Depletion (MOS) 08·2, 08·3, 08·4, 08·5, 08·6, 08·8
- 공핍 근사 Depletion approximation 05·2, 05·3, 05·5, 06·4, 07·3, 08·3, 13·2, 18·1, 18·2
- 공핍층 Depletion region W 04·1, 05·1, 05·2, 05·3, 05·4, 05·5, 05·6, 05·7, 06·1, 06·2
- 공핍층 폭 Depletion width W 05·1, 05·3, 05·7, 07·2, 07·7, 08·2, 14·2
- 과잉 잡음 계수 Excess noise factor γ 15·6
- 광 생성 Photogeneration G(x) 04·6, 04·10, 12·2, 12·3, 18·1
- 광자 에너지와 파장 Photon energy–wavelength λ = 1240/E 12
- 광전도 감쇠 Photoconductive decay PCD 04·5
- 금속 유도 갭 상태 Metal-induced gap states MIGS 07·4
- 급경사 스위치 Steep-slope device 10
- 기판 전류 Substrate current I_sub 16·2
- 깊은 공핍 Deep depletion 08·5, 08·6, 10·3
- 꼬리 전류 Tail current 14·1, 14·7
ㄴ
- 나노시트 Nanosheet NS 10·3, 10·7, 16·7, 16·8
- 내부 양자 효율 Internal quantum efficiency IQE 12·5
- 내부 전위 Built-in potential Vbi 05·1, 05·2, 05·3, 05·5, 05·6, 05·7, 06·1, 06·4, 06·7, 07·2
- 노멀리 오프 Normally-off (enhancement mode) 14·8
- 누설 전류 Leakage current Ioff 02·4, 04·1, 08·8, 09·4, 09·6, 10·1, 10·5, 10·6, 16·4, 17·2
- 뉴턴법 (결합 해법) Newton (coupled) method 18·3
ㄷ
- 다이아몬드 구조 Diamond structure 01, 13·5
- 다중 핑거 레이아웃 Multi-finger layout 15
- 단극 한계 Unipolar limit (silicon limit) 14·4, 14·6
- 단락 전류 Short-circuit current Isc (Jsc) 12, 15·3, 18·1
- 단락 전류 이득 Short-circuit current gain h21 15·3
- 단위 셀 Unit cell 01·2
- 단채널 효과 Short-channel effect SCE 10·2, 10·3, 13·5
- 단측 접합 One-sided junction p⁺n / n⁺p 05·6, 18·2
- 데너드 스케일링 Dennard scaling 10·1
- 도너 Donor Nd 01·1, 02·5, 02·6, 02·7, 02·8, 03·3, 03·7, 05·1, 07·2, 11·8
- 동결 Freeze-out 02·7, 02·8
- 동적 전력 Dynamic power P = αCV²f 09·6, 16·8
- 드레인 유도 장벽 저하 Drain-induced barrier lowering DIBL 10·2, 10·3, 10·5
- 드리프트 Drift 03·1, 03·2, 03·4, 03·7, 03·9, 04·6, 04·9, 05·1, 05·2, 05·3
- 드리프트–확산 모형 Drift–diffusion model DD 03·7, 03·9, 17·6, 18
- 드리프트–확산 전류식 Drift–diffusion current equation 03
- 드리프트층 Drift region 14·1, 14·3, 14·4, 14·5, 14·6, 14·7, 14·11
- 등가 산화막 두께 Equivalent oxide thickness EOT 08·8, 10·3, 10·5, 10·7
- 등에너지면 (Si 골짜기) Constant-energy surface (valley) 01
- 디바이 길이 Debye length L_D 05·5
- 디임베딩 De-embedding 15·3
ㄹ
ㅁ
- 마티센 규칙 Matthiessen's rule 03·3, 13·3
- 메이슨 단방향 이득 Mason's unilateral gain U 15·3
- 면저항 Sheet resistance Rs (Ω/□) 03·5, 07·8, 12·4, 13·3, 14·8, 15·5, 17·4
- 면적 스케일링 Area scaling 16·4
- 무어의 법칙 Moore's law 10·1
- 문턱 이하 기울기 Subthreshold swing SS 09·2, 09·4, 09·5, 09·6, 10·1, 10·5, 10·6, 17·6
- 문턱 이하 전류 Subthreshold current 09
- 문턱 전압 Threshold voltage Vth 08·2, 08·3, 08·4, 08·7, 08·8, 09·2, 09·4, 09·5, 09·6, 10·1
- 밀도 반전 Population inversion 12·6
- 밀러 지수 Miller indices (hkl) 01·3
- 밀러 평탄부 Miller plateau V_gp 14·9
ㅂ
- 바디 계수 Body coefficient γ 08
- 바디 효과 Body effect 08·4, 09·4
- 바리가 성능 지수 Baliga's figure of merit BFOM 14·4
- 바이폴라 접합 트랜지스터 Bipolar junction transistor BJT 11·4, 11·6, 11·7, 11·8, 11·9, 14·1, 14·7, 15·1, 15·2, 15·5, 15·6, 17·3
- 반응–확산 모형 Reaction–Diffusion model R–D 16·3
- 반전 Inversion 08·2, 08·3, 08·4, 08·5, 08·8, 09·1, 09·2, 09·3, 09·4, 09·5
- 발광 다이오드 Light-emitting diode LED 01·1, 02·5, 04·2, 04·4, 06·4, 12·1, 12·2, 12·5, 12·6, 13·1
- 밴드 간 터널링 Band-to-band tunneling BTBT 06, 10·5, 13·6
- 밴드 오프셋 Band offset ΔEc, ΔEv 13·1, 13·5, 13·6, 15·8
- 밴드갭 Band gap Eg 01·1, 01·8, 01·9, 02·4, 02·6, 02·7, 02·8, 04·2, 04·3, 05·1
- 밴드갭 축소 Band-gap narrowing BGN 02, 11·4, 18·3
- 번인 Burn-in 16·1, 16·9
- 베이스 수송 계수 Base transport factor α_T 11·4
- 베이스 통과 시간 Base transit time τ_B 11
- 벤대니얼–듀크 경계 조건 BenDaniel–Duke boundary condition 13·4
- 변조 도핑 Modulation doping 13·3, 13·6
- 변형 실리콘 Strained silicon 10
- 보상 Compensation 02·6, 02·7, 14·8, 17·10
- 복사 재결합 Radiative recombination B 04·2, 12·4, 12·5, 18·3
- 볼츠만 근사 Boltzmann approximation 02·6, 02·8, 05·2
- 볼츠만 한계 Boltzmann tyranny 60 mV/dec 09·4, 10·6
- 부밴드 Subband 13·3, 13·4, 13·6
- 부정합 전위 Misfit dislocation 13·1, 13·5
- 분극 전하 Polarization charge σ_pol 13·1, 14·8, 15·8
- 브릴루앙 영역 Brillouin zone BZ 01·8
- 블로흐 정리 Bloch theorem 01·5
- 비저항 Resistivity ρ 03·5, 03·8, 07·7, 07·8
- 비준정적 효과 Non-quasi-static effect NQS 15·1, 15·5
ㅅ
- 산란 Scattering 03·1, 03·2, 03·3, 03·4, 03·6, 03·7, 03·8, 03·9, 04·4, 04·10
- 산탄 잡음 Shot noise 15·6
- 산화막 용량 Oxide capacitance Cox 08·1, 08·3, 08·4, 08·5, 08·6, 08·7, 08·8, 09·2, 09·4, 10·1
- 삼각 우물 Triangular quantum well 13·3, 13·4, 14·8
- 상태 밀도 Density of states DOS 01·6, 02·1, 02·2, 02·3, 13·3, 13·4, 13·6, 14·8
- 생성 Generation G 04·1, 04·6, 04·7, 04·10, 06·4, 06·5, 08·5, 10·5, 12·2, 12·3
- 샤페터–거멜 이산화 Scharfetter–Gummel discretization SG 18·3
- 선형 영역 Linear (triode) region 09·3, 09·5, 14·10, 15·1
- 설계–공정 공동 최적화 Design-technology co-optimization DTCO 10·7
- 섬아연광 구조 Zincblende structure 01
- 소수 캐리어 수명 Minority carrier lifetime τ 04·4
- 소수 캐리어 주입 Minority carrier injection 06
- 소신호 등가 회로 Small-signal equivalent circuit 06·6, 15·2
- 소프트 파괴 / 하드 파괴 Soft / hard breakdown SBD/HBD 14·8, 16·4
- 속도 과도 현상 Velocity overshoot 03·9, 10
- 속도 포화 Velocity saturation v_sat 03·4, 09·6, 10·4, 15·1, 15·4, 18·3
- 쇼클리 방정식 Shockley diode equation 06·4
- 쇼클리–퀘이서 한계 Shockley–Queisser limit SQ 12·4
- 쇼트키 다이오드 Schottky diode SBD 06·8, 07·4, 14·1, 14·8, 16·4, 18·3
- 쇼트키 장벽 Schottky barrier φB 07·2, 13·3, 14·8
- 쇼트키–모트 규칙 Schottky–Mott rule 07·2, 07·4
- 순방향 활성 영역 Forward active mode 11·1
- 슈퍼정션 Superjunction SJ 14·5, 14·6, 14·9
- 스냅백 Snapback 16·6, 17·2, 17·3, 17·4, 17·5, 17·8, 17·9
- 스위칭 문턱 Switching threshold VM 09·6
- 스파이크와 노치 Spike and notch 13·2
- 스페이서층 Spacer layer 13·3
- 시스템 수준 ESD System-level ESD (IEC 61000-4-2) 16·6, 17·1, 17·9
- 실리사이드 Silicide TiSi₂, NiSi 07·1, 07·4, 07·7, 15·5, 17·4
- 실리사이드 블록 Silicide block (ballast) SAB 17·4, 17·5
ㅇ
- 아인슈타인 관계 Einstein relation D/μ = kT/q 03·7, 05·2, 18·3
- 안전 동작 영역 Safe operating area SOA 14·10
- 애벌런치 포토다이오드 Avalanche photodiode APD 12
- 애벌런치 항복 Avalanche breakdown 06, 14·2
- 앤더슨 규칙 Anderson's electron affinity rule 13·1
- 양 바이어스 온도 불안정성 Positive Bias Temperature Instability PBTI 16·3
- 양자 우물 Quantum well QW 12·5, 12·6, 13·1, 13·4, 13·6
- 양자 효율 Quantum efficiency QE 12·3, 12·5
- 억셉터 Acceptor Na 01·1, 02·5, 02·6, 02·7, 05·1, 08·3, 08·7, 09·1, 10·2, 14·6
- 얼리 전압 Early voltage VA 11·6, 11·9
- 얼리 효과 Early effect 11·6
- 에너지 밴드 Energy band 01·4, 09·1, 18·1
- 에버스–몰 모형 Ebers–Moll model 11
- 역격자 Reciprocal lattice 01
- 역회복 Reverse recovery t_rr 06·8, 07·5, 14·1, 14·8, 14·9
- 연속 방정식 Continuity equation 03·7, 04·6, 05·5, 06·2, 06·3, 18·3
- 열 속도 Thermal velocity v_th 03·1, 03·2, 03·4, 03·9, 04·8, 10·4
- 열–전계 방출 Thermionic-field emission TFE 07·7
- 열잡음 Thermal noise 15·6, 15·7
- 열전압 Thermal voltage Vt = kT/q 03
- 열전자 방출 Thermionic emission TE 07·5, 07·7
- 영상력 장벽 저하 Image-force barrier lowering Δφ 07
- 오믹 경계 조건 Ohmic boundary condition 18
- 오믹 접촉 Ohmic contact 04·8, 06·3, 07·2, 07·7, 07·8, 08·1, 18·1, 18·3
- 오제 재결합 Auger recombination C 04·2, 04·4, 11·4, 12·4, 12·5
- 와이블 분포 Weibull distribution 16·1
- 외부 양자 효율 External quantum efficiency EQE 12·3, 12·5
- 외인성 영역 Extrinsic region 02·7
- 욕조 곡선 Bathtub curve 16·1
- 운쉬–벨 관계 Wunsch–Bell relation 17·2
- 유도 게이트 잡음 Induced gate noise 15·6, 15·7
- 유도 방출 Stimulated emission 12·6
- 유효 상태 밀도 Effective density of states Nc / Nv 02·1, 02·3, 02·4, 02·8, 07·1
- 유효 질량 Effective mass m* 01·6, 01·7, 02·1, 02·5, 03·1, 03·2, 03·4, 08·8, 13·4
- 음 바이어스 온도 불안정성 Negative Bias Temperature Instability NBTI 16·3
- 음의 커패시턴스 FET Negative-capacitance FET NCFET 10·6
- 응답도 Responsivity R (A/W) 12·3
- 의사 정합 성장 Pseudomorphic growth 13
- 이동도 Mobility μ 03·1, 03·2, 03·3, 03·4, 03·6, 03·7, 03·8, 09·4, 09·6, 10·3
- 이동도 저하 Mobility degradation θ 09·4
- 이미터 / 베이스 / 컬렉터 Emitter / base / collector E / B / C 02·8, 04·4, 11·1, 11·2, 11·3, 11·4, 11·5, 11·6, 11·7, 11·8
- 이상 계수 Ideality factor n 06·5, 06·6, 07·5, 11·5, 18·1
- 이온화 계수 Impact ionization coefficient α_n, α_p 14·2
- 이온화 불순물 산란 Ionized impurity scattering 03·3, 13·3
- 이온화 에너지 Ionization energy Ed, Ea 02·5, 02·7, 16·3, 16·5
- 이온화 적분 Ionization integral 14·2, 14·3, 14·11, 17·3
- 이종 접합 Heterojunction 04·8, 11·4, 11·9, 12·4, 13·1, 13·2, 13·6, 14·8, 18·3
- 이종 접합 바이폴라 트랜지스터 Heterojunction bipolar transistor HBT 11·4, 11·6, 11·9, 13·1, 13·2, 13·5, 13·6, 15·2, 15·6, 15·8
- 이중 이종 구조 Double heterostructure DH 12·5, 13·6
- 이중 펄스 시험 Double-pulse test DPT 14·9
- 이형·동형 접합 Anisotype / isotype heterojunction 13
- 인체 모델 / 대전 소자 모델 Human Body Model / Charged Device Model HBM/CDM 16·6, 17·1, 17·2, 17·4, 17·5, 17·6, 17·7, 17·9, 17·10, 17·11
- 일함수 Work function φm, φs 05·1, 07·1, 07·2, 07·4, 08·1, 08·4, 08·8, 10·3, 13·2
- 일함수 차 Work-function difference φms 07·4, 08
- 임계 두께 Critical thickness h_c 13·5
- 임계 전기장 Critical electric field ℰ_c 06·7, 14·2, 14·3, 14·4
ㅈ
- 자가 발열 Self-heating 16·2, 16·7, 16·9, 17·10
- 자연 길이 Natural length λ 10·3
- 잡음 지수 Noise figure NF 15·7, 15·9
- 잡음 파라미터 Noise parameters 15·7
- 재결합 Recombination R 01·1, 01·7, 01·8, 02·6, 04·1, 04·2, 04·3, 04·4, 04·6, 04·7
- 재결합–생성 전류 Recombination–generation current J_gr 06
- 저농도 도핑 드레인 Lightly Doped Drain LDD 16·2
- 저잡음 증폭기 Low-noise amplifier LNA 13·3, 15·7, 15·8, 15·9
- 저장 시간 Storage time t_s 06·6, 06·8, 11·3
- 저장 전하 Stored charge Q_s 06·6, 06·8, 11·3, 14·1, 14·7
- 저주파 / 고주파 C–V Low- / high-frequency C–V LF / HF C–V 06·6, 08·5, 08·6, 08·7, 14·1
- 저준위 주입 Low-level injection 04·1, 04·3, 04·5
- 전계 방출 Field emission FE 07·7
- 전도대 / 가전자대 Conduction / valence band Ec / Ev 01·4, 01·6, 01·7, 01·8, 02·1, 02·2, 02·3, 02·4, 02·5, 02·6
- 전도도 변조 Conductivity modulation 14·1, 14·7
- 전력 반도체 소자 Power semiconductor device 13·3, 14·4
- 전류 붕괴 Current collapse (dynamic R_on) 14·8
- 전송선 모형 Transfer length method TLM 07·8
- 전송선 펄스 Transmission Line Pulse TLP 16·6, 17·2, 17·4, 17·9, 17·11
- 전압 전달 특성 Voltage transfer characteristic VTC 09·6
- 전자 친화도 Electron affinity χ 05·1, 07·1, 13·1
- 전하 중성 조건 Charge neutrality 02·6, 07·4
- 전하 중성 xnNd = xpNa Depletion charge balance 05
- 점진 채널 근사 Gradual channel approximation GCA 09·2, 09·3, 10·2
- 접촉 비저항 Specific contact resistivity ρc 07·7, 07·8
- 접합 용량 Junction capacitance Cj 05·2, 05·3, 05·6, 05·7, 06·5, 06·6, 11·8, 12·3, 15·2, 17·10
- 접합 종단 Edge termination 14·2
- 접합의 법칙 Law of the junction 06·2, 06·3, 06·4
- 정공 Hole h⁺ 01·1, 01·7, 02·2, 02·4, 02·5, 02·6, 03·2, 03·7, 03·8, 04·1
- 정전기 방전 Electrostatic Discharge ESD 16·6, 17·1, 17·2, 17·3, 17·6, 17·9, 17·10, 17·11
- 제너 항복 Zener breakdown 06·7
- 조성 경사 Compositional grading 13·2, 13·6
- 존슨 한계 Johnson limit 11·8, 15·8
- 주입 효율 Emitter injection efficiency γ 11·4, 13·6
- 준정적 근사 Quasi-static approximation QS 15·1
- 준페르미 준위 Quasi-Fermi level EFn, EFp 04·10, 06·1, 06·2, 06·5, 12·6, 18·3
- 직렬 저항 Series resistance Rs 03·5, 06·5, 06·6, 12·4, 15·2, 15·3, 15·5, 15·7, 17·7, 17·8, 17·9
- 직접 밴드갭 Direct band gap 01·8, 04·2, 12·2
- 진공 준위 Vacuum level E_vac 05·1, 07·1, 13·1, 13·2
- 진성 영역 Intrinsic region 02
- 진성 캐리어 농도 Intrinsic carrier concentration ni 01·9, 02·4
- 진성 페르미 준위 Intrinsic Fermi level Ei 02·2, 02·4, 02·6, 03·7, 04·3, 04·10, 05·2, 06·2, 13·3, 18·1, 18·3
- 질량 작용 법칙 Mass-action law np = ni² 02·6, 04·1
- 짧은 다이오드 Short-base diode 06·3, 06·4, 06·6
ㅊ
- 차단 주파수 Cutoff (transition) frequency fT 11·8, 11·9, 13·6, 15·1, 15·2, 15·3, 15·4, 15·5, 15·7, 15·8, 15·9
- 채널 길이 변조 Channel-length modulation CLM, λ 09·2, 09·3, 09·4
- 초고속 TLP very fast TLP vf-TLP 17·2, 17·11
- 최대 발진 주파수 Maximum oscillation frequency f_max 15·3
- 최대 전기장 Maximum electric field Emax 05·3, 05·6, 07·3, 14·2, 18·1
- 최소 잡음 지수 Minimum noise figure NF_min 15·7
- 추출 효율 Light extraction efficiency η_ext 12·5
- 축적 Accumulation 07·2, 08·2, 08·3, 08·5, 08·6, 13·2, 14·5
- 축퇴 반도체 Degenerate semiconductor n⁺⁺ / p⁺⁺ 02, 03·7
- 출력 저항 Output resistance ro 09·3
- 충돌 이온화 Impact ionization α_n, α_p 06·7, 14·2, 16·2, 17·3, 18·3
- 충진율 Fill factor FF 12·4
- 침투 깊이 Penetration depth 1/α 12·2, 13·4
ㅋ
ㅌ
- 타입 I 정렬 Type-I (straddling) alignment 13·4
- 타입 II 정렬 Type-II (staggered) alignment 13
- 타입 III 정렬 Type-III (broken-gap) alignment 13
- 탄도 수송 Ballistic transport 03·9, 10·4
- 탈출 원뿔 Escape cone θc 12·5
- 태양 전지 Solar cell PV 01·1, 02·8, 04·4, 04·6, 04·7, 04·8, 04·10, 12·1, 12·4
- 터널 FET Tunnel FET TFET 10·6, 13·1, 13·6
- 트랜스컨덕턴스 Transconductance gm 09, 15·1
- 트랩 준위 Trap level Et 04·3, 08·7, 18·1, 18·3
- 트렌치 MOSFET Trench MOSFET (UMOS) 14·5, 14·8
- 트리거 전압 / 유지 전압 Trigger / holding voltage V_t1 / V_h 16·6, 17·3, 17·4, 17·5, 17·8
- 특성 온저항 Specific on-resistance R_on,sp 14·1
ㅍ
- 파울러–노드하임 터널링 Fowler–Nordheim tunneling FN 08, 16·4
- 퍼콜레이션 모형 Percolation model 16·4
- 펀치스루 Punch-through 11·9, 13·6, 14·3
- 페르미 전위 Fermi potential φF 08, 18·3
- 페르미 준위 Fermi level EF 02·2, 02·3, 02·4, 02·5, 02·6, 02·7, 02·8, 03·7, 04·3, 04·10
- 페르미 준위 고정 Fermi-level pinning S 07·1, 07·4, 07·7, 08·8
- 페르미–디랙 분포 Fermi–Dirac distribution f(E) 02·2
- 평균 고장 시간 Mean Time To Failure MTTF 16·1
- 평탄대 전압 Flat-band voltage VFB 08·1, 08·6
- 포논 Phonon 01·8, 01·9, 03·1, 03·2, 03·3, 03·4, 04·2, 04·3, 06·7, 07·5
- 포토다이오드 Photodiode PD 04·6, 05·6, 12·1, 12·3, 12·4
- 포화 (BJT) Saturation (BJT) 11·2, 11·3, 11·6, 11·7
- 포화 드레인 전압 Saturation drain voltage VDsat 09·2, 09·3
- 포화 영역 Saturation region 03·4, 09·4, 11·6, 15·2, 16·2
- 포화 전류 Saturation current I₀ (Js) 06·3, 07·5, 09·3, 09·4, 10·4, 11·2, 14·10
- 폴리 공핍 Poly-Si gate depletion 08·8
- 표면 재결합 속도 Surface recombination velocity S 04·8, 18·3
- 표면 전위 Surface potential ψs 08·2, 08·3, 08·7, 09·1, 09·4, 10·2, 10·6
- 푸아송 방정식 Poisson's equation 05
- 프리스 공식 Friis formula 15
- 피크 f_T 전류 밀도 Peak-fT current density 15
- 핀치오프 Pinch-off 09·2, 09·3, 15·2, 16·2, 16·7
- 필드 스톱 Field stop FS 14·3, 14·7
ㅎ
- 하이브리드-π 모델 Hybrid-π model 15·2
- 핫 캐리어 주입 Hot-Carrier Injection HCI 16·2, 16·3, 16·7, 16·9
- 항복 Breakdown V_BR 05·6, 06·7, 11·8, 14·1, 14·2, 14·3, 14·10, 15·8, 16·4, 17·3, 18·2, 18·3
- 행운 전자 모형 Lucky-electron model 16·2
- 헤인스–쇼클리 실험 Haynes–Shockley experiment 04
- 홀 효과 Hall effect R_H 03, 13·3
- 확산 Diffusion 03·6, 03·7, 03·9, 04·4, 04·6, 04·7, 04·8, 04·9, 05·1, 05·2
- 확산 계수 Diffusion coefficient D 03·6, 11·2, 11·9
- 확산 길이 Diffusion length L = √(Dτ) 04·4, 04·6, 04·7, 04·8, 06·2, 06·3, 11·4, 12·3, 13·6, 17·2
- 확산 용량 Diffusion capacitance Cd 06·5, 06·6, 15·2
- 효율 저하 Efficiency droop droop 04·4, 12·5
- 흡수 계수 Absorption coefficient α 12·2
B
- BTI 회복 BTI recovery 16
C
D
- DMOS Double-diffused MOS DMOS 14·5
E
F
G
H
I
J
- JFET 영역 JFET region 14·5
M
N
P
S
- S 파라미터 Scattering parameters S 15·3
- SCR 보호 소자 Silicon-Controlled Rectifier SCR 17·5, 17·8
- SEED System-Efficient ESD Design SEED 17·9
- SiGe HBT SiGe heterojunction bipolar transistor SiGe 07·7, 11·9, 13·1, 13·5, 13·6, 15·2, 15·6, 15·8
- SRH 재결합 Shockley–Read–Hall recombination SRH 04·3, 04·4, 04·10, 06·5, 10·5, 11·5, 12·5, 18·1, 18·3
T
V
- Vth 롤오프 Threshold voltage roll-off 10·2
Y
- y 파라미터 Admittance parameters Y 15·3
#
- 1/f 잡음 Flicker noise 11·9, 15·6
- 1/f 코너 주파수 Flicker corner frequency f_c 15·6
- 2차 보호 Secondary (local) protection 17·7, 17·11
- 2차 항복 전류 Second breakdown current I_t2 17
- 2차원 상태 밀도 Two-dimensional density of states 13·3, 13·4
- 2차원 전자 가스 Two-dimensional electron gas 2DEG 13·3, 14·8, 15·8
- 4단자 탐침법 Four-point probe 4PP 03·5
- 60:40 규칙 60:40 rule (GaAs/AlGaAs) 13
맞는 용어가 없습니다. 위 검색창(이 책 검색)은 본문까지 찾습니다.