Chapter 14

테스트 흐름, KGD와 데이터

지금까지의 장들은 테스트를 하나씩 따로 보았다. 스캔, MBIST, 혼성 신호 측정, 셔무, 번인, 빈 분류. 실제 제품은 이것들을 여러 단계에 나눠 담은 하나의 흐름을 지난다. 어떤 결함을 어느 단계에서 잡을지, 온도는 몇 번 바꿀지, 칩렛 패키지에 들어갈 다이를 얼마나 확실히 골라야 하는지, 출하된 뒤에는 어떻게 지킬지가 흐름 설계의 질문이다. 그리고 테스트가 남기는 데이터, 곧 STDF 파일은 공정으로 되돌아가 수율을 올리는 연료가 된다. 이 장은 TB-7의 최종 흐름을 정하며 이 책을 수율(YieldBook)과 패키징(PackagingBook)으로 잇는다.

단계별 역할 분담

한 번의 테스트로 모든 결함을 잡을 수 없다는 것은 1장에서 이미 보았다. 그렇다면 테스트를 여러 단계로 나누는 기준은 무엇일까. 답은 세 가지다. 언제 잡아야 가장 싼가(10배 법칙), 어디서만 보이는가(패키지 결함은 패키지 뒤에만, 온도 결함은 그 온도에서만), 어떤 장비가 그 일에 가장 싼가(13장의 시간당 원가). 이 기준으로 TB-7의 단계별 역할을 나누면 다음과 같다.

웨이퍼 테스트 DC · 스캔 MBIST · 리페어 IDDQ · Vmin 4사이트 · 4 s 조립 절단 · 범프 플립칩 CSP 양품만 파이널 테스트 연속성 · 실속도 SerDes · ADC 속도 등급 빈 8사이트 · 8 s SLT OS 부팅 실사용 작업량 전력 관리 전환 슬롯 · 120 s 출하 목표 ≤ 50 DPPM 현장: LBIST (전원 켤 때) 연 1,000만 개 수율 피드백 리페어 · KGD 패키지 값을 지킨다 패키지 결함 온도 · 실속도 속도 등급 실사용 시나리오 구조 테스트가 놓친 결함 모든 단계의 STDF 데이터 → 수율 분석(YieldBook) · 테스트 보강
TB-7의 테스트 흐름. 웨이퍼 테스트는 패키지 값을 쓰기 전에 걸러 내고 공정에 결과를 돌려준다. 파이널 테스트는 패키지에서만 보이는 결함과 실속도·혼성 신호·속도 등급을 맡는다. SLT는 실제 시스템처럼 OS를 부팅하고 작업량을 돌려 구조 테스트가 놓친 결함을 잡는다. 모든 단계의 데이터는 수율 분석으로 돌아간다.
단계주로 맡는 것잘 못하는 것TB-7 비용
웨이퍼 테스트(Wafer sort, CP)정적 결함(스캔 고착), 메모리 결함과 리페어, 누설·IDDQ, 공정 피드백(빈 맵), 칩렛의 KGD실속도·고속 I/O(프로브 카드의 신호 무결성), 패키지 결함, 정밀 아날로그$0.08
파이널 테스트(Final test, FT)조립 결함(범프·와이어·기판), 실속도 지연 결함, SerDes·ADC, 속도 등급 빈, 온도별 동작실제 소프트웨어 작업량, 전원 관리 상태 전환, 드문 데이터 의존 결함$0.07
SLT(System-level test)OS 부팅·실사용 작업량, 전압·주파수 전환(DVFS), 코어 간 상호작용, 구조 테스트가 놓친 결함진단(왜 실패했는지 알기 어렵다), 시간이 길다(120 s), 커버리지를 수치로 말하기 어렵다$0.07

여기서 놓치기 쉬운 것은 웨이퍼 테스트의 두 번째 역할이다. 웨이퍼 테스트는 불량을 거르는 동시에 공정의 계기판이다. 다이 위치가 고스란히 남는 마지막 단계라서 빈 맵이 여기서 나오고, 그 맵이 7절의 수율 고리를 돌린다. 패키지가 된 뒤의 데이터는 웨이퍼 좌표를 잃기 쉬우므로, 다이마다 칩 ID(ECID, electronic chip ID)를 퓨즈에 써 넣어 파이널 테스트와 SLT, 나아가 현장 반환품의 데이터까지 웨이퍼 좌표로 되돌릴 수 있게 한다.

온도 삽입

결함 가운데에는 특정 온도에서만 드러나는 것이 많다. 저항성 비아와 얇아진 배선은 뜨거울 때 저항이 커져 지연 결함이 되고, 누설은 온도에 지수적으로 늘어난다. 거꾸로 첨단 공정에서는 온도 역전(Temperature inversion) 때문에 낮은 전압에서 차가울 때 트랜지스터가 더 느려지고, 솔더와 기판의 균열은 차가울 때 벌어진다. 그래서 테스트 흐름은 온도를 몇 번 바꿀지, 곧 온도 삽입(Temperature insertion)을 몇 번 할지 정해야 한다. 삽입 한 번은 핸들러 온도를 바꾸고 다시 한 번 전체를 소켓에 넣는 일이라 비용이 거의 한 단계만큼 든다.

차가움 −40 °C 상온 25 °C 뜨거움 125 °C 온도 역전 지연 (저전압에서 더 느림) 솔더·기판 균열 아날로그 오프셋 PLL 잠금 범위 대부분의 정적 결함 IDDQ 판별력 최고 (누설 기저가 작다) 가장 싼 삽입 저항성 비아·배선 지연 누설 폭증·열 폭주 메모리 리텐션 게이트 산화막 약점 (HVST와 겹치기 좋다) 모바일 TB-7 웨이퍼(상온 또는 85 °C) + 파이널 1회(뜨거움) + SLT(상온) 자동차 AEC-Q100 웨이퍼(뜨거움·차가움) + 파이널 3온도(−40·25·125 °C), 0 DPPM 지향
온도가 드러내는 결함. 뜨거울 때는 저항성 결함과 누설이, 차가울 때는 온도 역전 지연과 기계적 균열이 드러난다. 모바일 제품은 비용 때문에 한 번의 뜨거운 파이널 테스트에 기대고, 자동차 제품은 세 온도를 모두 시험한다.

모바일 SoC인 TB-7은 파이널 테스트를 뜨거운 쪽 한 번으로 한다. 지연 결함과 누설이 가장 잘 드러나는 온도이고, 11장의 고전압 스트레스(HVST)를 같은 삽입에 넣기 좋기 때문이다. 차가운 쪽의 위험(온도 역전)은 셔무에서 찾은 Vmin 가드밴드(10장)와 SLT로 보완한다. 자동차 제품은 사정이 다르다. 차량의 사용 온도가 −40~125 °C이고 목표가 사실상 0 DPPM이므로, AEC-Q100 등급 제품은 보통 웨이퍼에서 두 온도, 파이널에서 세 온도를 시험한다. 테스트 비용이 모바일의 몇 배가 되는 첫째 이유다.

온도 삽입을 줄이는 기법

뜨거운 쪽과 상온 사이의 상관이 높다면 상온 측정에 온도 계수를 곱해 뜨거운 쪽 값을 예측하고 삽입 하나를 뺄 수 있다(13장의 상관 기반 테스트 제거). 웨이퍼 테스트를 뜨거운 척(85~125 °C)에서 하면 파이널 테스트의 한 온도를 대신하기도 한다. 다만 칩 온도는 척 온도와 다르다. 스캔 시프트 중의 자기 발열로 칩 안쪽이 수십 °C 더 뜨거워질 수 있으므로, 온칩 온도 센서(TB-7은 12개)로 실제 접합 온도를 읽어 판정 한계를 보정한다.

누적 수율과 테스트 위치

흐름 전체의 수율은 단계 수율의 곱이다. TB-7은 웨이퍼 테스트 85%(리페어 뒤), 조립 약 99.5%, 파이널 테스트 97%, SLT 약 99.5%이므로 웨이퍼 위의 다이 100개 가운데 약 81.6개가 출하된다.

$$Y_{cum} = \prod_{s} Y_s,\qquad DPPM_{ship} = 10^6\sum_{c} p_c \prod_{s\in\text{흐름}}\bigl(1 - d_{c,s}\bigr)$$
\(p_c\): 결함 종류 \(c\)를 가진 다이의 비율, \(d_{c,s}\): 단계 \(s\)가 그 결함을 잡을 확률(앞 단계를 빠져나온 것 가운데). 단계들이 서로 독립이라고 가정한 식이다. 실제로는 앞 단계가 놓친 결함은 뒤 단계도 놓치기 쉬워(같은 패턴 계열, 같은 온도) 이 곱보다 유출이 크다.
100 85.0 84.6 82.0 81.6 웨이퍼 WS 후 조립 후 FT 후 출하 ×0.85 ×0.995 ×0.97 ×0.995 버리는 값: 다이 $3 패키지 $5 SLT $5.2
TB-7 다이 100개의 여정. 가장 많이 버리는 곳은 웨이퍼 테스트(15개)지만, 그때 버리는 값은 다이 원가뿐이다. 뒤로 갈수록 버리는 개수는 적어지지만 한 개마다 쌓인 원가가 크다. 그래서 '잡을 수 있으면 앞에서 잡는다'가 흐름 설계의 첫 원칙이다.

결함 종류마다 단계별 검출 확률을 표로 만들면 흐름의 성능을 계산할 수 있다. 아래 시뮬레이터의 행렬이 그 표다. 칸의 숫자는 교육용 추정값이지만, 모양은 실제 흐름과 같다. 정적 로직과 메모리 결함은 웨이퍼 테스트에서 거의 다 잡히고, 패키지 결함은 파이널 테스트에서만 잡히며, 간헐·데이터 의존 결함은 SLT가 아니면 잘 잡히지 않는다. 초기 고장(Infant mortality)은 번인이나 HVST 같은 스트레스가 있어야 드러난다(11장).

SIMULATOR

테스트 흐름 빌더: 단계를 켜고 끄며 DPPM과 비용 맞추기

SLT
양산 단계
출하 DPPM (목표 50)—
누적 수율—
개당 테스트 비용—
패키지 낭비—
현장 불량 비용 ($500×)—
해볼 것: ① 기본 흐름(웨이퍼 + 뜨거운 파이널 + SLT 전수)이 50 DPPM을 겨우 맞추는 것을 확인하자. 막대 아래 결함 종류별 유출을 보면 간헐·SDC, 초기 고장, 지연, 아날로그·I/O가 비슷한 몫을 나눠 갖는다. ② SLT를 "표본"으로 바꾸면 초기 단계에서는 DPPM이 4배쯤 뛴다. "안정"으로 바꾸면 결함률이 줄고 SLT에서 찾은 불량을 ATE 패턴으로 옮겨 파이널 검출률이 오르므로 표본 SLT로도 목표를 맞춘다. ③ 웨이퍼 테스트를 끄면 테스트 비용은 줄지만 패키지 낭비가 개당 약 $0.30이 되고, 메모리·정적 결함을 파이널 테스트 한 번에만 기대게 되어 DPPM도 크게 뛴다. ④ 행렬의 칸을 누르면 검출 확률이 바뀐다. 번인을 켜면 초기 고장이 줄지만 개당 $0.5가 든다. (가정: 단계 간 독립, 결함 하나당 다이 하나, 비용: 웨이퍼 $0.08, 번인 $0.50, 파이널 뜨거움 $0.07·차가움 $0.08, SLT $0.07(표본 5%는 그 5%), 소모품 $0.03, 패키지 $2.)

KGD와 칩렛·HBM

다이 하나를 패키지 하나에 넣는 TB-7에서는 웨이퍼 테스트가 놓친 불량 다이가 패키지 값 $2를 버리게 할 뿐이다. 그런데 여러 다이를 한 패키지에 넣는 칩렛(Chiplet)·2.5D·3D 패키지에서는 사정이 완전히 달라진다. GPU 다이 옆에 HBM 스택 여러 개를 실리콘 인터포저 위에 나란히 붙인 패키지를 생각해 보자. HBM 스택 하나는 다시 DRAM 다이 8~12장과 베이스 다이를 TSV로 쌓은 것이다. 이 가운데 어느 하나라도 불량이면 패키지 전체가 불량이고, 대개 떼어 내 고칠 수 없다. 불량 다이 하나가 비싼 다이 여러 개와 비싼 패키지를 함께 버린다.

$$Y_{pkg} = \prod_{i=1}^{N}\bigl(1 - e_i\bigr)\,a_i,\qquad C_{good\ pkg} = \frac{\sum_i (c_{die,i} + c_{KGD,i}) + c_{pkg}}{Y_{pkg}}$$
\(e_i\): 다이 \(i\)가 웨이퍼 테스트를 통과했는데도 불량일 확률(KGD 유출), \(a_i\): 다이 하나를 붙이는 조립 수율, \(c_{KGD}\): 다이 하나에 더 쓰는 KGD 테스트 비용, \(c_{pkg}\): 인터포저·기판·조립 비용.

그래서 칩렛에 들어갈 다이에는 KGD(Known good die)라는 더 엄격한 기준을 적용한다. 패키지 단계에서 하던 실속도·고속 I/O 테스트를 웨이퍼에서 미리 하고(고성능 프로브 카드), 필요하면 웨이퍼 레벨 번인까지 한다. HBM은 쌓은 뒤에도 스택 단위로 다시 시험해 KGSD(Known good stacked die)로 내보낸다. 다이마다 칩렛 사이 연결을 시험하는 IEEE 1838(3D 테스트 접근)과 HBM 인터페이스의 리페어(여분 TSV·여분 채널)가 이를 돕는다. 패키징 쪽 이야기는 PackagingBook의 2.5D·3D 장을 보자.

패키지 기판 실리콘 인터포저 (TSV) GPU·SoC 로직 HBM (8단) HBM (8단) 베이스 다이 DRAM 다이 1장 불량 → 스택 전체 + 로직 다이 + 다른 스택 + 인터포저 를 함께 버린다 Y = Π(1−ei)·ai 다이 19장, e = 0.1% → 98.1%
KGD가 중요한 이유. 로직 다이 1개와 8단 HBM 스택 2개면 패키지 안에 다이가 19장(베이스 다이 포함) 들어간다. 다이마다 유출이 0.1%여도 패키지 수율은 약 98%로 떨어지고, 그 2%는 모든 다이 값과 인터포저 값을 함께 잃는다.
SIMULATOR

KGD와 칩렛 패키지 수율

현재 KGDKGD 테스트 강화불량 패키지
예시
패키지 수율—
양품 패키지당 원가—
강화 시 수율—
강화 시 원가—
판정—
해볼 것: ① "TB-7 단일"에서는 KGD 강화에 다이당 $0.3을 써도 이득이 없다. 불량 다이가 버리게 하는 것은 $2 패키지 하나뿐이기 때문이다. ② "로직 + HBM"을 누르면 다이 수가 커지고 패키지 값이 $300이 되어, 같은 강화 비용이 압도적으로 남는 장사가 된다. 그래프에서 다이 수가 늘수록 두 곡선이 벌어지는 것을 보자. ③ "패키지 100개 조립"을 누르면 몬테카를로로 100개를 만들어 불량 패키지와 그 원인 다이를 보여 준다. (가정: 다이 불량은 서로 독립, 불량 패키지는 수리 불가, KGD 강화는 유출을 1/10로 줄인다, 패키지 테스트는 불량을 모두 잡는다.)

SLT의 부상

10년 전만 해도 SLT는 일부 고급 제품의 선택 사항이었다. 지금은 모바일·PC·서버 SoC 대부분이 SLT를 거친다. 이유는 구조 테스트의 커버리지 숫자와 현장 불량 사이에 틈이 생겼기 때문이다. 고착 커버리지 99% 이상, 천이 90% 이상을 달성한 칩이 고객의 보드에서 OS 부팅에 실패하거나 특정 작업량에서만 오류를 낸다. 그 틈에 들어 있는 것은 이런 것들이다.

SLT는 실제 보드와 비슷한 시험 보드에 칩을 꽂고 OS를 부팅해 작업량을 돌린다. 장비는 단순하지만 시간이 길어(TB-7은 120 s) 슬롯 수백 개짜리 랙을 쓴다. 13장에서 계산했듯 슬롯당 시간당 $2라서 120초가 개당 $0.07이다. 약점은 진단이다. SLT 불량은 "부팅 실패" 같은 증상만 남기므로, 불량품을 ATE로 되돌려 셔무·스캔 진단으로 원인을 찾고, 그 결과를 ATE 패턴으로 옮긴다. 이렇게 SLT가 찾은 것을 파이널 테스트가 잡게 되면 SLT 불량률이 떨어지고, 그때 SLT를 전수에서 표본으로 바꾼다. TB-7 계획의 "초기엔 전수, 안정 후 표본"이 이 순환이다.

표본 SLT는 거르지 않는다

SLT를 5% 표본으로 돌리면 남은 95%의 불량은 그대로 나간다. 표본 SLT의 목적은 거르기가 아니라 감시다. 표본의 불량률이 올라가면(새 결함 메커니즘, 공정 변동) 곧바로 전수로 되돌린다. 표본 SLT로 바꿀 수 있는 조건은 앞 단계만으로 품질 목표를 맞출 만큼 파이널 테스트가 보강되었을 때다.

현장 고장, SDC와 인필드 테스트

출하 뒤에도 고장은 생긴다. 출하 시 이미 있던 결함이 늦게 드러나기도 하고(유출), 사용 중에 새로 생기기도 한다(마모, 일렉트로마이그레이션, 산화막 열화). 이 가운데 가장 골치 아픈 것이 조용한 데이터 손상(Silent data corruption, SDC)이다. 칩이 멈추거나 오류를 알리지 않고 틀린 계산 결과를 정상처럼 내놓는 것이다. 대규모 데이터센터를 운영하는 회사들이 공개한 보고에 따르면, 서버 수천 대에 한 대꼴로 특정 명령이나 특정 데이터에서만 틀린 답을 내는 코어가 있었다. 이런 코어는 출하 테스트를 모두 통과했고, 같은 작업을 다시 돌리면 대개 맞는 답을 낸다.

SDC가 어려운 이유는 세 가지다. 첫째, 결함이 특정 명령·데이터 패턴·전압·온도·주파수 조합에서만 드러난다. 둘째, 오류 정정(ECC)이 보호하는 메모리가 아니라 연산 장치 안에서 생기므로 탐지 장치가 없다. 셋째, 수백만 코어 중 소수라서 개별 칩 테스트의 확률로는 잡히지 않지만, 함대(Fleet) 전체로는 매일 어딘가에서 일어난다. 대응은 두 방향이다. 출하 전에는 SLT와 다양한 전압·주파수 조건의 기능 테스트를 늘리고, 출하 후에는 인필드 테스트(In-field test)로 주기적으로 코어를 검사해 의심스러운 코어를 격리한다.

시간(일·주) → 전원 ON LBISTMBIST 주기적 인필드 테스트 간격 T 결함 발현 SDC 노출 구간 (틀린 결과) 검출 → 코어 격리 노출 시간 ≈ T/2 + T(1−p)/p (p: 한 번의 테스트가 잡을 확률) 자동차: ISO 26262 — 진단 테스트 간격 < 고장 허용 시간
인필드 테스트와 노출 시간. 전원을 켤 때 LBIST·MBIST가 돌고, 운영 중에는 코어를 잠시 작업에서 빼 주기적으로 스캔·기능 테스트를 돌린다. 결함이 생긴 뒤 검출까지의 노출 시간은 테스트 간격 T와 한 번의 검출 확률 p로 정해진다.

인필드 테스트의 도구는 이 책에서 이미 본 것들이다. 7장의 LBIST는 테스터 없이 칩 안에서 의사 난수 패턴을 만들고 서명을 비교하므로 전원을 켤 때 돌리기 좋다. 6장의 스캔 패턴을 칩 안의 메모리에 압축해 넣고 운영 중에 코어 하나씩 꺼내 돌리는 방식도 쓰인다. 자동차 전장품은 ISO 26262 기능 안전 표준이 요구하는 진단 커버리지를 맞추기 위해 이런 테스트를 정해진 주기로 돌린다. 핵심 지표는 결함이 생긴 뒤 안전 상태로 가기까지의 시간이 시스템의 고장 허용 시간보다 짧아야 한다는 것이다. 8장의 IJTAG 네트워크가 현장에서도 BIST를 부르고 결과를 읽는 통로가 된다.

SIMULATOR

SDC 확률과 인필드 테스트 주기

검출 안 된 결함 코어격리된 코어인필드 테스트
1년간 생기는 결함 코어—
평균 미검출 코어—
연간 조용한 오류 (추정)—
테스트 용량 부담—
해볼 것: ① 기본값(백만 코어당 10개, 서버 10만 대 × 96코어)이면 함대에 결함 코어가 약 100개 생긴다. 서버 1,000대에서는 거의 0이라 '없는 문제'처럼 보인다는 데 주목하자. ② 간격을 30일에서 7일로 줄이면 미검출 코어와 오류 수가 줄지만 용량 부담이 4배가 된다. ③ 검출 확률 p를 30%로 낮추면 간격을 줄이는 것보다 테스트 내용(커버리지)을 개선하는 쪽이 낫다는 것을 볼 수 있다. (가정: 결함 코어의 절반은 출하 때부터 있고 절반은 1년 동안 고르게 생긴다, 결함 코어 하나가 하루 평균 0.2번 틀린 결과를 낸다, 인필드 테스트 한 번은 코어당 5분. 개념 모델이며 공개 보고의 크기만 흉내 냈다.)

테스트 데이터: STDF

테스터는 결과를 판정만 하고 끝내지 않는다. 모든 측정값과 판정을 파일로 남긴다. 업계 표준 형식이 STDF(Standard Test Data Format, V4)다. 장비 회사가 달라도 같은 형식으로 쓰므로, 수율 관리 시스템이 여러 테스터의 데이터를 한곳에 모을 수 있다. STDF는 이진 파일이며 레코드의 연속이다. 레코드마다 길이(REC_LEN, 2바이트)와 종류(REC_TYP·REC_SUB, 각 1바이트)로 된 머리말이 붙고, 그 뒤에 정해진 순서의 필드가 온다. 필드 형식은 U*1·U*2·U*4(부호 없는 정수), I*2(부호 있는 정수), R*4(실수), C*n(길이가 앞에 붙은 문자열), B*1(비트 필드) 등이다.

STDF 파일 한 개 = 로트 한 개(또는 웨이퍼 한 장)의 레코드 흐름 FAR MIR SDR WIR 파일·로트·사이트·웨이퍼 시작 터치다운마다 반복 (4사이트) PIR×4 PTR PTR FTR FTR PTR PRR×4 부품 시작 → 측정값(PTR)·기능 결과(FTR) → 부품 결과(빈·좌표) 사이트별 레코드가 섞여 나오고, SITE_NUM으로 구분한다 WRR TSR HBR SBR PCR MRR 요약·끝 레코드 = [REC_LEN U*2][REC_TYP U*1][REC_SUB U*1][필드 …] PTR = 15/10 · FTR = 15/20 · PIR = 5/10 · PRR = 5/20 · MIR = 1/10 · WIR = 2/10
STDF의 뼈대. 파일 머리(FAR·MIR·SDR) 뒤에 웨이퍼 시작(WIR)이 오고, 터치다운마다 부품 시작(PIR) → 측정 레코드 → 부품 결과(PRR)가 반복된다. 끝에는 웨이퍼 결과(WRR), 항목별 요약(TSR), 빈 요약(HBR·SBR), 부품 수(PCR), 파일 끝(MRR)이 온다.
레코드유형/부유형뜻핵심 필드
FAR0/10파일 속성CPU_TYPE(바이트 순서), STDF_VER = 4
MIR1/10마스터 정보: 로트·제품·장비·프로그램LOT_ID, PART_TYP, TSTR_TYP, JOB_NAM, JOB_REV, START_T
SDR1/80사이트 묘사: 프로브 카드·로드보드SITE_CNT, SITE_NUM[], CARD_ID, LOAD_ID
WIR / WRR2/10 · 2/20웨이퍼 시작·결과WAFER_ID, PART_CNT, GOOD_CNT, FINISH_T
PIR / PRR5/10 · 5/20부품 시작·결과SITE_NUM, HARD_BIN, SOFT_BIN, X_COORD, Y_COORD, TEST_T, PART_FLG
PTR15/10파라메트릭 측정 하나TEST_NUM, RESULT(R*4), LO_LIMIT, HI_LIMIT, UNITS, TEST_FLG
FTR15/20기능(패턴) 테스트 결과TEST_NUM, CYCL_CNT, NUM_FAIL, VECT_NAM, 실패 핀
TSR10/30항목별 요약EXEC_CNT, FAIL_CNT, TEST_TIM, TST_SUMS, TST_SQRS
HBR / SBR1/40 · 1/50하드·소프트 빈 요약HBIN_NUM, HBIN_CNT, HBIN_PF, HBIN_NAM
PCR / MRR1/30 · 1/20부품 수 요약 · 파일 끝PART_CNT, GOOD_CNT · FINISH_T, DISP_COD

12장의 빈 맵은 PRR의 X_COORD·Y_COORD·HARD_BIN을 웨이퍼 좌표에 찍은 것이고, 10장의 Vmin 분포나 4장의 IDDQ 분포는 PTR의 RESULT를 TEST_NUM별로 모은 것이다. 파일 하나가 웨이퍼 한 장이면 수 MB, 측정값을 모두 기록하는 특성 평가 모드에서는 수백 MB가 된다. 연간 1,000만 개 TB-7이면 웨이퍼 약 1.6만 장이라 웨이퍼 테스트 데이터만 해마다 수십 TB가 쌓인다. 그래서 양산에서는 기록할 측정값을 고르고, 실시간 분석이 필요한 값은 스트리밍 방식으로 보낸다.

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STDF 레코드 탐색기

왼쪽 목록에서 레코드를 누르면 필드가 여기에 나온다.
레코드 수—
파일 크기 (추정)—
테스트한 다이—
수율—
해볼 것: ① "재생"을 누르면 레코드가 쌓이며 오른쪽 웨이퍼 맵과 빈 요약이 PRR을 읽을 때마다 채워진다. ② PIR 네 개가 먼저 나오고 측정 레코드가 사이트 번호를 바꿔 가며 섞이는 것을 보자. 불량 사이트는 다음 항목부터 레코드가 없다(stop-on-fail). ③ 맨 끝까지 가면 HBR·SBR·TSR 요약 레코드가 생긴다. HBR의 개수가 맵의 빈 개수와 같은지 확인하자. ④ "continue on fail"을 켜고 다시 시작하면 레코드 수와 파일 크기가 얼마나 늘어나는지 보자. (가정: 교육용 작은 웨이퍼(다이 30 mm), 4사이트, 항목 5개, 필드 값은 그럴듯한 합성값이다. 실제 TB-7 웨이퍼는 780다이에 측정 레코드가 다이당 수백~수천 개다.)

데이터 분석과 수율 고리, RMA

테스트 데이터는 세 갈래의 고리로 돌아간다. 가장 큰 고리는 수율 고리다. 웨이퍼 테스트의 빈 맵과 파라메트릭 맵이 수율 관리 시스템(YMS)에 들어가 공정 이력, 인라인 결함 검사, 장비 로그와 합쳐진다. 맵의 무늬(가장자리 고리, 중심, 긁힘, 샷 반복)를 분류하고 공통 장비를 찾아 원인을 좁힌 뒤 공정을 고친다. 이 과정은 YieldBook의 주제다. 두 번째는 테스트 고리다. 파이널 테스트와 SLT, 현장에서 나온 불량을 분석해 앞 단계의 테스트를 보강한다. 세 번째는 양산 제어 고리다. PAT 한계를 로트마다 다시 계산하고(12장), 적응형 테스트 규칙을 갱신하며(13장), 접촉 저항 추이로 클리닝 주기를 정한다(3장).

팹 공정장비·레시피 웨이퍼 테스트빈·파라 맵 FT · SLTECID로 추적 고객 · 현장반환품(RMA) ① 수율 고리 (YMS → 공정 수정) ② 테스트 보강 (SLT 불량 → ATE 패턴) ③ RMA 분석 → 유출 원인 → 테스트 한계·패턴 PAT·적응형 규칙 갱신
테스트 데이터의 세 고리. 빈 맵은 공정으로(①), 뒤 단계의 불량은 앞 단계의 테스트로(②), 고객의 반환품은 유출 원인 분석을 거쳐 테스트 한계와 패턴으로(③) 돌아간다. 고리가 빨리 돌수록 손실이 작다.

고리의 가치를 정하는 것은 속도다. 공정 문제로 수율이 5%p 떨어졌다면, 그것을 알아채고 고치기까지 걸린 주(週)마다 웨이퍼 수백 장 분의 다이를 잃는다. 데이터가 하루에 한 번 묶음으로 올라오고 사람이 맵을 넘겨 보며 무늬를 찾는다면 몇 주가 걸리고, 테스트가 끝나는 즉시 맵이 분류되어 경보가 울린다면 며칠이면 된다. 아래 시뮬레이터에서 무늬를 직접 분류해 보자.

GAME

수율 고리: 무늬를 읽고 원인을 고쳐라

이 무늬는? (맞히면 원인 공정으로 간다)
무늬로 잃는 수율—
수정까지—
잃은 양품 다이—
잃은 금액 (다이 $3 기준)—
분석 결과맵을 보고 오른쪽 아래에서 무늬를 골라 보자.
해볼 것: ① 무늬를 맞히면 원인 공정과 조치가 나오고, 아래 시간선에 수율 회복이 그려진다. 틀리면 엉뚱한 공정을 조사하느라 2주가 더 걸린다. ② 데이터 고리 지연을 28일에서 1일로 줄여 잃는 다이 수를 비교하자. ③ 자동 분류를 켜면 지연이 줄고 분석 기간이 짧아진다. 수율 관리 시스템에 돈을 쓰는 이유가 숫자로 보인다. (가정: TB-7 웨이퍼 주당 300장, 다이 780개, 기본 수율 85%, 문제는 0주에 생긴다, 분석 2주(자동 분류 시 1주), 수정·검증 1주, 수정 뒤 수율은 기본값으로 돌아간다.)

마지막 고리가 RMA(Return material authorization) 분석이다. 고객이 불량을 반환하면 먼저 ECID로 그 칩의 웨이퍼·로트·좌표와 모든 단계의 테스트 기록을 찾는다. 그리고 ATE에서 다시 시험해 증상을 재현한다. 결과는 세 가지 가운데 하나다. 재현되지 않음(NTF, no trouble found)이면 보드·소프트웨어 문제이거나 간헐 결함이다. 재현되고 현재 테스트로 잡힘이면 출하 당시 테스트를 통과한 뒤 생긴 고장(신뢰성)이거나 테스트 한계·장비 문제다. 재현되지만 현재 테스트로 안 잡힘이면 진짜 테스트 구멍이다. 이때 진단(스캔 진단, 물리 분석)으로 결함 위치를 찾고, 그 결함을 잡는 패턴이나 한계를 추가한 뒤, 같은 웨이퍼·로트의 이웃 다이에 위험이 있는지 판단한다. 12장의 GDBN과 PAT의 상당수가 이런 RMA 분석에서 태어났다.

데이터가 흐름을 바꾼다

현대 테스트 흐름은 고정된 순서표가 아니다. 앞 단계의 데이터가 뒤 단계의 테스트를 바꾼다(피드포워드). 웨이퍼 테스트에서 Vmin이 경계에 있던 다이는 파이널 테스트에서 추가 항목을 받고, 이웃이 나쁜 다이는 SLT 전수 대상이 되며, 좋은 웨이퍼는 비싼 항목을 건너뛴다. 이것이 가능하려면 ECID로 모든 단계의 데이터를 하나로 묶고, STDF가 실시간에 가깝게 분석 시스템으로 흘러야 한다.

TB-7 테스트 계획

TB-7 TEST PLAN테스트 계획서 · 14장

최종 흐름: 웨이퍼 → 조립 → 파이널 → SLT → 출하

웨이퍼 테스트(4사이트, 터치다운당 4 s): 연속성·DC → 스캔(고착·천이) → MBIST와 리페어 → IDDQ·Vmin. 수율 85%, 빈 맵과 ECID를 남긴다. 조립(플립칩 CSP) 뒤 파이널 테스트(8사이트, 뜨거움 한 번, 삽입당 8 s): 패키지 연속성 → 실속도 스캔·기능 → SerDes·LPDDR5X·ADC(혼성 신호) → 속도 등급 빈 A/B/C, 같은 삽입에서 HVST. 수율 97%. SLT(슬롯, 120 s): OS 부팅과 실사용 작업량, DVFS 전환. 양산 초기에는 전수로 돌려 흐름 빌더 기준 약 49 DPPM을 맞추고, SLT 불량을 ATE 패턴으로 옮겨 파이널 검출률이 오른 안정 단계에서는 5% 표본으로 바꿔 감시만 한다(약 45 DPPM, 개당 테스트 비용 약 $0.19). 전수 번인은 하지 않는다(11장). 차가운 쪽 위험은 Vmin 가드밴드와 SLT로 덮는다.

모든 단계의 STDF를 ECID로 묶어 YMS로 보내 YieldBook의 수율 분석 고리를 돌린다. 데이터 지연 목표는 1일 이내(자동 무늬 분류). 현장에서는 전원을 켤 때 LBIST·MBIST가 돈다. RMA는 ECID로 이력을 찾아 재현 → 진단 → 패턴·한계 보강 순서로 처리한다.

이 장의 결정WS(DC·스캔·MBIST·리페어) → 조립 → FT 뜨거움(실속도·혼성 신호·속도 등급·HVST) → SLT(초기 전수, 안정 후 5% 표본) → 출하
근거 숫자누적 수율 약 81.6%, 출하 약 49 DPPM(목표 50), 개당 테스트 비용 약 $0.25, 데이터 지연 1일
남은 문제커버리지·번인·가드밴드·사이트 수를 한꺼번에 바꾸면 세 목표가 동시에 맞는가? 15장 실험실에서 직접 짜 본다.

핵심 정리

  1. 단계는 "가장 싸게 잡는 곳, 거기서만 보이는 곳, 가장 싼 장비"를 기준으로 나눈다. 웨이퍼 테스트는 패키지 값을 지키고 공정에 맵을 돌려주며, 파이널 테스트는 패키지·실속도·혼성 신호·속도 등급을, SLT는 실사용 시나리오를 맡는다.
  2. 온도 삽입 하나는 거의 한 단계만큼 비용이 든다. 뜨거움은 저항성·누설 결함을, 차가움은 온도 역전 지연과 기계적 균열을 드러낸다. 자동차는 세 온도, 모바일은 대개 한 온도다.
  3. 누적 수율은 단계 수율의 곱이고, 출하 DPPM은 결함 종류마다 \(p_c\prod_s(1-d_{c,s})\)의 합이다. 단계 간 상관이 있으면 실제 유출은 독립 가정보다 크다.
  4. 칩렛·HBM 패키지의 수율은 \(\prod(1-e_i)a_i\)다. 다이 수가 많고 패키지가 비쌀수록 KGD 테스트 강화가 남는 장사가 된다.
  5. SLT는 구조 테스트가 놓치는 결함(폴트 모델 밖, 전원 잡음, 상태 전환)을 잡는다. SLT 불량을 ATE 패턴으로 옮겨 앞 단계를 보강하면 SLT를 표본 감시로 바꿀 수 있다. 표본 SLT는 거르지 않는다.
  6. SDC는 틀린 결과를 조용히 내는 코어 결함으로, 함대 규모에서만 보인다. 인필드 테스트(전원 켤 때 LBIST, 주기적 스캔)의 노출 시간은 간격 T와 검출 확률 p로 정해진다.
  7. STDF는 FAR·MIR·SDR·WIR → (PIR → PTR·FTR → PRR) 반복 → WRR·TSR·HBR·SBR·PCR·MRR의 레코드 흐름이다. ECID로 묶인 데이터가 수율 고리·테스트 보강·RMA 분석으로 빨리 돌아갈수록 손실이 작다.

확인 퀴즈

1. 웨이퍼 테스트를 줄여도 파이널 테스트가 같은 불량을 잡는다면 출하 DPPM은 거의 그대로다. 그래도 웨이퍼 테스트를 유지하는 가장 큰 이유는?

웨이퍼 테스트의 가치는 품질보다 비용(패키지 낭비 방지)과 정보(웨이퍼 좌표가 있는 빈 맵)에 있다. 흐름 빌더에서 웨이퍼 테스트를 끄면 아낀 테스트 비용 $0.08보다 훨씬 큰 약 $0.30의 패키지 낭비가 생긴다. 시간당 원가는 두 단계가 비슷하다(13장).

2. 로직 다이 1개와 다른 다이 11개를 한 패키지에 넣는다. 다이마다 KGD 유출이 0.2%이고 조립 수율이 다이당 99.9%일 때 패키지 수율은 대략?

\((0.998\times0.999)^{12} = 0.997^{12} \approx 0.9646\). 다이 하나하나는 99.7%로 좋아 보여도 12개를 곱하면 3.5%를 잃고, 그 3.5%는 패키지 안의 모든 다이와 인터포저 값을 함께 버린다.

3. SLT를 전수에서 5% 표본으로 바꾸려 한다. 옳은 설명은?

표본 5%는 나머지 95%의 불량을 그대로 내보낸다. 그래서 파이널 테스트가 보강되고 결함률이 줄어든 안정 단계에서만 바꾸며, 표본의 불량률은 새 결함 메커니즘을 알리는 경보로 쓴다.

4. STDF 파일에서 웨이퍼 맵을 그리려면 어느 레코드의 어떤 필드를 읽어야 하는가?

부품 결과 레코드 PRR에 다이 좌표와 빈이 함께 들어 있다. HBR은 빈별 개수만 요약하므로 위치를 알 수 없고, PTR은 측정값 하나다. PTR의 RESULT를 PRR 좌표와 짝지으면 파라메트릭 맵이 된다.