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EtchBook에 나오는 용어 94개입니다. 번호는 장·절이고, 누르면 그 절의 해당 문장으로 갑니다. 굵은 번호는 용어를 설명하는 곳입니다. 정의는 용어집에 있습니다.
94개
ㄱ
- 건식 식각 Dry etching 01·2, 01·3, 02·6
- 고종횡비 식각 High-aspect-ratio etching HAR 07·7, 08·2, 11·5, 12·6, 16·3, 16·9
- 공정 제어 Advanced process control APC 14·7, 14·8
- 과식각 Over-etch OE 01·4, 01·6, 01·7, 02·1, 02·4, 04·7, 05·3, 06·4, 07·5, 07·8
- 균일도 Uniformity 01·4, 01·7, 02·2, 05·4, 05·6, 05·7, 08·6, 08·7, 10·7, 12·6
- 극저온 식각 Cryogenic etching 05·6, 09·4, 13·1, 16·8
ㄴ
ㄷ
ㄹ
- 라디칼 Radical 01·2, 01·3, 01·5, 01·6, 02·8, 03·1, 03·2, 03·3, 03·5, 03·8
외 50곳
, 03·9, 04·6, 05·1, 05·2, 05·3, 05·4, 05·6, 05·7, 06·1, 06·2, 06·3, 06·6, 06·7, 06·8, 07·1, 07·2, 07·3, 07·4, 07·5, 07·6, 07·8, 08·2, 09·1, 09·3, 09·4, 10·1, 10·2, 10·3, 10·4, 10·5, 10·7, 11·2, 11·6, 12·3, 12·6, 13·1, 13·2, 13·3, 13·4, 14·7, 15·1, 15·4, 15·5, 15·7, 16·2, 16·3, 16·8, 16·9, 17·1, 17·2 - 레이저 간섭계 Laser interferometry 14·1
- 로딩 Loading effect 10·5
ㅁ
- 마스크 Mask 01·1, 01·2, 01·3, 01·4, 01·6, 01·7, 02·1, 02·4, 02·5, 02·6
외 62곳
, 02·7, 02·8, 04·5, 04·7, 05·1, 05·2, 05·5, 05·7, 06·5, 06·6, 06·7, 06·8, 07·1, 07·3, 07·5, 07·7, 07·8, 08·1, 08·2, 08·3, 08·4, 08·5, 08·6, 08·7, 09·1, 09·2, 09·3, 09·4, 09·5, 09·6, 09·7, 10·1, 10·5, 10·6, 10·7, 11·1, 11·2, 11·3, 11·5, 11·6, 11·7, 13·2, 13·3, 13·6, 13·7, 14·1, 14·2, 14·4, 14·6, 14·8, 16·1, 16·2, 16·3, 16·4, 16·5, 16·6, 16·8, 16·9, 16·10, 17·1, 17·2, 17·4 - 마이크로트렌치 Microtrench 01·7, 07·5, 07·8, 09·1, 11·7, 12·1, 12·3, 12·6, 12·7, 17·2, 17·4
- 문턱 에너지 Threshold energy Eth 03·3, 05·2, 06·4
- 물리 스퍼터링 Physical sputtering 06·1
ㅂ
- 반응 제한 Reaction-limited 02·2, 02·3
- 반응성 이온 식각 Reactive ion etching RIE 01·3, 01·4, 04·4, 04·5, 05·1, 05·2, 05·7, 07·1, 07·3, 07·4
- 발광 Optical emission 03·7, 13·8, 14·1, 14·2
- 발광 분광 Optical emission spectroscopy OES 03·7, 14·1, 14·2, 14·3, 14·4, 14·5, 14·7
- 배럴 반응기 Barrel reactor 05·1
- 보잉 Bowing 01·7, 04·7, 04·8, 07·5, 07·7, 07·8, 08·3, 09·1, 09·2, 09·5
- 봄 기준 Bohm criterion 04·2
- 부유 전위 Floating potential 04·1, 04·4
- 불산 / 완충 불산 HF / Buffered oxide etch BOE 01·2, 02·1, 02·3, 02·4, 07·7
- 불화탄소 고분자 Fluorocarbon polymer CFx 05·3, 05·6, 05·7, 06·8, 07·1, 07·8, 08·4, 08·7, 13·4, 14·7, 15·5
- 붙을 확률 Sticking coefficient s 03·3, 06·3, 06·7, 10·2, 10·4, 10·7, 15·1, 16·3, 16·9, 17·1, 17·2
- 비정질 탄소막 Amorphous carbon layer ACL 08
ㅅ
- 선택비 Selectivity 01·2, 01·3, 01·4, 01·5, 01·6, 01·7, 02·4, 02·6, 02·7, 02·8
- 소스 전력과 바이어스 전력 Source power / bias power 05
- 습식 식각 Wet etching 01·2, 02·4, 02·5
- 시스 Sheath 01·2, 03·1, 03·4, 03·5, 03·6, 03·8, 03·9, 04·1, 04·2, 04·3
- 시즈닝 Chamber seasoning 14·7, 14·8
- 식각 Etching 01·1, 01·2, 01·3, 01·4, 01·5, 01·6, 01·7, 02·1, 02·2, 02·3
외 97곳
, 02·4, 02·5, 02·6, 02·8, 03·1, 03·2, 03·5, 03·6, 03·7, 04·3, 04·4, 04·5, 04·6, 04·7, 05·1, 05·2, 05·3, 05·4, 05·6, 05·7, 06·1, 06·2, 06·3, 06·4, 06·5, 06·6, 06·8, 07·1, 07·3, 07·4, 07·5, 07·6, 07·7, 07·8, 08·1, 08·2, 08·4, 08·5, 08·6, 08·7, 09·1, 09·2, 09·3, 09·4, 09·5, 09·6, 09·7, 10·1, 10·2, 10·3, 10·4, 10·5, 10·6, 10·7, 11·2, 11·3, 11·5, 11·6, 11·7, 12·1, 12·4, 12·5, 12·6, 12·7, 13·1, 13·2, 13·3, 13·4, 13·5, 13·6, 13·7, 13·8, 14·1, 14·2, 14·3, 14·4, 14·5, 14·6, 14·7, 14·8, 15·1, 15·2, 15·3, 15·4, 15·6, 15·7, 16·1, 16·2, 16·3, 16·4, 16·5, 16·7, 16·8, 16·9, 17·1, 17·2, 17·4 - 식각 속도 Etch rate ER 01·2, 01·4, 02·1, 02·2, 02·3, 03·6, 05·2, 05·3, 05·4, 06·2
- 식각 후 검사 After-etch inspection AEI 14
ㅇ
- 애싱 Ashing / stripping 05·1, 05·3, 07·3, 13·7, 13·8
- 언더컷 Undercut 01·4, 01·7, 02·1, 02·4, 02·5, 02·8, 06·3, 06·6, 07·3, 07·4
- 역 RIE 지연 Inverse RIE lag 10·4, 10·5
- 역테이퍼 Re-entrant (negative) taper 09·1, 09·2, 11·1
- 열적 ALE Thermal ALE 15·5
- 원자층 식각 Atomic layer etching ALE 01·5, 06·4, 10·4, 13·5, 15·1, 15·2, 15·3, 15·4, 15·5, 15·6, 15·7
- 유도 결합 플라스마 Inductively coupled plasma ICP / TCP 03·6, 04·5, 04·8, 05·1, 05·2, 05·3, 05·4, 05·7, 07·7
- 이방성 Anisotropic 01·4, 01·5, 01·7, 04·3, 05·1, 06·1, 06·3, 07·1, 07·2, 07·3
- 이방성 습식 식각 Anisotropic wet etching (KOH / TMAH) 02
- 이온 각도 분포 Ion angular distribution IAD / IADF 04·6, 11·6
- 이온 강화 식각 Ion-enhanced etching 04·4, 06·1, 06·4, 06·5, 06·6, 06·8, 07·3, 07·7, 08·6, 10·3
- 이온 그림자 Ion shadowing 10·3, 10·5, 10·7
- 이온 에너지 분포 Ion energy distribution IED / IEDF 04·5, 04·8, 11·4, 12·6
- 이온-라디칼 시너지 Ion-neutral synergy 05·7, 06·2, 07·1
- 이온화 Ionization 03·1, 03·2, 03·3, 03·6, 03·8, 03·9
- 인산 식각 Hot phosphoric acid etch 02
ㅈ
- 자기 바이어스 Self-bias DC bias 04·4, 04·8, 05·1, 07·7
- 자기 제한 Self-limiting 14·8, 15·1, 15·2, 15·4, 15·5
- 자발 식각 Spontaneous (chemical) etching 05·6, 06·3, 06·6, 06·8, 07·3, 07·4, 09·1, 09·4, 09·7, 13·2
- 전자 그늘 Electron shading 04·7, 11·4, 12·4, 16·7
- 전자 온도 Electron temperature Te 03·1, 03·2, 03·3, 03·4, 03·6, 03·7, 03·8, 03·9, 04·1, 04·2
- 정전 척 Electrostatic chuck ESC 05·6, 05·7, 09·4, 14·5
- 정지막 Etch stop layer ESL 01·6, 01·7, 02·7, 04·5, 04·7, 04·8, 05·5, 05·7, 06·4, 07·5
- 종말점 Endpoint EP 01·6, 03·7, 07·1, 10·5, 12·7, 14·1, 14·2, 14·3, 14·6, 14·7, 14·8, 16·9
- 종횡비 Aspect ratio AR 01·6, 01·7, 02·7, 04·5, 04·8, 05·1, 07·2, 07·5, 07·6, 07·7
- 주 식각 Main etch ME 02·8, 04·7, 05·3, 06·4, 08·6, 10·6, 12·1, 13·5, 13·6, 13·7
- 주기당 식각량 Etch per cycle EPC 15·1, 15·2, 15·3, 15·4, 15·5, 15·7
- 준-ALE Quasi-ALE 15·5
ㅊ
- 채널 홀 Channel hole 01·6, 10·2, 11·5, 15·7, 16·1, 16·8, 16·10
- 체류 시간 Residence time 05, 10·5
- 축전 결합 플라스마 Capacitively coupled plasma CCP 03·6, 04·5, 04·8, 05·1, 05·2, 05·3, 05·7, 07·7
- 측벽 각 Sidewall angle 01·2, 01·3, 01·4, 01·6, 01·7, 05·1, 05·6, 06·7, 07·4, 07·5
- 측벽 보호막 Sidewall passivation 01·3, 04·7, 05·3, 05·6, 06·6, 06·8, 07, 09·1, 09·3, 13·3
ㅋ
ㅌ
ㅍ
- 패싯 Facet 01·3, 06·5, 06·8, 07·7, 08·2, 08·3, 08·7, 09·1, 10·7, 11·1
- 펄스 플라스마 Pulsed plasma 04·7, 11·4, 11·6, 12·6, 16·9
- 평균 자유 행로 Mean free path 03·5, 03·8, 04·2, 04·3, 05·3, 10·2
- 포커스 링 Focus ring / edge ring 05·5, 05·7, 11·5, 11·6, 14·5
- 풋팅 Footing 09·1
- 프로파일 Etch profile 01·4, 01·6, 07·1, 09·1, 09·2, 09·3, 09·4, 09·5, 09·6, 09·7
- 플라스마 Plasma 01·2, 01·3, 01·4, 01·6, 02·1, 02·6, 02·7, 02·8, 03·1, 03·2
- 플라스마 손상 Plasma-induced damage PID 12
ㅎ
A
C
F
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