Interactive Power Semiconductor Textbook

전기를 다루는
반도체

발전소에서 나온 전기가 배터리에 들어가고, 모터를 돌리고, 서버 칩에 닿기까지 몇 번씩 전압과 주파수를 바꾼다. 그 일을 하는 것이 초당 수만 번 켜고 끄는 반도체 스위치다. 이 책은 재료와 구조(Si·SiC·GaN, 드리프트층, 셀)가 스위치의 성능(항복 전압·온저항·스위칭 에너지)을 어떻게 정하고, 그것이 다시 시스템(효율·온도·크기·수명)을 어떻게 정하는지 계산한다. 가상 기준 플랫폼 PW-800의 800 V 전기차 인버터를 직접 스위칭해 보며 배우는 전력 반도체 교과서다.

18개 장시뮬레이터 140개3D 소자·모듈 모델가상 기준 플랫폼 PW-800공대 학부 · 신입 엔지니어
드래그해서 돌려 보세요 · DC 링크에서 나온 전류가 SiC 모듈을 지나 모터로 가고, 손실은 열이 되어 냉각판으로 빠집니다

손잡이 두 개로 인버터 손실을 재 보자

한 문장으로: 스위칭 주파수를 올리면 SiC는 버티고 IGBT는 무너진다. PW-800 트랙션 인버터(800 V, 역률 0.9, 변조 지수 0.9, 접합 약 150 °C)의 소자 손실을 전도·스위칭으로 나눠 계산했다. 전류를 올리면 전도 손실이 제곱으로, 주파수를 올리면 스위칭 손실이 비례해서 는다(10·13장).

상전류 스위칭 주파수

SiC MOSFETSi IGBT + 다이오드스위칭 손실

이 책의 지도

재료와 항복의 물리에서 출발해, 그 위에 세운 소자들을 비교하고, 스위치를 켜고 끄는 법과 회로를 배운 뒤, 열·패키징·신뢰성으로 시스템을 완성한다.

재료와 항복 Ch.01 전력 반도체의 지도Ch.02 밴드갭·임계 전계Ch.03 항복·드리프트층Ch.04 에지 종단 BFOM = εμE_c³R_on,sp ∝ BV²·⁵∫α dx = 1 실리콘 소자 05 PiN·쇼트키 · 06 MOSFET (3D) 07 IGBT·사이리스터 와이드 밴드갭 08 SiC MOSFET 09 GaN HEMT (3D) 켜고 끄기, 바꾸기 10 스위칭 손실 · 11 게이트 구동 12 DC-DC·PFC · 13 인버터 PWM 열과 수명 14 열 설계 · 15 모듈 (3D) 16 신뢰성과 수명 세 가지 트레이드오프 항복 전압 ↔ 온저항재료·도핑·두께전도 ↔ 스위칭 손실면적·주파수·R_G속도 ↔ 오버슈트·EMIL_σ·dv/dt·패키지 → 효율 · 온도 · 크기 · 수명 응용 Ch.17 전기차·데이터센터·충전기Ch.18 용어집 &종합 퀴즈 기술 선택 지도시스템 비용다음 세대 소자
그림 0-1. PowerBook의 지도. 왼쪽 장들이 재료와 항복의 언어를 주고, 가운데 장들이 그 위에 세운 소자와 스위칭·회로, 열·수명을 다룬다. 오른쪽 열은 책 전체를 꿰는 세 가지 트레이드오프이고, 17장은 그 답으로 실제 응용에서 Si·SiC·GaN을 고른다.

숫자로 보는 PW-800

이 책 전체가 예로 드는 가상의 전력 변환 플랫폼이다(교육용 가정, 특정 제품이 아니다). 책을 끝내면 이 숫자들이 왜 이 크기인지 계산할 수 있다.

2.0 mΩ트랙션 인버터 SiC 스위치 하나의 온저항(25 °C). 16 mΩ 다이 8개를 병렬로 묶었다
~10 µm1200 V SiC 다이의 드리프트층 두께. 같은 내압의 실리콘이라면 100 µm가 넘는다
~99 %SiC 인버터의 피크 효율. 150 kW에서 손실은 1 kW 남짓, 같은 일을 하는 IGBT는 그 두세 배다
15 nH정류 루프 인덕턴스. 10 A/ns로 끄면 150 V가 800 V 위에 얹힌다
0.12 K/W스위치 하나의 접합-냉각수 열저항. 200 W를 내면 접합은 냉각수보다 24 K 뜨겁다
10⁶ 사이클ΔTj = 60 K 파워 사이클링 수명 목표. 은 소결과 구리 와이어가 이 숫자를 만든다

전체 장

순서대로 읽어도 좋고, 맡은 일부터 골라 읽어도 된다. 각 장은 개념 → 그림 → 수식 → 시뮬레이터 → PW-800 수치 → 퀴즈 순서다.

추천 학습 경로

직무나 관심사에 따라 이렇게 읽어 보자.

입문 · 전체 그림

전력 반도체가 처음이라면. 재료, 항복, 대표 소자, 그리고 손실.

소자 · 공정 엔지니어

드리프트층과 종단, 셀 구조, SiC 계면과 GaN 에피.

회로 · 전력전자 엔지니어

스위칭 파형과 게이트 드라이버, 컨버터와 인버터 설계.

패키징 · 신뢰성 엔지니어

열 경로와 모듈 구조, 파워 사이클링과 수명 모델.

시스템 · 기획

사양에서 Si·SiC·GaN을 고르고 비용과 효율을 따진다.

이 책 사용법

읽기개념과 직관을 먼저. 영어 용어는 괄호로 병기한다.
보기전계 분포, 스위칭 파형, PWM 비교, 3D 셀과 모듈로 소자를 머릿속에 그린다.
만지기도핑·두께·게이트 저항·스위칭 주파수·데드 타임·냉각 슬라이더를 끝까지 움직여 손실과 온도가 어떻게 변하는지 본다.
계산하기PW-800 숫자로 항복 전압, 온저항, 스위칭 에너지, 효율, 접합 온도, 수명을 직접 맞춰 본다.
확인하기장마다 퀴즈, 마지막 장에서 종합 퀴즈로 마무리한다.
수치에 대하여이 책의 수치는 공개 자료(교과서·리뷰·학회 논문·데이터시트의 대표 범위)에 근거한 교육용 근사값이며 특정 회사·제품의 실제 값이 아니다. 수백 V 이상의 DC 링크와 충전된 커패시터는 전원을 끈 뒤에도 치명적이다. 실험과 업무에서는 현행 전기 안전 법규와 사내 안전 기준을 따른다.

이어 읽기: pn 접합과 MOSFET의 물리는 DeviceBook, 다이 접합·와이어 본딩·기판은 PackagingBook, LDO와 밴드갭 같은 칩 안의 전원은 AnalogBook, 칩의 전력·열 관리는 SoCBook, 고장 분석은 FailureBook. 다른 반도체 책은 반도체 서가에서.