Interactive Etch Textbook

깎아서
새긴다

노광이 그린 무늬는 얇은 플라스틱일 뿐이다. 그 무늬를 진짜 재료로 옮기는 것이 식각이다. 폭 20 nm, 깊이 160 nm의 홈을 옆으로는 1 nm도 넓히지 않고 파 내려가야 한다. 용액은 사방으로 녹이고, 플라스마 속 이온은 아래로만 때리고, 라디칼은 좁은 구멍 바닥까지 잘 내려가지 못한다. 이 교과서는 습식과 건식, 플라스마와 시스, RIE와 이방성, 선택비, 프로파일, ARDE, 보잉, 마이크로트렌칭까지를 시간에 따라 깎여 내려가는 단면을 직접 돌려 보며 배운다.

18개 챕터입자 단위 식각 시뮬레이터이어지는 타깃 EB-20공대 학부 수준

숫자로 보는 식각

이 교과서를 끝내면 아래 숫자가 어디서 나오는지, 서로 어떻게 얽혀 있는지 설명할 수 있게 됩니다.

A = 1 − R옆/R아래이방성. 1에 가까울수록 마스크 폭이 그대로 내려간다. 용액은 0이다
S × t선택비 곱하기 마스크 두께. 마스크 한 장이 팔 수 있는 깊이의 끝
× 10라디칼과 이온이 함께일 때의 식각 속도. 따로일 때를 더한 것보다 훨씬 빠르다
수백 eV, 몇 도시스가 이온에 주는 에너지와 각도 퍼짐. 수직 측벽은 여기서 시작한다
종횡비 ↑ → 속도 ↓좁고 깊은 구멍일수록 라디칼이 바닥에 덜 닿는다. ARDE
54.74°KOH가 (100) 실리콘에 남기는 (111)면의 각. 결정이 정하는 식각

식각의 흐름

이 책은 식각 하나(타깃 EB-20: 산화막에 폭 20 nm, 깊이 160 nm, 종횡비 8의 트렌치)를 여섯 단계로 따라갑니다. 각 장은 그중 한 단계를 맡습니다.

식각 실험실

마스크를 직접 그리고 레시피를 고르고 시간을 돌려 단면을 깎는다. 이온 각도, 바이어스, 산소와 고분자, 압력을 바꿔 EB-20의 규격을 맞추고, 보잉과 마이크로트렌치를 일부러 만들어 보는 임무를 하나씩 통과해 보자.

실험실 열기 →

전체 챕터

1~2장은 식각의 언어와 습식, 3~6장은 플라스마와 표면 반응, 7~12장은 이방성과 프로파일과 결함, 13~15장은 화학·종말점·원자층 식각, 16~17장은 응용과 실험실입니다. 각 장은 개념 → 만져 보는 그림 → 수식 → 시뮬레이터 → 타깃 파일 → 퀴즈 순서로 구성됩니다.

추천 학습 경로

목적에 따라 이렇게 읽어 보세요.

입문 · 전체 그림

식각이 처음이라면. 습식과 건식, 이방성의 기본.

플라스마 물리

전자 온도, 시스, 반응기. 이온이 어디서 오는가.

표면과 화학

이온과 라디칼의 시너지, 재료별 화학, 원자층 식각.

프로파일과 결함

측벽 각도, ARDE, 보잉, 마이크로트렌칭, 노칭.

공정 제어

선택비와 과식각, 종말점, 균일도.

첨단 응용

3D 낸드 채널 홀과 DRAM 커패시터, 그리고 실험실.

이 사이트 사용법

읽기개념과 직관을 먼저. 영어 용어는 괄호로 병기합니다.
만지기그림의 손잡이를 끌어 보세요. 대부분의 그림은 움직입니다.
깎아 보기"식각 시작"을 누르면 단면이 시간에 따라 깎여 내려갑니다. 회색 등고선이 지나온 시간입니다.
무너뜨리기슬라이더를 끝까지. 마스크가 닳고 측벽이 휘고 정지막이 뚫리는 지점이 배울 점입니다.
따라가기장마다 타깃 EB-20이 한 단계씩 나아갑니다. 17장 실험실에서 직접 끝까지 깎습니다.

함께 읽으면 좋은 교과서

식각은 노광 다음 단계이고, 그 결과는 소자와 수율로 돌아옵니다.

ProcessBook반도체 제조 공정 · 식각 앞뒤의 모든 단계 LithoBook반도체 노광 · 식각이 옮길 무늬를 만든다 MemoryBook메모리 반도체 · 3D 낸드와 DRAM의 구조 YieldBook반도체 수율 분석 · 식각 불균일이 맵에 남기는 무늬